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P datilografa, a bolacha do fosforeto de índio do único cristal de
pureza alta, 4", categoria principal
PAM-XIAMEN fabrica bolachas do fosforeto de índio do único cristal
de pureza alta para aplicações da ótica electrónica. Nossos
dimetros padro da bolacha variam de 25,4 milímetros (1 polegada) a
200 milímetros (6 polegadas) em tamanho; as bolachas podem ser
produzidas em várias espessuras e orientações com lados lustrados
ou unpolished e podem incluir entorpecentes. PAM-XIAMEN pode
produzir categorias da vasta gama: categoria principal, categoria
do teste, categoria do manequim, categoria técnica, e categoria
ótica. PAM-XIAMEN igualmente oferecem materiais s especificações do
cliente pelo pedido, além do que composições feitas sob encomenda
para aplicações do anúncio publicitário e da pesquisa e tecnologias
proprietárias novas.
P datilografa, a bolacha do fosforeto de índio, 4", categoria
principal
4" especificaço da bolacha do InP | ||||
Artigo | Especificações | |||
Tipo da conduço | P-tipo | |||
Entorpecente | Zinco | |||
Dimetro da bolacha | 4" | |||
Orientaço da bolacha | 100±0.5° | |||
Espessura da bolacha | 600±25um | |||
Comprimento liso preliminar | 16±2mm | |||
Comprimento liso secundário | 8±1mm | |||
Concentraço de portador | ≤3x1016cm-3 | (0.8-6) x1018cm-3 | (0.6-6) x1018cm-3 | N/A |
Mobilidade | (3.5-4) x103cm2/V.s | (1.5-3.5) x103cm2/V.s | 50-70cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
Resistividade | N/A | N/A | N/A | >0.5x107Ω.cm |
EPD | <1000cm>-2 | <1x10>3cm-2 | <1x10>3cm-2 | <5x10>3cm-2 |
TTV | <15um> | |||
CURVA | <15um> | |||
URDIDURA | <15um> | |||
Marcaço do laser | mediante solicitaço | |||
Revestimento de Suface | P/E, P/P | |||
Epi pronto | sim | |||
Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha |
Que é bolacha do InP?
O fosforeto de índio é um similar material semiconducting ao GaAs e
ao silicone mas é muito um produto de ameia. É muito eficaz em
desenvolver o processamento muito de alta velocidade e é mais caro
do que o GaAs devido aos grandes comprimentos recolher e
desenvolver os ingredientes. Deixe-nos olhar um pouco mais de fatos
sobre o fosforeto de índio como se refere uma bolacha do InP.
Propriedades de transporte em campos bondes altos
Coloque as dependências da velocidade de traço do elétron no InP,
300 K. A curva contínua é cálculo teórico. A curva precipitada e pontilhada é dados medidos. (Maloney e Frey [1977]) e ( de Gonzalez Sánchez e outros [1992]). | |
As dependências do campo da velocidade de traço do elétron para
campos bondes altos. T (K): 1. 95; 2. 300; 3. 400. ( do de Windhorn e outros [1983]). | |
Coloque dependências da velocidade de traço do elétron em
temperaturas diferentes. Curve 1 -77 K ( do de Gonzalez Sánchez e outros [1992]). Curva 2 - 300 K, curve 3 - 500 K (Fawcett e Monte [1975]). | |
Temperatura do elétron contra o campo bonde para 77 K e 300 K. (Maloney e Frey [1977]) | |
Fraço dos elétrons nos vales nL/no e nX/no em funço do campo bonde,
300 K. de L e de X. (Borodovskii e Osadchii [1987]). | |
Dependência da frequência do η da eficiência no início (linha
contínua) e no segundo (harmônico da linha tracejada) no modo do
LSA. Simulaço de Monte - de Carlo. F = FO + F1·pecado (2π·ft) + F2·[pecado (4π·ft) +3π/2], Fo=F1=35 quilovolt cm-1, F2=10.5 quilovolt cm-1 (Borodovskii e Osadchii [1987]). | |
Longitudinal (D || F) e transversal (coeficientes de difuso do
elétron do ⊥ de D F) em 300 K. Conjunto Monte - simulaço de Carlo. (Aishima e Fukushima [1983]). | |
Longitudinal (D || F) e transversal (coeficientes de difuso do
elétron do ⊥ de D F) em 77K. Conjunto Monte - simulaço de Carlo. (Aishima e Fukushima [1983]). |
O InP baseou lasers e o diodo emissor de luz pode emitir-se a luz na escala muito larga de 1200 nanômetro até o µm 12. Esta luz é usada para aplicações baseadas fibra das telecomunicações e do Datacom em todas as áreas do mundo digitalised. A luz é usada igualmente detectando aplicações. Em uma mo há as aplicações espectroscópicas, onde um determinado comprimento de onda é precisado de interagir com a matéria para detectar gás altamente diluídos por exemplo. O terahertz Optoelectronic é usado em analisadores espectroscópicas ultrassensíveis, medidas da espessura dos polímeros e para a detecço de revestimentos multilayer na indústria automóvel. Por outro lado há um benefício enorme de lasers específicos do InP porque so cofre forte do olho. A radiaço é absorvida no corpo vítreo do olho humano e no pode prejudicar a retina. Os lasers do InP no lidar (detecço clara e agrupamento) sero um componente-chave para a mobilidade do futuro e da indústria da automatizaço.
PAM-XIAMEN é seu ir-ao lugar para tudo bolachas, incluindo bolachas do InP, como nós o temos feito por quase 30 anos! Inquira-nos hoje para aprender mais sobre as bolachas que nós oferecemos e como nós podemos o ajudar com seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!