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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

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corrente contínua do dreno do N-canal duplo do transistor de poder do Mosfet de 6.5A 30V

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China corrente contínua do dreno do N-canal duplo do transistor de poder do Mosfet de 6.5A 30V wholesale
  • China corrente contínua do dreno do N-canal duplo do transistor de poder do Mosfet de 6.5A 30V wholesale

corrente contínua do dreno do N-canal duplo do transistor de poder do Mosfet de 6.5A 30V
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Lugar de origem :ShenZhen China
Quantidade de ordem mínima :PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Prazo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Number modelo :HXY4812
Nome de produto :Transistor de poder do Mosfet
VDS :30v
Caso :Fita/bandeja/carretel
VGS :±20v
Corrente contínua do dreno :6.5A
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MOSFET duplo do N-canal de HXY4812 30V

 

 

Descrição geral

 

O HXY4822A usa tecnologia avançada da trincheira a

forneça o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta. Isto

o dispositivo é apropriado para o uso como um interruptor da carga ou em PWM

aplicações.

 

 

Sumário do produto

corrente contínua do dreno do N-canal duplo do transistor de poder do Mosfet de 6.5A 30Vcorrente contínua do dreno do N-canal duplo do transistor de poder do Mosfet de 6.5A 30V

 

 

 

Avaliações máximas absolutas T =25°C salvo disposição em contrário

 

corrente contínua do dreno do N-canal duplo do transistor de poder do Mosfet de 6.5A 30V

 

 

Características elétricas (T =25°C salvo disposição em contrário)

 

 

corrente contínua do dreno do N-canal duplo do transistor de poder do Mosfet de 6.5A 30V

 

 

A. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Cobre, em um ambiente de ar imóvel com Ta =25°C.

o valor em toda a aplicação dada depende do projeto específico da placa do usuário.

B. O paládio da dissipação de poder é baseado em TJ (max) =150°C, usando a resistência térmica junção-à-ambiental do ≤ 10s.

A avaliação de C. Repetitivo, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junção TJ (max) =150°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilização para manter-se

D. O RθJA é a soma da impedância térmica da junção para conduzir RθJL e conduzi-lo a ambiental.

E. As características estáticas em figuras 1 6 são utilização obtida <300>

 

corrente contínua do dreno do N-canal duplo do transistor de poder do Mosfet de 6.5A 30Vcorrente contínua do dreno do N-canal duplo do transistor de poder do Mosfet de 6.5A 30V

 

 

 

 

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