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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Tensão 30v do emissor do coletor do transistor de poder dos transistor de poder NPN da ponta de RoHS

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China Tensão 30v do emissor do coletor do transistor de poder dos transistor de poder NPN da ponta de RoHS wholesale
  • China Tensão 30v do emissor do coletor do transistor de poder dos transistor de poder NPN da ponta de RoHS wholesale

Tensão 30v do emissor do coletor do transistor de poder dos transistor de poder NPN da ponta de RoHS
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Lugar de origem :ShenZhen China
Quantidade de ordem mínima :PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Prazo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Number modelo :D882
Tensão da VoltageCollector-base da Coletor-base :40v
Tensão do Coletor-emissor :30v
Tensão da Emissor-base :6V
Transistor do mosfet do poder :TO-126 Plástico-encapsulam
Material :Silicone
Tipo :Transistor do Triode
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TO-126 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor D882 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 


Dissipação de poder

 

 

 

MARCAÇÃO

 

Código de D882=Device

Ponto contínuo = dispositivo composto moldando verde, se nenhum, o dispositivo normal XX=Code

Tensão 30v do emissor do coletor do transistor de poder dos transistor de poder NPN da ponta de RoHS

 

 

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método de embalagem Quantidade do bloco
D882 TO-126 Volume 200pcs/Bag
D882-TU TO-126 Tubo 60pcs/Tube

 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25 Š salvo disposição em contrário)
 

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 40 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 30 V
VEBO Tensão da Emissor-base 6 V
IC Corrente de coletor - contínua 3
PC Dissipação de poder do coletor 1,25 W
TJ Temperatura de junção 150 ℃
Tstg Temperatura de armazenamento -55-150 ℃

 
 
 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO IC = 100μA, IE =0 40     V
tensão de divisão do Coletor-emissor CEO DE V (BR) IC = 10mA, IB =0 30     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO IE = 100μA, IC =0 6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB = 40 V, IE =0     1 µA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE = 30 V, IB =0     10 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB = 6 V, IC =0     1 µA
Ganho atual de C.C. hFE VCE = 2 V, IC = 1A 60   400  
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (se sentou) IC = 2A, IB = 0,2 A     0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (se sentou) IC = 2A, IB = 0,2 A     1,5 V

 

Frequência da transição

 

fT

VCE = 5V, IC =0.1A

f =10MHz

  

 

90

  

 

Megahertz

 
  

CLASSIFICAÇÃO do hFE (2)

Grau R O Y GR
Escala 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Características típicas

 

 
 Tensão 30v do emissor do coletor do transistor de poder dos transistor de poder NPN da ponta de RoHSTensão 30v do emissor do coletor do transistor de poder dos transistor de poder NPN da ponta de RoHSTensão 30v do emissor do coletor do transistor de poder dos transistor de poder NPN da ponta de RoHSTensão 30v do emissor do coletor do transistor de poder dos transistor de poder NPN da ponta de RoHS
 

Dimensões do esboço do pacote
 

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
Minuto Máximo Minuto Máximo
2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TIPO 0,090 TIPOS
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 
 
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