
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
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Nome do produto: PD57018-E | ![]() |
Fabricante: STMicroelectronics | Categoria de produto: Transistor do efeito de campo do semicondutor de óxido de metal do RF (MOSFET do RF) |
Polaridade do transistor: N-canal | Tecnologia: Si |
Corrente Identificação-contínua do dreno: 2,5 A | tensão de divisão da Vds-dreno-fonte: 65 V |
Fonte do Em-dreno do RDS na resistência: 760 mOhms | Frequência de funcionamento: 1 gigahertz |
Ganho: DB 16,5 | Potência de saída: 18 W |
Temperatura de funcionamento mínima: - 65 C | Temperatura de funcionamento máximo: + 150 C |
Estilo da instalação: SMD/SMT | Pacote/caso: PowerSO-10RF-Formed-4 |
Pacote: Tubo | Tipo: STMicroelectronics |
Modo do canal: Realce | Configuração: Único |
Transcondutância dianteira - minuto: 1 S | Altura: 3,5 milímetros |
Comprimento: 7,5 milímetros | Sensibilidade de umidade: Sim |
Dissipação do Paládio-poder: 31,7 W | Tipo de produto: Transistor do MOSFET do RF |
Série: PD57018-E | Quantidade de embalagem da fábrica: 400 |
Subcategoria: MOSFETs | Tipo: MOSFET do poder do RF |
Vgs - tensão da Porta-fonte: 20 V | Largura: 9,4 milímetros |
Peso de unidade: 3 g |