Bolacha Undoped do germânio com EPD, 2" - bolacha de Powerway

Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1-10,000pcs
Termos do pagamento:T/T.
Capacidade da fonte:10.000 bolachas/mês
Tempo de entrega:5-50 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento:Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no único recipiente, sob uma atmosfer
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Xiamen Fujian China
Endereço: #506B, centro de negócios de Henghui, No.77, Lingxia Nan Road, zona alta-tecnologia, Huli, Xiamen 361006, China
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Bolacha Undoped do germnio com EPD, 2" - bolacha de Powerway

 

Cristais e bolachas da bolacha do germnio das ofertas de PAM-XIAMEN únicos crescidos por VGF/LEC, nós temos uma vantagem forte em fornecer a bolacha do Ge para a indústria da microeletrônica e da ótica electrónica na escala do dimetro de 2 polegadas a 6 polegadas. A bolacha do germnio é uma elementar e o material popular do semicondutor, devido a suas propriedades crystallographic excelentes e s propriedades elétricas originais, bolacha do germnio é amplamente utilizado no sensor, na célula solar e nas aplicações infravermelhas do sistema ótico. PAM-XIAMEN pode fornecer baixas bolachas prontas do germnio da deslocaço e do epi para cumprir sua exigência original do germnio.

 

Propriedades gerais da bolacha do germnio

Estrutura geral das propriedadesCúbico, a = 5,6754 Å
Densidade: 5,765 g/cm3
Ponto de derretimento: 937,4 OC
Condutibilidade térmica: 640
Tecnologia do crescimento de cristalCzochralski
Lubrificaço disponívelUndopedLubrificaço do SbLubrificaço dentro ou GA
Tipo condutor/NP
Resistividade, ohm.cm>35< 0="">0,05 – 0,1
EPD< 5="">< 5="">< 5="">
< 5="">< 5="">< 5="">

 

Especificaço da bolacha do germnio

ArtigoEspecificaçõesObservações
Método do crescimentoVGF 
Tipo da conduçoundoped 
EntorpecenteNENHUNS 
Bolacha Diamter2polegada
Orientaço de cristal(100), (111), (110) 
Espessura200~550um
DEEJ ou E.U. 
Concentraço de portadorpedido em cima dos clientes 
Resistividade no RT(0.001~80)Ohm.cm
Densidade do poço gravura em gua forte<5000>/cm2
Marcaço do lasermediante solicitaço 
Revestimento de superfícieP/E ou P/P 
Epi prontoSim 
PacoteÚnica recipiente ou gaveta da bolacha 

 

Processo da bolacha do germnio

No processo de produço da bolacha do germnio, o dióxido do germnio do processamento do resíduo é refinado mais em etapas da cloraço e da hidrólise.

1) O germnio da pureza alta é obtido durante a refinaço da zona.

2) Um cristal do germnio é produzido através do processo de Czochralski.

3) A bolacha do germnio é fabricada através de diversos corte, moendo, e gravando etapas.

4) As bolachas so limpadas e inspeço. Durante este processo, as bolachas so único lado lustrado ou o lado dobro lustrado de acordo com a disposiço alfandegária, bolacha epi-pronta vem.

5) As bolachas so embaladas em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.

 

Aplicaço:

A placa ou a janela do germnio so usadas na viso noturna e em soluções thermographic da imagem latente para a segurança comercial, a luta contra o incêndio e o equipamento de monitoraço industrial. Também, so usados como filtros para analítico e equipamento de mediço, janelas para a medida remota da temperatura, e espelhos para lasers.

As carcaças finas do germnio so usadas em células solares da triplo-junço de III-V e para sistemas concentrados poder do picovolt (CPV)

 

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