Carcaça de CdZnTe do semicondutor usada para diodos e transistor, a janela do IR ou discos óticos, componentes de Opitical

Carcaça de CdZnTe do semicondutor usada para diodos e transistor, janela do Ir ou discos óticos, componentes de Opitical

Descriço do produto

Bolacha do germnio do único cristal (Ge)

Materiais do semicondutor PAM-XIAMENoffers, cristais e bolachas do Ge (germnio) únicos crescidos por VGF/LEC

Propriedades gerais da bolacha do germnio

Categorias e aplicaço da bolacha do germnio

Especs. do padro do cristal e da bolacha do germnio

O tamanho e a orientaço especiais esto disponíveis em cima das bolachas pedidas

Especificaço da bolacha do germnio

Processo da bolacha do germnio

No processo de produço da bolacha do germnio, o dióxido do germnio do processamento do resíduo é refinado mais em etapas da cloraço e da hidrólise.

1)O germnio da pureza alta é obtido durante a refinaço da zona.

2)Um cristal do germnio é produzido através do processo de Czochralski.

3)A bolacha do germnio é fabricada através de diversos corte, moendo, e gravando etapas.

4)As bolachas so limpadas e inspeço. Durante este processo, as bolachas so único lado lustrado ou o lado dobro lustrado de acordo com a disposiço alfandegária, bolacha epi-pronta vem.

5)As bolachas so embaladas em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.

Aplicaço:

A placa ou a janela do germnio so usadas na viso noturna e em soluções thermographic da imagem latente para a segurança comercial, a luta contra o incêndio e o equipamento de monitoraço industrial. Também, so usados como filtros para analítico e equipamento de mediço, janelas para a medida remota da temperatura, e espelhos para lasers.

As carcaças finas do germnio so usadas em células solares da triplo-junço de III-V e para sistemas concentrados poder do picovolt (CPV).

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço materiais, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN em sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades físicas, químicas e elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa ter introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.