Tipo de P, único Crystal InAs Substrate, 3", categoria principal

P datilografa, a carcaça de InAs, 3", categoria principal

PAM-XIAMEN fabrica bolachas do arsenieto do índio do único cristal de pureza alta para aplicações da ótica electrónica. Nossos dimetros padro da bolacha variam de 25,4 milímetros (1 polegada) a 100 milímetros (6 polegadas) em tamanho; as bolachas podem ser produzidas em várias espessuras e orientações com lados lustrados ou unpolished e podem incluir entorpecentes. PAM-XIAMEN pode produzir categorias da vasta gama: categoria principal, categoria mecnica, categoria do teste, categoria do manequim, categoria técnica, e categoria ótica. PAM-XIAMEN igualmente oferece materiais s especificações do cliente pelo pedido, além do que composições feitas sob encomenda para aplicações do anúncio publicitário e da pesquisa e tecnologias proprietárias novas.

3" especificaço da bolacha de InAs

Que é bolacha de InAs?

O arsenieto do índio é um tipo do material do semicondutor de composto de III-V composto do índio e do arsênico. É um sólido do cinza de prata com uma estrutura de cristal do sphalerite na temperatura ambiente. A constante da estrutura é 0.6058nm, e a densidade é 5.66g/cm (sólido) e 5.90g/cm (líquido no ponto de derretimento). A estrutura de faixa é uma transiço direta com uma diferença de faixa (300K) de 0.45ev a presso da dissociaço de como é somente 0.033mpa, e o único cristal pode ser crescido do derretimento na presso atmosférica. Os métodos de uso geral so HB e LEC. InAs é um tipo do material do semicondutor que é difícil de refinar. A concentraço de portador residual é mais alta do que l × 10/cm, a mobilidade de elétron da temperatura ambiente é 3,3 o ^ 3cm do × 10/(V · s), e a mobilidade de furo so 460cm/(V · s). O coeficiente de segregaço eficaz do enxofre dentro dentro e como é próximo a 1, assim que so usados como o n-tipo entorpecente para melhorar a uniformidade da distribuiço longitudinal da concentraço de portador. Para o único cristal de InAs (s) industrial, × 10 do ≥ 1 de n/cm3, × 10cm do ≤ 2,0 do μ/(V · s), × 10 do ≤ 5 de EPD/cm3.

O cristal de InAs tem a mobilidade de elétron e relaço alta da mobilidade (μ E/μ H = 70), baixo efeito da resistência do magneto e baixo coeficiente de temperatura da resistência. É um material ideal para fabricar dispositivos de salo e dispositivos da resistência do magneto. O comprimento de onda da emisso de InAs é 3,34 o μ M. em GaAs B, InAsPSb e os materiais epitaxial múltiplos do inasb com harmonizaço de estrutura podem ser crescidos na carcaça de InAs. Os lasers e os detectores para uma comunicaço de fibra ótica 2-4 na faixa do μ M podem ser fabricados.

Que é uma bolacha do teste de InAs?

A maioria de bolachas do teste so as bolachas que caíram fora das especificações principais. As bolachas do teste podem ser usadas para correr as maratonas, equipamento de teste e para a parte alta R & D. So frequentemente uma alternativa eficaz na reduço de custos para aprontar bolachas.

Propriedades elétricas da bolacha de InAs

Parmetros básicos

Mobilidade e Hall Effect

Em T = 300 K o fator de Salo do elétron em rH puro ~1,3 dos n-InAs.

Propriedades de transporte em campos bondes altos

Ionizaço de impacto

Para elétrons:

αi = αoexp (- Fno/F)
αo = 1,8·105 cm-1;
Fno = 1,6·105 V cm-1 (77 K)

Para furos:

βi = βoexp (- Fpo/F)
Em 77 K

Parmetros da recombinaço

Taxas de recombinaço de superfície da característica (cm s-1) 102 - 104.

Coeficiente Radiative da recombinaço

Coeficiente do eixo helicoidal

Você está procurando uma carcaça de InAs?

PAM-XIAMEN é orgulhoso oferecer a carcaça do fosforeto de índio para todos os tipos diferentes dos projetos. Se você está procurando bolachas de InAs, envie-nos o inquérito hoje para aprender mais sobre como nós podemos trabalhar com você para lhe obter as bolachas que de InAs você precisa para seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do material do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN sobre sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades do exame, as químicas e as elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa tem introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.