Bolacha principal/mecânica do InP da categoria, tipo de n, tipo de p ou Semi-isolamento na orientação (100) ou (111)

Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1-10,000pcs
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Bolacha mecnica do InP da categoria, tipo de n, tipo de p ou Semi-isolamento na orientaço (100) ou (111)
 

PAM-XIAMEN oferece a bolacha do InP do semicondutor composto - fosforeto de índio que so crescidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) ou por VGF (gelo vertical do inclinaço) como a categoria epi-pronta ou mecnica com tipo de n, tipo de p ou semi-isolamento na orientaço diferente (111) ou (100).

O fosforeto de índio (InP) é um semicondutor binário composto do índio e do fósforo. Tem (de “blenda zinco”) uma estrutura de cristal cúbica cara-centrada, idêntica quela do GaAs e maioria dos semicondutores de III-V. O fosforeto de índio pode ser preparado da reaço do iodeto do fósforo branco e do índio [esclarecimento necessário] em 400 °C., [5] igualmente pela combinaço direta dos elementos refinados na alta temperatura e na presso, ou pela decomposiço térmica de uma mistura de um composto e de um fosforeto do índio do trialkyl. O InP é usado na eletrônica de alta potência e de alta frequência [citaço necessária] devido a sua velocidade superior do elétron no que diz respeito aos semicondutores mais comuns silicone e ao arsenieto de gálio.

Está aqui a especificaço de detalhe:
2" (50.8mm) especificaço da bolacha do InP
3" (76.2mm) especificaço da bolacha do Inp
4" (100mm) bolacha Specificatio do InP
 
2" especificaço da bolacha do InP
 
 
ArtigoEspecificações
EntorpecenteN-tipoN-tipoP-tipoSi-tipo
Tipo da conduçoUndopedEnxofreZincolron
Dimetro da bolacha2"
Orientaço da bolacha(100) ±0.5°
Espessura da bolacha350±25um
Comprimento liso preliminar16±2mm
Comprimento liso secundário8±1mm
Concentraço de portador3x1016cm-3(0.8-6) x1018cm-3(0.6-6) x1018cm-3N/A
Mobilidade(3.5-4) x103cm2/V.s(1.5-3.5) x103cm2/V.s50-70x103cm2/V.s>1000cm2/V.s
ResistividadeN/AN/AN/AN/A
EPD<1000cm>-2<500cm>-2<1x10>3cm2<5x10>3cm2
TTV<10um>
CURVA<10um>
URDIDURA<12um>
Marcaço do lasermediante solicitaço
Revestimento de SufaceP/E, P/P
Epi prontosim
PacoteÚnica recipiente ou gaveta da bolacha

 


3" especificaço da bolacha do InP

 

 
ArtigoEspecificações
EntorpecenteN-tipoN-tipoP-tipoSi-tipo
Tipo da conduçoUndopedEnxofreZincolron
Dimetro da bolacha3"
Orientaço da bolacha(100) ±0.5°
Espessura da bolacha600±25um
Comprimento liso preliminar16±2mm
Comprimento liso secundário8±1mm
Concentraço de portador≤3x1016cm-3(0.8-6) x1018cm-3(0.6-6) x1018cm-3N/A
Mobilidade(3.5-4) x103cm2/V.s(1.5-3.5) x103cm2/V.s50-70x103cm2/V.s>1000cm2/V.s
ResistividadeN/AN/AN/AN/A
EPD<1000cm>-2<500cm>-2<1x10>3cm2<5x10>3cm2
TTV<12um>
CURVA<12um>
URDIDURA<15um>
Marcaço do lasermediante solicitaço
Revestimento de SufaceP/E, P/P
Epi prontosim
PacoteÚnica recipiente ou gaveta da bolacha

 

 
4" especificaço da bolacha do InP
 
 
 
ArtigoEspecificações
EntorpecenteN-tipoN-tipoP-tipoSi-tipo
Tipo da conduçoUndopedEnxofreZincolron
Dimetro da bolacha4"
Orientaço da bolacha(100) ±0.5°
Espessura da bolacha600±25um
Comprimento liso preliminar16±2mm
Comprimento liso secundário8±1mm
Concentraço de portador≤3x1016cm-3(0.8-6) x1018cm-3(0.6-6) x1018cm-3N/A
Mobilidade(3.5-4) x103cm2/V.s(1.5-3.5) x103cm2/V.s50-70x103cm2/V.s>1000cm2/V.s
ResistividadeN/AN/AN/AN/A
EPD<1000cm>-2<500cm>-2<1x10>3cm2<5x10>3cm2
TTV<15um>
CURVA<15um>
URDIDURA<15um>
Marcaço do lasermediante solicitaço
Revestimento de SufaceP/E, P/P
Epi prontosim
PacoteÚnica recipiente ou gaveta da bolacha
 
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Bolacha principal/mecânica do InP da categoria, tipo de n, tipo de p ou Semi-isolamento na orientação (100) ou (111)

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