Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Carga da porta da baixa Em-resistência da eficiência elevada do transistor de poder do MOSFET SI2347DS-T1-BE3 baixa para o desempenho melhorado

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Carga da porta da baixa Em-resistência da eficiência elevada do transistor de poder do MOSFET SI2347DS-T1-BE3 baixa para o desempenho melhorado

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Number modelo :SI2347DS-T1-BE3
Lugar de origem :Multi-origem
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :99999
Prazo de entrega :1-7days
Detalhes de empacotamento :Padrão
Estado do produto :Ativo
Tipo do FET :P-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :100 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :120A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
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Lista do produto:


MOSFET do N-canal SQM120P10_10M1LGE3


Características:

• tensão da Dreno-fonte 100V

• corrente contínua do dreno 10A

• 120mOhms @ 10V, 25°C RDS (sobre)

• Baixa carga da porta

• Baixa Em-resistência

• Baixa capacidade entrada e de saída

• Baixa tensão do ponto inicial

• Interruptor rápido

• O ESD protegeu

• RoHS complacente

• Halogênio livre

 

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