Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Transistor pretos do MOSFET do RF dos transistor do efeito de campo do semicondutor de óxido de metal de PD57018-E RF (MOSFET do RF)

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Transistor pretos do MOSFET do RF dos transistor do efeito de campo do semicondutor de óxido de metal de PD57018-E RF (MOSFET do RF)

Pergunte o preço mais recente
Number modelo :PD57018-E
Quantidade de ordem mínima :1000
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :5k-10k pelo dia
Prazo de entrega :5-8 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento :Pacote: QFN
Tipo :circuito integrado
D/c :2021+
Frequência - interruptor :Padrão
Potência de saída :18 W
Temperatura de funcionamento mínima :- 65 C
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Nome do produto: PD57018-E Transistor pretos do MOSFET do RF dos transistor do efeito de campo do semicondutor de óxido de metal de PD57018-E RF (MOSFET do RF)
Fabricante: STMicroelectronics Categoria de produto: Transistor do efeito de campo do semicondutor de óxido de metal do RF (MOSFET do RF)
Polaridade do transistor: N-canal Tecnologia: Si
Corrente Identificação-contínua do dreno: 2,5 A tensão de divisão da Vds-dreno-fonte: 65 V
Fonte do Em-dreno do RDS na resistência: 760 mOhms Frequência de funcionamento: 1 gigahertz
Ganho: DB 16,5 Potência de saída: 18 W
Temperatura de funcionamento mínima: - 65 C Temperatura de funcionamento máximo: + 150 C
Estilo da instalação: SMD/SMT Pacote/caso: PowerSO-10RF-Formed-4
Pacote: Tubo Tipo: STMicroelectronics
Modo do canal: Realce Configuração: Único
Transcondutância dianteira - minuto: 1 S Altura: 3,5 milímetros
Comprimento: 7,5 milímetros Sensibilidade de umidade: Sim
Dissipação do Paládio-poder: 31,7 W Tipo de produto: Transistor do MOSFET do RF
Série: PD57018-E Quantidade de embalagem da fábrica: 400
Subcategoria: MOSFETs Tipo: MOSFET do poder do RF
Vgs - tensão da Porta-fonte: 20 V Largura: 9,4 milímetros
Peso de unidade: 3 g  

 

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