P datilografa, a bolacha do fosforeto de índio do único cristal de pureza alta, 4", categoria principal

Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1-10,000pcs
Termos do pagamento:T/T.
Capacidade da fonte:10.000 bolachas/mês
Tempo de entrega:5-50 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento:Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no único recipiente, sob uma atmosfer
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Xiamen Fujian China
Endereço: #506B, centro de negócios de Henghui, No.77, Lingxia Nan Road, zona alta-tecnologia, Huli, Xiamen 361006, China
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P datilografa, a bolacha do fosforeto de índio do único cristal de pureza alta, 4", categoria principal
 
PAM-XIAMEN fabrica bolachas do fosforeto de índio do único cristal de pureza alta para aplicações da ótica electrónica. Nossos dimetros padro da bolacha variam de 25,4 milímetros (1 polegada) a 200 milímetros (6 polegadas) em tamanho; as bolachas podem ser produzidas em várias espessuras e orientações com lados lustrados ou unpolished e podem incluir entorpecentes. PAM-XIAMEN pode produzir categorias da vasta gama: categoria principal, categoria do teste, categoria do manequim, categoria técnica, e categoria ótica. PAM-XIAMEN igualmente oferecem materiais s especificações do cliente pelo pedido, além do que composições feitas sob encomenda para aplicações do anúncio publicitário e da pesquisa e tecnologias proprietárias novas.
 
P datilografa, a bolacha do fosforeto de índio, 4", categoria principal

4" especificaço da bolacha do InP   
ArtigoEspecificações
Tipo da conduçoP-tipo
EntorpecenteZinco
Dimetro da bolacha4"
Orientaço da bolacha100±0.5°
Espessura da bolacha600±25um
Comprimento liso preliminar16±2mm
Comprimento liso secundário8±1mm
Concentraço de portador≤3x1016cm-3(0.8-6) x1018cm-3(0.6-6) x1018cm-3N/A
Mobilidade(3.5-4) x103cm2/V.s(1.5-3.5) x103cm2/V.s50-70cm2/V.s>1000cm2/V.s
ResistividadeN/AN/AN/A>0.5x107Ω.cm
EPD<1000cm>-2<1x10>3cm-2<1x10>3cm-2<5x10>3cm-2
TTV<15um>
CURVA<15um>
URDIDURA<15um>
Marcaço do lasermediante solicitaço
Revestimento de SufaceP/E, P/P
Epi prontosim
PacoteÚnica recipiente ou gaveta da bolacha
 

Que é bolacha do InP?

O fosforeto de índio é um similar material semiconducting ao GaAs e ao silicone mas é muito um produto de ameia. É muito eficaz em desenvolver o processamento muito de alta velocidade e é mais caro do que o GaAs devido aos grandes comprimentos recolher e desenvolver os ingredientes. Deixe-nos olhar um pouco mais de fatos sobre o fosforeto de índio como se refere uma bolacha do InP.
 
Propriedades de transporte em campos bondes altos

Coloque as dependências da velocidade de traço do elétron no InP, 300 K.
A curva contínua é cálculo teórico.
A curva precipitada e pontilhada é dados medidos.
(Maloney e Frey [1977]) e (  de Gonzalez Sánchez e outros [1992]).
As dependências do campo da velocidade de traço do elétron para campos bondes altos.
T (K): 1. 95; 2. 300; 3. 400.
(  do   de Windhorn e outros [1983]).
Coloque dependências da velocidade de traço do elétron em temperaturas diferentes.
Curve 1 -77 K (  do   de Gonzalez Sánchez e outros [1992]).
Curva 2 - 300 K, curve 3 - 500 K (Fawcett e Monte [1975]).
Temperatura do elétron contra o campo bonde para 77 K e 300 K.
(Maloney e Frey [1977])
Fraço dos elétrons nos vales nL/no e nX/no em funço do campo bonde, 300 K. de L e de X.
(Borodovskii e Osadchii [1987]).
Dependência da frequência do η da eficiência no início (linha contínua) e no segundo (harmônico da linha tracejada) no modo do LSA.
Simulaço de Monte - de Carlo.
F = FO + F1·pecado (2π·ft) + F2·[pecado (4π·ft) +3π/2],
Fo=F1=35 quilovolt cm-1,
F2=10.5 quilovolt cm-1
(Borodovskii e Osadchii [1987]).
Longitudinal (D || F) e transversal (coeficientes de difuso do elétron do ⊥ de D F) em 300 K.
Conjunto Monte - simulaço de Carlo.
(Aishima e Fukushima [1983]).
Longitudinal (D || F) e transversal (coeficientes de difuso do elétron do ⊥ de D F) em 77K.
Conjunto Monte - simulaço de Carlo.
(Aishima e Fukushima [1983]).

Aplicações Optoelectronic

O InP baseou lasers e o diodo emissor de luz pode emitir-se a luz na escala muito larga de 1200 nanômetro até o µm 12. Esta luz é usada para aplicações baseadas fibra das telecomunicações e do Datacom em todas as áreas do mundo digitalised. A luz é usada igualmente detectando aplicações. Em uma mo há as aplicações espectroscópicas, onde um determinado comprimento de onda é precisado de interagir com a matéria para detectar gás altamente diluídos por exemplo. O terahertz Optoelectronic é usado em analisadores espectroscópicas ultrassensíveis, medidas da espessura dos polímeros e para a detecço de revestimentos multilayer na indústria automóvel. Por outro lado há um benefício enorme de lasers específicos do InP porque so cofre forte do olho. A radiaço é absorvida no corpo vítreo do olho humano e no pode prejudicar a retina. Os lasers do InP no lidar (detecço clara e agrupamento) sero um componente-chave para a mobilidade do futuro e da indústria da automatizaço.

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