
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
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MOSFET duplo do N-canal de HXY9926A 20V
Descrição geral
O HXY9926A usa tecnologia avançada da trincheira a
forneça o RDS excelente (SOBRE), a baixas carga da porta e operação
com as tensões da porta tão baixas quanto 1.8V ao reter um 12V
Avaliação de VGS (max). Este dispositivo é apropriado para o uso como um unidirecional
ou interruptor bidirecional da carga.
Sumário do produto
Avaliações máximas absolutas T =25°C salvo disposição em contrário
Características elétricas (T =25°C salvo disposição em contrário)
A. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Cobre, em um ambiente de ar imóvel com Ta =25°C.
o valor em toda a aplicação dada depende do projeto específico da placa do usuário.
B. O paládio da dissipação de poder é baseado em TJ (max) =150°C, usando a resistência térmica junção-à-ambiental do ≤ 10s.
A avaliação de C. Repetitivo, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junção TJ (max) =150°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilização para manter-se
D. O RθJA é a soma da impedância térmica da junção para conduzir RθJL e conduzi-lo a ambiental.
E. As características estáticas em figuras 1 6 são utilização obtida <300>
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS