Bolacha de GaSb usada para os detectores infravermelhos, diodo emissor de luz e lasers infravermelhos e transistor, e sistemas de Thermophotovoltaic

Bolacha de GaSb usada para os detectores infravermelhos, diodo emissor de luz e lasers infravermelhos e transistor, e sistemas de Thermophotovoltaic

Descriço do produto

PAM-XIAMEN oferece a bolacha de GaSb do semicondutor composto – antimonieto de gálio que so crescidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) como a categoria epi-pronta ou mecnica com tipo de n, tipo de p ou semi-isolamento na orientaço diferente (111) ou (100).

O antimonieto de gálio (GaSb) é um composto semiconducting do gálio e do antimônio da família de III-V. Tem uma constante da estrutura de aproximadamente 0,61 nanômetros. GaSb pode ser usado para os detectores infravermelhos, o diodo emissor de luz e os lasers infravermelhos e os transistor, e sistemas thermophotovoltaic.

especificaço da bolacha de GaSb de 4 ″

1)″ 2 (50.8mm), bolacha de GaSb de 3 ″ (76.2mm)

Orientaço: (100) ±0.5°
Espessura (μm): 500±25; 600±25
Tipo/entorpecente: P/undoped; P/Si; P/Zn
Nc (cm-3): (1~2) E17
Mobilidade (cm2/V ·s): 600~700
Método do crescimento: CZ
Polonês: SSP

2)bolacha de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
Orientaço: (100) ±0.5°
Espessura (μm): 500±25; 600±25
Tipo/entorpecente: N/undoped; P/Te
Nc (cm-3): (1~5) E17
Mobilidade (cm2/V ·s): 2500~3500
Método do crescimento: LEC
Polonês: SSP

3)bolacha de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
Orientaço: (111) A±0.5°
Espessura (μm): 500±25
Tipo/entorpecente: N/Te; P/Zn
Nc (cm-3): (1~5) E17
Mobilidade (cm2/V ·s): 2500~3500; 200~500
Método do crescimento: LEC
Polonês: SSP

4)bolacha de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
Orientaço: (111) B±0.5°
Espessura (μm): 500±25; 450±25
Tipo/entorpecente: N/Te; P/Zn
Nc (cm-3): (1~5) E17
Mobilidade (cm2/V ·s): 2500~3500; 200~500
Método do crescimento: LEC
Polonês: SSP

5)bolacha de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
Orientaço: (111) B 2deg.off
Espessura (μm): 500±25
Tipo/entorpecente: N/Te; P/Zn
Nc (cm-3): (1~5) E17
Mobilidade (cm2/V ·s): 2500~3500; 200~500
Método do crescimento: LEC
Polonês: SSP

Produtos relativos:
Bolacha de InAs
Bolacha de InSb
Bolacha do InP
Bolacha do GaAs
Bolacha de GaSb
Bolacha de Gap

O antimonieto de gálio (GaSb) pode ser fornecido como bolachas com os revestimentos do como-corte, gravada ou lustrado e está disponível em uma vasta gama de concentraço, de dimetro e de espessura de portador.

O material de GaSb apresenta propriedades interessantes para dispositivos thermophotovoltaic de (TPV) da única junço. GaSb: O único cristal de Te crescido com Czochralski (Cz) ou métodos alterados do chralski de Czo- (Mo-CZ) é apresentado e o problema da homogeneidade de Te é discutido. Porque a mobilidade de portador é um dos pontos-chave para o cristal maioria, as medidas de Salo so realizadas. Nós apresentamos aqui alguns desenvolvimentos complementares baseados no ponto de vista do processamento material: o crescimento de cristal maioria, a preparaço da bolacha, e gravura a água-forte da bolacha. As etapas subsequentes após estes so relacionadas ao p/nenhuma elaboraço da junço de r n/p. Alguns resultados obtidos para aproximações diferentes da elaboraço da fino-camada so apresentados. Assim do processo de difuso simples da fase de vapor ou do processo líquido da epitaxia da fase até o processo orgnico do depósito de vapor químico do metal nós relatamos alguma especificidade material.

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do material do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN sobre sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades do exame, as químicas e as elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa tem introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.