Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

ST, TI, Onsemi, NXP,XILINX , ALTERA, Central,ROHM, Microchip,ADI,AOS......Millions type chip at stocks for supporting! Provide products: MCU, IC, LDO, OPAMP, BJT, MOSFET, SBD, FRED, SCR, IGBT, SPD,

Manufacturer from China
Fornecedor verificado
4 Anos
Casa / Produtos / Mos Field Effect Transistor /

diodo de barreira HBR10200 de 10A 200V Schottky TO-220 TO-220HF TO-263 TO-DPAKM

Contate
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
Visite o site
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MrJimmy Lee
Contate

diodo de barreira HBR10200 de 10A 200V Schottky TO-220 TO-220HF TO-263 TO-DPAKM

Pergunte o preço mais recente
MOQ :15000
Payment Terms :T/T
Supply Ability :3000000PCS/month
Delivery Time :5-15days
Packaging Details :Tube
Model Number :HBR10200
Place of Origin :Guangdong, China
Package :TO-220 TO-220HF TO-263 TO-DPAKM
IF(AV) :10A
VRRM :200V
Tj :175℃
VF(max) :0.75V
Brand Name :OTOMO
more
Contate

Add to Cart

Encontre vídeos semelhantes
Ver descrição do produto

diodo de barreira HBR10200 de 10A 200V Schottky TO-220 TO-220HF TO-263 TO-DPAKM

diodo de barreira HBR10200 de 10A 200V Schottky TO-220 TO-220HF TO-263 TO-DPAKM

APLICAÇÕES

do  de alta frequência da fonte de alimentação do interruptor do  diodos de roda livres, aplicações da proteção da polaridade

 

CARACTERÍSTICAS

perda de baixa potência comum do  da estrutura do cátodo do , anel de protetor de funcionamento alto para a proteção da sobretensão, produto alto do  da temperatura de junção do  da eficiência elevada de RoHS do  da confiança

 

Inquiry Cart 0