Tipo de N, carcaça do InP (fosforeto de índio), 3", categoria principal - semicondutor composto

N datilografa, a carcaça do InP, 3", categoria principal

PAM-XIAMEN oferece a bolacha do InP – fosforeto de índio que so crescidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) ou por VGF (gelo vertical do inclinaço) como a categoria epi-pronta ou mecnica com tipo de n, tipo de p ou semi-isolamento na orientaço diferente (111) ou (100).

O fosforeto de índio (InP) é um semicondutor binário composto do índio e do fósforo. Tem (de “blenda zinco ") uma estrutura de cristal cúbica cara-centrada, idêntica quela do GaAs e maioria dos semicondutores de III-V. O fosforeto de índio pode ser preparado da reaço do iodeto do fósforo branco e do índio [esclarecimento necessário] em 400 °C., [5] igualmente pela combinaço direta dos elementos refinados na alta temperatura e na presso, ou pela decomposiço térmica de uma mistura de um composto e de um fosforeto do índio do trialkyl. O InP é usado na eletrônica de alta potência e de alta frequência [citaço necessária] devido a sua velocidade superior do elétron no que diz respeito aos semicondutores mais comuns silicone e ao arsenieto de gálio.

N datilografa, a carcaça do InP, 3", categoria principal

Que é uma bolacha do teste?

A maioria de bolachas do teste so as bolachas que caíram fora das especificações principais. As bolachas do teste podem ser usadas para correr as maratonas, equipamento de teste e para a parte alta R & D. So frequentemente uma alternativa eficaz na reduço de custos para aprontar bolachas.

Para o n-InP fracamente lubrificado em temperaturas perto da mobilidade de traço do elétron de 300 K:

µn = (4.2÷5.4)·103·(300/T) (cm2V-1 s-1)

Fórmula aproximada para a mobilidade de salo do elétron

Μ=ΜOH/[1+ (Nd/107) 1/2],
onde ΜOH=5000 cm2V-1 s-1,
Nd em cm-3 (Hilsum [1974])

Em 300 K, o fator rn≈1 de Salo do elétron no n-InP.
para Nd > 1015 cm-3.

Para o p-InP fracamente lubrificado na temperatura perto de 300 K a mobilidade de salo

µpH~150·(300/T) 2,2 (cm2V-1 s-1).

Em 300 K, o fator do furo no p-InP puro: rp~1

Aplicações Optoelectronic

O InP baseou lasers e o diodo emissor de luz pode emitir-se a luz na escala muito larga de 1200 nanômetro até o µm 12. Esta luz é usada para aplicações baseadas fibra das telecomunicações e do Datacom em todas as áreas do mundo digitalised. A luz é usada igualmente detectando aplicações. Em uma mo há as aplicações espectroscópicas, onde um determinado comprimento de onda é precisado de interagir com a matéria para detectar gás altamente diluídos por exemplo. O terahertz Optoelectronic é usado em analisadores espectroscópicas ultrassensíveis, medidas da espessura dos polímeros e para a detecço de revestimentos multilayer na indústria automóvel. Por outro lado há um benefício enorme de lasers específicos do InP porque so cofre forte do olho. A radiaço é absorvida no corpo vítreo do olho humano e no pode prejudicar a retina. Os lasers do InP no lidar (detecço clara e agrupamento) sero um componente-chave para a mobilidade do futuro e da indústria da automatizaço.

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PAM-XIAMEN é seu ir-ao lugar para tudo bolachas, incluindo bolachas do InP, como nós o temos feito por quase 30 anos! Inquira-nos hoje para aprender mais sobre as bolachas que nós oferecemos e como nós podemos o ajudar com seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do material do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN sobre sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades do exame, as químicas e as elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa tem introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.