
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
ST, TI, Onsemi, NXP,XILINX , ALTERA, Central,ROHM, Microchip,ADI,AOS......Millions type chip at stocks for supporting! Provide products: MCU, IC, LDO, OPAMP, BJT, MOSFET, SBD, FRED, SCR, IGBT, SPD,
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Tempo de comutação rápido Mos Field Effect Transistor, transistor do interruptor de alimentação
Mos Field Effect Transistor Description
Mos Field Effect Transistor é usado nos muitos fonte de alimentação e aplicações do poder geral, especialmente como interruptores. S variante inclui MOSFETs planares, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs e outras marcas diferentes.
Mos Field Effect Transistor Feature
N- Canal P - canal
Vds = 30V Vds = -30V
9,5 A (Vgs= 10V) - 8 A (Vgs= -10V)
mΩ 12,9 do mΩ (Vgs= 10V) 21,6 (Vgs= -10V)
mΩ 19,3 do mΩ (Vgs= 4.5V) 40,0 (Vgs= -4.5V)
a avalancha 100% do testou
seguro e áspero
halogênio do livre e dispositivos verdes disponíveis
(RoHS complacente)
Mos Field Effect Transistor Applications
Retificadores síncronos
Poder sem fio
movimentação do motor da H-ponte
Informação pedindo e de marcação
S
G170C03
XYMXXXXXX
Código do pacote
S: SOP8L
Código da data
XYMXXXXXX
Nota: Os produtos sem chumbo de HUAYI contêm compostos moldando/para morrer materiais do anexo e do resíduo metálico placa 100% de lata Termi-
Revestimento da nação; quais são inteiramente complacentes com RoHS. Os produtos sem chumbo de HUAYI para encontrar ou exceder o sem chumbo exigem
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para a classificação de MSL na temperatura máxima sem chumbo do reflow. HUAYI define
“Verde” para significar sem chumbo (RoHS complacente) e o halogênio livre (o Br ou o Cl não excedem 900ppm por peso dentro
o material e o total homogêneos de Br e de Cl não excedem 1500ppm por peso).
HUAYI reserva o direito de fazer mudanças, correções, realces, alterações, e melhorias a este PR
oduct e/ou a este documento a qualquer hora sem aviso prévio.
Avaliações máximas absolutas
Características de funcionamento N-Mosfet típicas