Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Manufacturer from China
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Interruptor do Mosfet da lógica de HXY9926A, canal duplo do interruptor de alimentação ±1.2v VGS N do Mosfet

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Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MrJimmy Lee
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Interruptor do Mosfet da lógica de HXY9926A, canal duplo do interruptor de alimentação ±1.2v VGS N do Mosfet

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Lugar de origem :ShenZhen China
Quantidade de ordem mínima :PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Prazo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Number modelo :HXY9926A
Nome de produto :Transistor de poder do Mosfet
VDS :20v
Caso :Fita/bandeja/carretel
VGS :±1.2v
Corrente contínua do dreno :6.5A
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MOSFET duplo do N-canal de HXY9926A 20V

 

 

Descrição geral

 

O HXY9926A usa tecnologia avançada da trincheira a

forneça o RDS excelente (SOBRE), a baixas carga da porta e operação

com as tensões da porta tão baixas quanto 1.8V ao reter um 12V

Avaliação de VGS (max). Este dispositivo é apropriado para o uso como um unidirecional

ou interruptor bidirecional da carga.

 

 

Sumário do produto

 

Interruptor do Mosfet da lógica de HXY9926A, canal duplo do interruptor de alimentação ±1.2v VGS N do Mosfet

 

 

 

Avaliações máximas absolutas T =25°C salvo disposição em contrário

 

Interruptor do Mosfet da lógica de HXY9926A, canal duplo do interruptor de alimentação ±1.2v VGS N do Mosfet

 

 

Características elétricas (T =25°C salvo disposição em contrário)

 

 

Interruptor do Mosfet da lógica de HXY9926A, canal duplo do interruptor de alimentação ±1.2v VGS N do Mosfet

 

 

A. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Cobre, em um ambiente de ar imóvel com Ta =25°C.

o valor em toda a aplicação dada depende do projeto específico da placa do usuário.

B. O paládio da dissipação de poder é baseado em TJ (max) =150°C, usando a resistência térmica junção-à-ambiental do ≤ 10s.

A avaliação de C. Repetitivo, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junção TJ (max) =150°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilização para manter-se

D. O RθJA é a soma da impedância térmica da junção para conduzir RθJL e conduzi-lo a ambiental.

E. As características estáticas em figuras 1 6 são utilização obtida <300>

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS

 

Interruptor do Mosfet da lógica de HXY9926A, canal duplo do interruptor de alimentação ±1.2v VGS N do MosfetInterruptor do Mosfet da lógica de HXY9926A, canal duplo do interruptor de alimentação ±1.2v VGS N do Mosfet

 

 

 

 

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