Transistor de alta tensão original do Mosfet, motorista Using Transistor do Mosfet
Funcionamento e características de alta tensão do transistor do Mosfet
A construção do MOSFET do poder está nas V-configurações, como nós podemos ver na seguinte figura. Assim o dispositivo é chamado igualmente como o V-MOSFET ou o V-FET. O V a forma do MOSFET do poder são cortados para penetrar da superfície do dispositivo são quase à carcaça de N+ ao N+, ao P, e ao N – camadas. A camada de N+ é a camada pesadamente lubrificada com um baixo material resistive e a camada do n é uma camada levemente lubrificada com a região alta da resistência.
Descrição de alta tensão da característica do transistor do Mosfet
30V/34A
R DS (SOBRE) = (tipo.) @V 7.1mΩ GS = 10V
Do DS (SOBRE) = R do @V 10,0 do mΩ (tipo.) GS = 4.5V
A avalancha 100% testou
Seguro e áspero
Halogênio livre e dispositivos verdes disponíveis
(RoHS complacente)
Aplicações de alta tensão do transistor do Mosfet
Aplicação de comutação
Gestão do poder para DC/DC
Proteção da bateria
Informação pedindo e de marcação
C1
1503
YYXXXJWW
Código do pacote
C1: DFN3*3-8L
Código da data
YYXXX WW
Nota: Os produtos sem chumbo de HUAYI contêm compostos moldando/para morrer materiais do anexo e do resíduo metálico placa 100% de lata Termi-
Revestimento da nação; quais são inteiramente complacentes com RoHS. Os produtos sem chumbo de HUAYI para encontrar ou exceder o sem chumbo exigem
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para a classificação de MSL na temperatura máxima sem chumbo do reflow. HUAYI define
“Verde” para significar sem chumbo (RoHS complacente) e o halogênio livre (o Br ou o Cl não excedem 900ppm por peso dentro
o material e o total homogêneos de Br e de Cl não excedem 1500ppm por peso).
HUAYI reserva o direito de fazer mudanças, correções, realces, alterações, e melhorias a este PR
oduct e/ou a este documento a qualquer hora sem aviso prévio.
Avaliações máximas absolutas
Características de funcionamento típicas
