Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Carga da porta da baixa Em-resistência da eficiência elevada do transistor de poder do MOSFET SI2347DS-T1-BE3 baixa para o desempenho melhorado

Carga da porta da baixa Em-resistência da eficiência elevada do transistor de poder do MOSFET SI2347DS-T1-BE3 baixa para o desempenho melhorado
  • Carga da porta da baixa Em-resistência da eficiência elevada do transistor de poder do MOSFET SI2347DS-T1-BE3 baixa para o desempenho melhorado
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Lista do produto: MOSFET do N-canal SQM120P10_10M1LGE3 Características: • tensão da Dreno-fonte 100V • corrente contínua do dreno 10A • 120mOhms @ 10V...
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