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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Aplicação de alta frequência da proteção da polaridade de Mos Field Effect Transistor 20A 200V

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China Aplicação de alta frequência da proteção da polaridade de Mos Field Effect Transistor 20A 200V wholesale
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Aplicação de alta frequência da proteção da polaridade de Mos Field Effect Transistor 20A 200V
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Quantidade de ordem mínima :1500
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :3000000PCS/month
Prazo de entrega :5-15days
Detalhes de empacotamento :Tubo
Number modelo :HBR20200
Lugar de origem :China
Pacote :TO-220C TO-220HF TO-263
SE (AVOIRDUPOIS) :20A
VRRM :200V
Tj :175℃
VF (máximo) :0.75V
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Apropriado para o diodo de barreira de comutação de alta frequência HBR20200 da fonte de alimentação 20A 200V Schottky TO-220C TO-220HF TO-263

APLICAÇÕES

do  de alta frequência da fonte de alimentação do interruptor do  diodos de roda livres, aplicações da proteção da polaridade

 

CARACTERÍSTICAS

perda de baixa potência comum do  da estrutura do cátodo do , anel de protetor de funcionamento alto para a proteção da sobretensão, produto alto do  da temperatura de junção do  da eficiência elevada de RoHS do  da confiança

 

Etiquetas de Produtos:

mos field effect transistor

igbt overvoltage protection

modified sine wave inverter damage
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