Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Manufacturer from China
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corrente alta do transistor de poder do transistor de poder NPN do silicone 600mA

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Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MrJimmy Lee
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corrente alta do transistor de poder do transistor de poder NPN do silicone 600mA

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Lugar de origem :ShenZhen China
Quantidade de ordem mínima :PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Prazo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Number modelo :A42
Tensão da Coletor-base :310V
Tensão da Emissor-base :5V
Tstg :-55~+150℃
Material :Silicone
Corrente de coletor :600 miliampères
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SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor A42 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Baixa tensão de saturação do Coletor-emissor

Alta tensão da divisão

 

Marcação: D965A

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 310 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 305 V
VEBO Tensão da Emissor-base 5 V
IC Corrente de coletor - contínua 200 miliampère
ICM Corrente de coletor - pulsada 500 miliampère
PC Dissipação de poder do coletor 500 mW
RθJA Resistência térmica da junção a ambiental 250 ℃/W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO IC =100ΜA, IE =0 310     V
tensão de divisão do Coletor-emissor CEO DE V (BR) IC =1MA, IB =0 305     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO IE =100ΜA, IC =0 5     V

 

Corrente de interrupção de coletor

ICBO VCB =200V, IE =0     0,25 µA
 

 

ICEX

VCE =100V, VX =5V     5 µA
    VCE =300V, VX =5V     10 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB =5V, IC =0     0,1 µA

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE =10V, IC =1MA 60      
  hFE (2) VCE =10V, IC =10MA 100   300  
  hFE (3) VCE =10V, IC =30MA 75      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (se sentou) IC =20MA, IB =2MA     0,2 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (se sentou) IC =20MA, IB =2MA     0,9 V
Frequência da transição fT VCE=20V, IC=10mA, f=30MHz 50     Megahertz

 

 

 
 

 Características típicas

 

corrente alta do transistor de poder do transistor de poder NPN do silicone 600mA

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Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 REFERÊNCIA. 0,061 REFERÊNCIAS.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 TIPO. 0,060 TIPOS.
e1 3,000 TIPO. 0,118 TIPOS.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
corrente alta do transistor de poder do transistor de poder NPN do silicone 600mA
 

 

SOT-89-3L sugeriu a disposição da almofada

 

corrente alta do transistor de poder do transistor de poder NPN do silicone 600mA
 
 
Fita e carretel de SOT-89-3L
corrente alta do transistor de poder do transistor de poder NPN do silicone 600mA
corrente alta do transistor de poder do transistor de poder NPN do silicone 600mA
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