Semi-isolamento, bolacha de cristal do InP (fosforeto de índio), 3", categoria do manequim

Semi-isolamento, bolacha de cristal do InP (fosforeto de índio), 3", categoria do manequim

PAM-XIAMEN oferece a bolacha do InP – fosforeto de índio que so crescidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) ou por VGF (gelo vertical do inclinaço) como a categoria epi-pronta ou mecnica com tipo de n, tipo de p ou semi-isolamento na orientaço diferente (111) ou (100).

O fosforeto de índio (InP) é um semicondutor binário composto do índio e do fósforo. Tem (de “blenda zinco ") uma estrutura de cristal cúbica cara-centrada, idêntica quela do GaAs e maioria dos semicondutores de III-V. O fosforeto de índio pode ser preparado da reaço do iodeto do fósforo branco e do índio [esclarecimento necessário] em 400 °C., [5] igualmente pela combinaço direta dos elementos refinados na alta temperatura e na presso, ou pela decomposiço térmica de uma mistura de um composto e de um fosforeto do índio do trialkyl. O InP é usado na eletrônica de alta potência e de alta frequência [citaço necessária] devido a sua velocidade superior do elétron no que diz respeito aos semicondutores mais comuns silicone e ao arsenieto de gálio.

Semi-isolando, bolacha do InP, 3", categoria do manequim

Que é o processo do InP?

As bolachas do InP devem ser preparadas antes da fabricaço do dispositivo. Para começar, devem completamente ser limpados para remover todo o dano que possa ter ocorrido durante o processo de corte. As bolachas quimicamente mecanicamente so lustradas ento/Plaranrized (CMP) para a fase material final da remoço. Isto permite a realizaço de super-liso espelho-como superfícies com uma aspereza restante em uma escala atômica. Isso é terminado em seguida, a bolacha está pronto para a fabricaço.

Parmetros básicos

Telecomunicações/aplicaço do Datacom

O fosforeto de índio (InP) é usado para produzir lasers eficientes, fotodetector sensíveis e moduladores na janela do comprimento de onda usada tipicamente para telecomunicações, isto é, 1550 comprimentos de onda do nanômetro, porque é um material direto do semicondutor de composto do bandgap III-V. O comprimento de onda entre aproximadamente 1510 nanômetro e 1600 nanômetro tem a mais baixa atenuaço disponível na fibra ótica (aproximadamente 0,26 dB/km). O InP é um material de uso geral para a geraço de sinais do laser e da detecço e a converso daqueles sinais de volta ao formulário eletrônico. Os dimetros da bolacha variam de 2-4 polegadas.

As aplicações so:

• Conexões de fibra ótica do longo-curso sobre a grande distncia até 5000 quilômetros tipicamente >10 Tbit/s

• Redes do acesso do anel do metro

• Centro das redes e de dados da empresa

• Fibra casa

• Conexões s estações base 3G, LTE e 5G sem fio

• Uma comunicaço satélite de espaço livre

Você está procurando uma carcaça do InP?

PAM-XIAMEN é orgulhoso oferecer a carcaça do fosforeto de índio para todos os tipos diferentes dos projetos. Se você está procurando bolachas do InP, envie-nos o inquérito hoje para aprender mais sobre como nós podemos trabalhar com você para lhe obter as bolachas que do InP você precisa para seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do material do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN sobre sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades do exame, as químicas e as elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa tem introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.