Semi - isolando, carcaça do GaAs, 2", categoria mecânica

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Semi-isolando, carcaça do GaAs, 2", categoria mecnica

PAM-XIAMEN desenvolve e fabrica o cristal e a bolacha do arsenieto do carcaça-gálio do semicondutor composto. Nós usamos tecnologia avançada do crescimento de cristal, o gelo vertical do inclinaço (VGF) e a tecnologia de processamento da bolacha do arsenieto de gálio (GaAs). As propriedades elétricas exigidas so obtidas adicionando entorpecentes tais como o silicone ou o zinco. O resultado é n-tipo ou p-tipo alto-resistência (>10^7 ohm.cm) ou semicondutores da baixo-resistência (<10 - 2 ohm.cm). As superfícies da bolacha esto geralmente epi-prontas (extremamente - baixa contaminaço) isto é sua qualidade so apropriadas para o uso direto em processos epitaxial.

 

Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs), Semi-isolando para aplicações da microeletrônica

ArtigoEspecificaçõesObservações
Tipo da conduçoIsolamento 
Método do crescimentoVGF 
EntorpecenteUndoped 
Bolacha Diamter2, polegadaLingote disponível
Orientaço de cristal(100) +/- 0.5° 
DEEJ, E.U. ou entalhe 
Concentraço de portadorn/a 
Resistividade no RT>1E7 Ohm.cm 
Mobilidade>5000 cm2/V.sec 
Densidade do poço gravura em gua forte<8000 /cm2 
Marcaço do lasermediante solicitaço 
Revestimento de superfícieP/P 
Espessura350~675um 
Epitaxia prontaSim 
PacoteÚnica recipiente ou gaveta da bolacha

 

Propriedades do cristal do GaAs

PropriedadesGaAs
Atoms/cm34,42 x 1022
Peso atômico144,63
Campo da divisoaproximadamente 4 x 105
Estrutura de cristalZincblende
Densidade (g/cm3)5,32
Constante dielétrica13,1
Densidade eficaz dos estados na faixa de conduço, Nc (cm-3)4,7 x 1017
Densidade eficaz dos estados na faixa do Valence, nanovolt (cm-3)7,0 x 1018
Afinidade de elétron (v)4,07
Energia Gap em 300K (eV)1,424
Concentraço de portador intrínseco (cm-3)1,79 x 106
Comprimento de Debye intrínseco (mícrons)2250
Resistividade intrínseca (ohm-cm)108
Constante da estrutura (ångströms)5,6533
Coeficiente linear da expanso térmica,6,86 x 10-6
ΔL/L/ΔT (1 DEG C)
Ponto de derretimento (DEG C)1238
Vida do portador de minoria (s)aproximadamente 10-8
Mobilidade (traço)8500
(cm2 de /V-s)
µn, elétrons
Mobilidade (traço)400
(cm2 de /V-s)
µp, furos
Energia ótica (eV) do fono0,035
Trajeto livre médio do fono (ångströms)58
Calor específico0,35
(J/g-deg C)
Condutibilidade térmica em 300 K0,46
(W/cm-degC)
Diffusivity térmico (cm2/segundo)0,24
Presso de vapor (Pa)100 em 1050 DEG C;
1 em 900 DEG C

 

Comprimento de ondaÍndice
(µm)
2,63,3239
2,83,3204
33,3169
3,23,3149
3,43,3129
3,63,3109
3,83,3089
43,3069
4,23,3057
4,43,3045
4,63,3034
4,83,3022
53,301
5,23,3001
5,43,2991
5,63,2982
5,83,2972
63,2963
6,23,2955
6,43,2947
6,63,2939
6,83,2931
73,2923
7,23,2914
7,43,2905
7,63,2896
7,83,2887
83,2878
8,23,2868
8,43,2859
8,63,2849
8,83,284
93,283
9,23,2818
9,43,2806
9,63,2794
9,83,2782
103,277
10,23,2761
10,43,2752
10,63,2743
10,83,2734
113,2725
11,23,2713
11,43,2701
11,63,269
11,83,2678
123,2666
12,23,2651
12,43,2635
12,63,262
12,83,2604
133,2589
13,23,2573
13,43,2557
13,63,2541

 

Que é bolacha do GaAs?

O arsenieto de gálio (GaAs) é um composto dos elementos gálio e arsênico. É um semicondutor direto da diferença de faixa de III-V com uma estrutura de cristal de blenda de zinco.

A bolacha do GaAs é um material importante do semiconducor. Pertence para agrupar o semicondutor de composto de III-V. É um tipo estrutura do sphalerite de estrutura com uma constante da estrutura de 5.65x 10-10m, um ponto de derretimento do ℃ 1237 e uma diferença de faixa de 1,4 EV. O arsenieto de gálio pode ser feito semi em isolar materiais altos da resistência com resistividade mais altamente do que o silicone e o germnio por mais de três ordens de grandeza, que podem ser usados para fazer a carcaça do circuito integrado, o detector infravermelho, o detector do foto do γ, etc. Porque sua mobilidade de elétron é 5-6 cronometra maior do que isso do silicone, foi amplamente utilizada em dispositivos da micro-ondas e em circuitos digitais de alta velocidade. O dispositivo de semicondutor feito do GaAs tem as vantagens da resistência da alta frequência, a de alta temperatura e a baixa de temperatura, de baixo nível de ruído e forte de radiaço. Além, pode igualmente ser usado para fazer dispositivos do efeito de maioria.

Que é as propriedades térmicas da bolacha do GaAs?

Módulo de maioria7,53·cm2 de 1011 dyn
Ponto de derretimento°C 1240
Calor específico0,33 J g-1°C -1
Condutibilidade térmica0,55 °C -1 de W cm-1
Diffusivity térmico0.31cm2s-1
Expanso térmica, linear5,73·10-6 °C -1

 

Dependência da temperatura da condutibilidade térmica
n-tipo amostra, nenhuma (cm-3): 1. 1016; 2. 1,4·1016; 3. 1018;
p-tipo amostra, po (cm-3): 4. 3·1018; 5. 1,2·1019.
 
Dependência da temperatura da condutibilidade térmica (para a alta temperatura)
n-tipo amostra, nenhuma (cm-3): 1. 7·1015; 2. 5·1016; 3. 4·1017; 4. 8·1018;
p-tipo amostra, po (cm-3): 5. 6·1019.
 
Dependência da temperatura do calor específico na presso constante Ccl= 3kbN = 0,345 J g-1°C -1.
N é o número de átomos em 1 og GaAs de g.
Linha tracejada: Cp= (4π2Ccl/5θo3)·T3 para o θo= 345 K.
 
Dependência da temperatura do α linear do coeficiente da expanso
 

 

Ponto de derretimentoTm=1513 K
Para 0 < P < 45 kbarTm= 1513 - 3.5P (P em kbar)
Presso de vapor saturado(nos Pascal)
K 11731
K 1323100

 

Você está procurando a carcaça do GaAs?

PAM-XIAMEN é orgulhoso oferecer a carcaça do fosforeto de índio para todos os tipos diferentes dos projetos. Se você está procurando bolachas do GaAs, envie-nos o inquérito hoje para aprender mais sobre como nós podemos trabalhar com você para lhe obter as bolachas que do GaAs você precisa para seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!

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