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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

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Os transistor de poder da ponta 3DD13005 comutam a eficiência elevada da tensão baixa 9V do emissor

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STM32 IC

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China Os transistor de poder da ponta 3DD13005 comutam a eficiência elevada da tensão baixa 9V do emissor wholesale
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Os transistor de poder da ponta 3DD13005 comutam a eficiência elevada da tensão baixa 9V do emissor
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Lugar de origem :ShenZhen China
Quantidade de ordem mínima :PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Prazo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Number modelo :3DD13005
Tensão da Coletor-base :700v
Temperatura de junção :℃ 150
Tensão da Emissor-base :9V
Nome de produto :tipo do triode do semicondutor
Dissipação do coletor :1.25W
Tipo :Transistor do Triode
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TO-263-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 3DD13005 (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

Aplicações de comutação do poder

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 700 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 400 V
VEBO Tensão da Emissor-base 9 V
IC Corrente de coletor - contínua 1,5
PC Dissipação do coletor 1,25 W
TJ, Tstg Temperatura da junção e de armazenamento -55~+150 ℃

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO Ic= 1mA, IE=0 700     V
tensão de divisão do Coletor-emissor CEO DE V (BR) Ic= 10 miliampères, IB=0 400     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO IE = 1mA, IC =0 9     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB = 700V, IE =0     1 miliampère
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE = 400V, IB =0     0,5 miliampère
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB = 9 V, IC =0     1 miliampère

 

Ganho atual de C.C.

 hFE (1) VCE = 5 V, IC = 0,5 A 8   40  
  hFE (2) VCE = 5 V, IC = 1.5A 5      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (se sentou) IC=1A, IB= 250 miliampères     0,6 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (se sentou) IC=1A, IB= 250mA     1,2 V
Tensão do emissor de base VBE IE= 2A     3 V

 

Frequência da transição

 

fT

VCE =10V, Ic=100mA

f =1MHz

 

5

    

 

Megahertz
Tempo de queda tf IC =1A, IB1 =-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Tempo de armazenamento ts IC=250mA 2   4 µs

 

 

CLASSIFICAÇÃO de hFE1

Grau              
Escala 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

CLASSIFICAÇÃO dos tS

 

Grau A1 A2 B1 B2
Escala 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs)
         

 

 

 

Dimensões do esboço do pacote TO-92

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Mínimo. Máximo. Mínimo. Máximo.
4,470 4,670 0,176 0,184
A1 0,000 0,150 0,000 0,006
B 1,120 1,420 0,044 0,056
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
e 2,540 TIPO. 0,100 TIPOS.
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
L 14,940 15,500 0,588 0,610
L1 4,950 5,450 0,195 0,215
L2 2,340 2,740 0,092 0,108
Φ 0° 8° 0° 8°
V 5,600 REFERÊNCIA. 0,220 REFERÊNCIAS.

 

 

 

 

 

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