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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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Segundos C/10 de duplo canal do Mosfet 250 da recuperação rápida em terminais

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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
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China Segundos C/10 de duplo canal do Mosfet 250 da recuperação rápida em terminais wholesale
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Segundos C/10 de duplo canal do Mosfet 250 da recuperação rápida em terminais
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Lugar de origem :ShenZhen China
Quantidade de ordem mínima :PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Prazo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Number modelo :RS3A COM RS3M
Tipo :Diodo de retificador rápido da recuperação
CARACTERÍSTICA :250 segundos C/10 em terminais
Terminais :Ligações axiais chapeadas, solderable por MIL-STD-750,
Peso :0.003ounce, 0.093grams
Identificação do produto :RS3A COM RS3M
Caso :JEDEC DO-41 moldou o corpo plástico
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RS3A ATRAVÉS DO RETIFICADOR DE SUPERFÍCIE DA MONTAGEM FASTRE COVERY DE RS3M


 

CARACTERÍSTICA
O pacote plástico leva o laboratório dos seguradores
Classificação 94V-0 da inflamabilidade
Para as aplicações montadas de superfície
Baixo escapamento reverso
Protetor da fiação incorporado, ideal para a colocação automatizada
Capacidade alta da corrente de impulso dianteiro
A solda de alta temperatura garantiu:
250 segundos C/10 em terminais
Junção passivated de vidro da microplaqueta
 
Segundos C/10 de duplo canal do Mosfet 250 da recuperação rápida em terminais
 
 
DADOS MECÂNICOS
 
 
Caso: JEDEC DO-214AC moldou o corpo plástico sobre a microplaqueta passivated
Terminais: A solda chapeou, solderable por MIL-STD-750,
Método 2026
Polaridade: A faixa da cor denota a extremidade do cátodo
Posição de montagem: Alguns
Peso: 0.003ounce, 0.093grams
 
 
AVALIAÇÕES MÁXIMAS E CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

Avaliações em 25 temperaturas ambientais de C salvo disposição em contrário. A carga indutivo monofásica de fase 60Hz de meia onda, resistive ou, para a corrente capacitiva da carga derate por 20%.
Segundos C/10 de duplo canal do Mosfet 250 da recuperação rápida em terminais
 
 
 
Nota:
1. Condição reversa IF=0.5A da recuperação, IR=1.0A, Irr=0.25A
2. medido em 1MHz e em tensão reversa aplicada de C.C. 4.0V
3. Resistência térmica da junção a ambiental em 0,375" comprimento da ligação (de 9.5mm), mounte do PWB
 
Segundos C/10 de duplo canal do Mosfet 250 da recuperação rápida em terminais
 
 
,Segundos C/10 de duplo canal do Mosfet 250 da recuperação rápida em terminais
 
 
 
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