8205A SOT-23-6L Plástico-encapsulam o MOSFET duplo do N-canal dos MOSFETS
Descrição geral
| |
VDSS= V ID= 6,0 A
z 20
|
G1
6
|
D1, D2
5
|
G2
4
|
| |
z |
|
RDS (sobre) <>
25m
GS
|
| |
z |
|
RDS (sobre) <>
32m
GS
|
1 2 3
S1
D1, D2 S2
|
CARACTERÍSTICA
MOSFET do poder de z TrenchFET
z RDS excelente (sobre)
carga da porta de z baixa
poder superior de z e capacidade entregando atual
pacote de superfície da montagem de z
APLICAÇÃO
proteção da bateria de z
interruptor da carga de z
gestão do poder de z
| Condição de teste Min Typ Max Unit do símbolo do parâmetro |
| CHARACTERICTISCS ESTÁTICO |
| tensão de divisão V da Dreno-fonte (BR) DSS VGS = 0V, identificação =250µA 19 V |
| Dreno zero IDSS atual VDS =18V da tensão da porta, µA VGS = 0V 1 |
| escapamento IGSS atual VGS =±10V do Porta-corpo, nA de VDS = de 0V ±100 |
| Tensão do ponto inicial da porta (nota 3) VGS (th) VDS =VGS, identificação =250µA 0,5 0.9V |
| GFS dianteiro VDS =5V do tranconductance (nota 3), identificação =4.5A 10 S |
| Tensão dianteira do diodo (nota 3) VSD IS=1.25A, VGS = 0V 1,2 V |
| CHARACTERICTISCS DINÂMICO (note4) |
| Ciss entrado da capacidade 800 PF |
| Capacidade de saída Coss VDS =8V, VGS =0V, f =1MHz 155 PF |
| Capacidade reversa Crss 125 PF de transferência |
| INTERRUPTOR CHARACTERICTISCS (nota 4) |
| Tempo de atraso de ligação TD (sobre) 18 ns |
| Tempo de elevação de ligação tr VDD=10V, VGS=4V, 5 ns |
| Tempo de atraso TD da volta-fora (fora) ID=1A, RGEN=10Ω 43 ns |
| Tempo de queda tf da volta-fora 20 ns |
| Carga total Qg 11 nC da porta |
| Carga Qgs VDS =10V da Porta-fonte, VGS =4.5V, ID=4A 2,3 nC |
| Carga Qgd 2,5 nC do Porta-dreno |
Notas:
1. Avaliação repetitiva: Largura de Pluse limitada pela temperatura de junção máxima
2. De superfície montado FR4 na placa, segundo t≤10.
3. Teste do pulso: Pulso width≤300μs, dever cycle≤2%.
4. Garantido pelo projeto, não assunto à produção.
Dimensões do esboço do pacote de SOT-23-6L
