Tipo de N, carcaça de InSb, 3", categoria do manequim - semicondutor composto

N datilografa, a carcaça de InSb, 3", categoria do manequim

PAM-XIAMEN fabrica bolachas de InSb do único cristal de pureza alta (antimonite do índio) para fotodiodos ou o dispositivo photoelectromagnetic, sensores do campo magnético usando a magnetorresistência ou os transistor de efeito hall, rápidos (em termos do interruptor dinmico) devido mobilidade de portador alta de InSb, em alguns dos detectores da cmera infravermelha da disposiço no telescópio espacial de Spitzer. Nossos dimetros padro da bolacha variam de 1 polegada a 3 polegadas, bolachas podem ser produzidos nas várias espessuras e nas orientações diferentes (100), (111), (110) com bolachas lustradas e as bolachas vazias. PAM-XIAMEN pode produzir categorias da vasta gama: categoria principal, categoria do teste, categoria do manequim, categoria mecnica, e categoria ótica. PAM-XIAMEN igualmente oferecem o material de InSb s especificações do cliente pelo pedido, além do que composições feitas sob encomenda para aplicações do anúncio publicitário e da pesquisa e tecnologias proprietárias novas.

N datilografa, a carcaça de InSb, 3", categoria do manequim

Propriedades óticas da bolacha de InSb

R.I. infravermelho

Para 120K < T < 360K dn/dT = 1,6·10-11·n

Um meV da energia RX1= 0,5 de Rydberg do estado terra.

Você está procurando uma carcaça de InSb?

PAM-XIAMEN é orgulhoso oferecer a carcaça do fosforeto de índio para todos os tipos diferentes dos projetos. Se você está procurando bolachas de InSb, envie-nos o inquérito hoje para aprender mais sobre como nós podemos trabalhar com você para lhe obter as bolachas que de InSb você precisa para seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do material do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN sobre sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades do exame, as químicas e as elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa tem introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.