Walton Electronics Co., Ltd.
Shenzhen Walton Electronics Co., Ltd.
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Memória de semicondutor S29GL01GS10TFI010 IC NEM paralela do FLASH 1G 3V 100NS NEM circuitos integrados instantâneos
Especificações:
| Tamanho de memória: | 1 Gbit |
| Tensão de fonte - minuto: | 2,7 V |
| Tensão de fonte - máxima: | 3,6 V |
| Tipo de relação: | Paralelo |
| Organização: | 64 M x 16 |
| Largura do ônibus de dados: | bocado 16 |
| Tipo cronometrando: | Assíncrono |
| Temperatura de funcionamento mínima: | - 40 C |
| Temperatura de funcionamento máximo: | + 85 C |
| Empacotamento: | Bandeja |
| Arquitetura: | Eclipse |
| Tipo da memória: | NEM |
| Umidade sensível: | Sim |
| Velocidade: | 100 ns |
| Quantidade do bloco da fábrica: | 910 |
| Subcategoria: | Armazenamento de dados da memória & |
| Corrente da fonte - máxima: | 60 miliampères |
Características distintivas
CMOS um núcleo de 3,0 volts com I/O versátil
tecnologia do eclipse do nanômetro MirrorBit do 65
a única fonte do (VCC) para lido/programa/apaga (2,7 V a 3,6 V)
característica versátil do I/O do – escala larga da tensão do I/O (VIO): 1,65 V a VCC
ônibus de dados do ×16
a página assíncrona de 32 bytes do leu
amortecedor de programação de 512 bytes – programando em múltiplos da página, até um máximo de 512 bytes
única palavra do e programa múltiplo nas mesmas opções da palavra
verificação de erros do e correção automáticas (CCE) – CCE interna do hardware com o único bocado de correção de erros
o setor do apaga – o uniforme 128 setores do kbyte
o suspende e recomeça comandos para o programa e apaga operações.
