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PAM-XIAMEN oferece a bolacha do InP do semicondutor composto - fosforeto de índio que so crescidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) ou por VGF (gelo vertical do inclinaço) como a categoria epi-pronta ou mecnica com tipo de n, tipo de p ou semi-isolamento na orientaço diferente (111) ou (100).
O fosforeto de índio (InP) é um semicondutor binário composto do índio e do fósforo. Tem (de “blenda zinco”) uma estrutura de cristal cúbica cara-centrada, idêntica quela do GaAs e maioria dos semicondutores de III-V. O fosforeto de índio pode ser preparado da reaço do iodeto do fósforo branco e do índio [esclarecimento necessário] em 400 °C., [5] igualmente pela combinaço direta dos elementos refinados na alta temperatura e na presso, ou pela decomposiço térmica de uma mistura de um composto e de um fosforeto do índio do trialkyl. O InP é usado na eletrônica de alta potência e de alta frequência [citaço necessária] devido a sua velocidade superior do elétron no que diz respeito aos semicondutores mais comuns silicone e ao arsenieto de gálio.
Artigo | Especificações | |||
Entorpecente | N-tipo | N-tipo | P-tipo | Si-tipo |
Tipo da conduço | Undoped | Enxofre | Zinco | lron |
Dimetro da bolacha | 2" | |||
Orientaço da bolacha | (100) ±0.5° | |||
Espessura da bolacha | 350±25um | |||
Comprimento liso preliminar | 16±2mm | |||
Comprimento liso secundário | 8±1mm | |||
Concentraço de portador | 3x1016cm-3 | (0.8-6) x1018cm-3 | (0.6-6) x1018cm-3 | N/A |
Mobilidade | (3.5-4) x103cm2/V.s | (1.5-3.5) x103cm2/V.s | 50-70x103cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
Resistividade | N/A | N/A | N/A | N/A |
EPD | <1000cm>-2 | <500cm>-2 | <1x10>3cm2 | <5x10>3cm2 |
TTV | <10um> | |||
CURVA | <10um> | |||
URDIDURA | <12um> | |||
Marcaço do laser | mediante solicitaço | |||
Revestimento de Suface | P/E, P/P | |||
Epi pronto | sim | |||
Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha |
3" especificaço da bolacha do InP
Artigo | Especificações | |||
Entorpecente | N-tipo | N-tipo | P-tipo | Si-tipo |
Tipo da conduço | Undoped | Enxofre | Zinco | lron |
Dimetro da bolacha | 3" | |||
Orientaço da bolacha | (100) ±0.5° | |||
Espessura da bolacha | 600±25um | |||
Comprimento liso preliminar | 16±2mm | |||
Comprimento liso secundário | 8±1mm | |||
Concentraço de portador | ≤3x1016cm-3 | (0.8-6) x1018cm-3 | (0.6-6) x1018cm-3 | N/A |
Mobilidade | (3.5-4) x103cm2/V.s | (1.5-3.5) x103cm2/V.s | 50-70x103cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
Resistividade | N/A | N/A | N/A | N/A |
EPD | <1000cm>-2 | <500cm>-2 | <1x10>3cm2 | <5x10>3cm2 |
TTV | <12um> | |||
CURVA | <12um> | |||
URDIDURA | <15um> | |||
Marcaço do laser | mediante solicitaço | |||
Revestimento de Suface | P/E, P/P | |||
Epi pronto | sim | |||
Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha |
Artigo | Especificações | |||
Entorpecente | N-tipo | N-tipo | P-tipo | Si-tipo |
Tipo da conduço | Undoped | Enxofre | Zinco | lron |
Dimetro da bolacha | 4" | |||
Orientaço da bolacha | (100) ±0.5° | |||
Espessura da bolacha | 600±25um | |||
Comprimento liso preliminar | 16±2mm | |||
Comprimento liso secundário | 8±1mm | |||
Concentraço de portador | ≤3x1016cm-3 | (0.8-6) x1018cm-3 | (0.6-6) x1018cm-3 | N/A |
Mobilidade | (3.5-4) x103cm2/V.s | (1.5-3.5) x103cm2/V.s | 50-70x103cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
Resistividade | N/A | N/A | N/A | N/A |
EPD | <1000cm>-2 | <500cm>-2 | <1x10>3cm2 | <5x10>3cm2 |
TTV | <15um> | |||
CURVA | <15um> | |||
URDIDURA | <15um> | |||
Marcaço do laser | mediante solicitaço | |||
Revestimento de Suface | P/E, P/P | |||
Epi pronto | sim | |||
Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha |