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O transistor de poder do Mosfet de 50P03NF TO-252 para a DESCRIÇÃO do transistor de poder do Mosfet da gestão do poder do interruptor da carga O ......
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MOSFET duplo do N-canal de HXY9926A 20V Descrição geral O HXY9926A usa tecnologia avançada da trincheira a forneça o RDS excelente (SOB...
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Interruptor lateral alto da carga do P-canal duplo do MOSFET NTJD1155L do poder superior com deslocamento nivelado 8V ±1.3A 175mΩ [Quem nós somos...
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N-canal do MOSFET SMD do transistor de efeito de campo do poder de AP85N03NF com interruptor da carga Descrição O AP85N03NF usa t...
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interruptor de ruptura de carga interruptor/Sf6 interno da carga de C.A. de 12kv ACB com 4 Polos Geral O interruptor da carga da alta tensão da C.A. ......
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MOSFET do N-canal 100V 33A 130W D2PAK de IRF540NS com interruptor rápido Características Tecnologia de processamento avançada Em-resistência ultra ......
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FN7-12 Interruptor de carga de vácuo interior de alta tensão com equipamento de comutação Características: 1O interruptor de carga de vácuo...
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INTERRUPTOR PDP IRFP4229PbF Características • Tecnologia de processo avançada • Parâmetros-chave otimizados para aplicativos PDP Sustain, Reco...
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JY14M N MOSFET de potência para motor BLDC Descrição geral O JY14M utiliza as mais recentes técnicas de processamento de trincheiras para alcançar......
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MOSFET do poder de JY8N5M N Channel Enhancement Mode para a fonte de alimentação do modo do interruptor Descrição geralO produto utiliza as técnicas......
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MOSFET do MODO do REALCE do N-CANAL 100V em DPAK SUMÁRIO V (BR) DSS=100V: RDS (sobre) =0.085; Identificação =7.7A DESCRIÇÃO Esta nova gera...
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