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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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escapamento do transistor atual alto do transistor de poder do silicone 200v baixo

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China escapamento do transistor atual alto do transistor de poder do silicone 200v baixo wholesale
  • China escapamento do transistor atual alto do transistor de poder do silicone 200v baixo wholesale

escapamento do transistor atual alto do transistor de poder do silicone 200v baixo
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Lugar de origem :ShenZhen China
Quantidade de ordem mínima :PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Prazo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Number modelo :MMBD1501A
Tipo :INTERRUPTOR DIODESOD
CARACTERÍSTICA :Baixo escapamento
Transistor do mosfet do poder :SOT-23 Plástico-encapsulam diodos
Tensão de obstrução da C.C. :200v
Identificação do produto :MMBD1501A
Dissipação de poder :350mW
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DIODO SOT-23 do ESCAPAMENTO de MMBD1501A o BAIXO Plástico-encapsula diodos


 

CARACTERÍSTICA
 
baixo escapamento do 
condutibilidade alta do 

Marcação: A11

escapamento do transistor atual alto do transistor de poder do silicone 200v baixo

 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
escapamento do transistor atual alto do transistor de poder do silicone 200v baixo

 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

 escapamento do transistor atual alto do transistor de poder do silicone 200v baixo
 


 
 
 
Characterisitics típico
    
 
escapamento do transistor atual alto do transistor de poder do silicone 200v baixoescapamento do transistor atual alto do transistor de poder do silicone 200v baixo



 
 
 
 
 
 
Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPOS 0,037 TIPOS
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 REFERÊNCIAS 0,022 REFERÊNCIAS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ 0° 8° 0° 8°

 

Etiquetas de Produtos:

silicon rectifier diode

p enhancement mosfet model

silicon power transistor
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