Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

ST, TI, Onsemi, NXP,XILINX , ALTERA, Central,ROHM, Microchip,ADI,AOS......Millions type chip at stocks for supporting! Provide products: MCU, IC, LDO, OPAMP, BJT, MOSFET, SBD, FRED, SCR, IGBT, SPD,

Manufacturer from China
Fornecedor verificado
5 Anos
Casa / Produtos / Silicon Power Transistor /

Transistor do poder superior PNP do transistor de poder do silicone do GV para componentes eletrônicos

Contate
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
Visite o site
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MrJimmy Lee
Contate

Transistor do poder superior PNP do transistor de poder do silicone do GV para componentes eletrônicos

Pergunte o preço mais recente
Lugar de origem :ShenZhen China
Quantidade de ordem mínima :PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Prazo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Number modelo :2N5401
VCBO :-160V
VCEO :-150V
VEBO :-5V
Uso :Componentes eletrônicos
Tj :150Š
Caso :Fita/bandeja/carretel
more
Contate

Add to Cart

Encontre vídeos semelhantes
Ver descrição do produto

TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 2N5401 (PNP)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

 

Interruptor e amplificação de Ÿ na alta tensão

Aplicações de Ÿ tais como a telefonia

Baixa corrente de Ÿ

Alta tensão de Ÿ

 

 

Transistor do poder superior PNP do transistor de poder do silicone do GV para componentes eletrônicos

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método de embalagem Quantidade do bloco
2N5401 TO-92 Volume 1000pcs/Bag
2N5401-TA TO-92 Fita 2000pcs/Box

 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base -160 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor -150 V
VEBO Tensão da Emissor-base -5 V
IC Corrente de coletor -0,6
PC Dissipação de poder do coletor 625 mW
R0 JA Resistência térmica da junção a ambiental 200 Š/W
Tj Temperatura de junção 150 Š
Tstg Temperatura de armazenamento -55~+150 Š

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

 

 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO IC = -0.1MA, IE =0 -160     V
tensão de divisão do Coletor-emissor CEO DE V (BR) IC =-1MA, IB =0 -150     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO IE =-0.01MA, IC =0 -5     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB =-120V, IE =0     -50 nA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB =-3V, IC =0     -50 nA

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE =-5V, IC =-1MA 80      
hFE (2) VCE =-5V, IC =-10MA 100   300  
hFE (3) VCE =-5V, IC =-50MA 50      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (se sentou) IC =-50MA, IB =-5MA     -0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (se sentou) IC =-50MA, IB =-5MA     -1 V
Frequência da transição fT VCE =-5V, IC =-10mA, f =30MHz 100   300 Megahertz

 
  

CLASSIFICAÇÃO do hFE (2)

GRAU B C
ESCALA 100-150 150-200 200-300

 

 

 

 

Características típicas

 

 


Transistor do poder superior PNP do transistor de poder do silicone do GV para componentes eletrônicos 

Transistor do poder superior PNP do transistor de poder do silicone do GV para componentes eletrônicos

Transistor do poder superior PNP do transistor de poder do silicone do GV para componentes eletrônicos

Transistor do poder superior PNP do transistor de poder do silicone do GV para componentes eletrônicos

 


 
 

Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 


TO-92 7DSH DQG 5HHO

 

 Transistor do poder superior PNP do transistor de poder do silicone do GV para componentes eletrônicos

Transistor do poder superior PNP do transistor de poder do silicone do GV para componentes eletrônicos
 




 
 

Inquiry Cart 0