Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Tipo duplo atual alto elevado desempenho do transistor de poder N do Mosfet

MOSFET duplo do N-canal de HXY4812 0V Descrição geral O HXY4812 usa tecnologia avançada da trincheira a forneça o RDS excelente (SOBRE)
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corrente contínua do dreno do N-canal duplo do transistor de poder do Mosfet de 6.5A 30V

MOSFET duplo do N-canal de HXY4812 30V Descrição geral O HXY4822A usa tecnologia avançada da trincheira a forneça o RDS excelente (SOBR
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Interruptor do Mosfet da lógica de HXY9926A, canal duplo do interruptor de alimentação ±1.2v VGS N do Mosfet

MOSFET duplo do N-canal de HXY9926A 20V Descrição geral O HXY9926A usa tecnologia avançada da trincheira a forneça o RDS excelente (SOB
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MOSFETS duplos do transistor de poder SOT-23-6L do Mosfet do canal de RoHS N 6,0 um VDSS

8205A SOT-23-6L Plástico-encapsulam o MOSFET duplo do N-canal dos MOSFETS Descrição geral VDSS= V ID= 6,0 A z 20
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Carga dupla da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de 8H02ETS N baixa

MOSFET do modo do realce de 20V N+N-Channel DESCRIÇÃO O 8H02ETSuses avançou a tecnologia da trincheira a forneça o RDS excelente (SOBRE
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Motorista de alta tensão original Using Transistor do Mosfet do transistor de poder do Mosfet

Transistor de alta tensão original do Mosfet, motorista Using Transistor do Mosfet Funcionamento e características de alta tensão do transistor
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escapamento do transistor atual alto do transistor de poder do silicone 200v baixo

DIODO SOT-23 do ESCAPAMENTO de MMBD1501A o BAIXO Plástico-encapsula diodos CARACTERÍSTICA baixo escapamento do  condutibilidade alta d
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corrente alta do transistor de poder do transistor de poder NPN do silicone 600mA

SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor A42 (NPN) CARACTERÍSTICA Baixa tensão de saturação do Coletor-emissor Alta
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Transistor do poder superior PNP do transistor de poder do silicone do GV para componentes eletrônicos

TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 2N5401 (PNP) CARACTERÍSTICA Interruptor e amplificação de Ÿ na alta tensão
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Aplicação de alta frequência da proteção da polaridade de Mos Field Effect Transistor 20A 200V

Apropriado para o diodo de barreira de comutação de alta frequência HBR20200 da fonte de alimentação 20A 200V Schottky TO-220C TO-220HF TO-263 APLI......
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