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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Cidade:shenzhen

País / Região:china

Pessoa de contato:MrJimmy Lee

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Carga dupla da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de 8H02ETS N baixa

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Lugar de origem :ShenZhen China

Quantidade de ordem mínima :PCS 1000-2000

Detalhes de empacotamento :Encaixotado

Prazo de entrega :1 - 2 semanas

Termos do pagamento :L/C T/T Western Union

Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia

Number modelo :8H02ETS

Nome de produto :Transistor de poder do Mosfet

VDSS :6,0 A

APLICAÇÃO :Gestão do poder

CARACTERÍSTICA :Baixa carga da porta

Transistor do mosfet do poder :SOT-23-6L Plástico-encapsulam

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MOSFET do modo do realce de 20V N+N-Channel

DESCRIÇÃO

O 8H02ETSuses avançou a tecnologia da trincheira a

forneça o RDS excelente (SOBRE), a baixa carga da porta e

operação com as tensões da porta tão baixas quanto 2.5V.

CARACTERÍSTICAS GERAIS

VDS = 20V, IDENTIFICAÇÃO = 7A

8H02TS RDS (SOBRE) < 28m="">

RDS (SOBRE) < 26m="">

RDS (SOBRE) < 22m="">

RDS (SOBRE) < 20m="">

Avaliação do ESD: 2000V HBM

Aplicação

Proteção da bateria

Gestão do poder do interruptor da carga

Marcação do pacote e informação pedindo

Identificação do produto	Bloco	Marcação	Qty (PCS)
8H02ETS	TSSOP-8	8H02ETS WW YYYY	5000/3000

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TA=25℃unless notou de outra maneira)

Parâmetro	Símbolo	Limite	Unidade
Tensão da Dreno-fonte	VDS	20	V
Tensão da Porta-fonte	VGS	±12	V
Drene Current-Continuous@ Atual-pulsado (nota 1)	Identificação	7	V
Dissipação de poder máxima	Paládio	1,5	W
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento	TJ, TSTG	-55 a 150	℃
Resistência térmica, Junção-à-ambiental (nota 2)	RθJA	83	℃/W

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TA=25℃unless notou de outra maneira)

NOTAS: 1. avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima. 2. de superfície montado FR4 na placa, segundo do ≤ 10 de t. 3. teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever. 4. garantido pelo projeto, não assunto aos testes de produção.

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS

Carga dupla da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de 8H02ETS N baixa

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