Walton Electronics Co., Ltd.

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Chip de memória de EMMC

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Cidade:shenzhen
País / Região:china
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 Chip de memória de EMMC

W25M02GVZEIT NAND Flash NEM chip de memória instantâneos 2 Gbit de EMMC

A memória CI Multichip de W25M02GVZEIT empacota Winbond Fabricante: Winbond Categoria de produto: Pacotes de Multichip
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S29AL032D90TFI040 paralelo NEM memória Flash CI Async Sram 90ns

S29AL032D90TFI040 NEM original do armazenamento de dados da memória Flash CI Características de desempenhoElevado desempenho– Tempos de acesso ma
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Microplaqueta 0.019048oz dos chip de memória 8Kx8 5V Fram de FM25640-G EMMC

Armazenamento de dados F-RAM de FM25640-G SMD/SMT 64 K da memória & (8Kx8) 5 V CARACTERÍSTICAS: 64K mordeu RAM permanente Ferroelectric●Orga
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Chip de memória síncronos 4 Mbit do SDR EMMC de SRAM TQFP-100

SDR síncrono de SRAM TQFP-100 do armazenamento de dados da memória de IS61SP12832-5TQI Tamanho de memória: 4 Mbit
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Comprimento 14mm de Chips Data Storage 8Kx9 da memória de 72851L15PF FIFO

72851L15PF FIFO original 8K X armazenamento de dados 9 DUPLO da memória do FIFO CARACTERÍSTICAS: • O IDT72801 é equivalente a dois IDT72201 256 x
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Chip de memória PORTUÁRIOS DUPLOS PGA-84 IDT7024S de SRAM 4KX16 EMMC ativos

PORTO DUPLO original Tray Memory Data Storage de IDT7024L20GB SRAM 4KX16 Características ◆As pilhas de memória Duplo-movidas verdadeiras que pe
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Paralela do armazenamento de dados NVRAM da memória CI de DS1250Y-70IND+ 512kx8

Original paralelo do armazenamento de dados NVRAM da memória CI de DS1250Y-70IND+ CARACTERÍSTICAS10 anos de retenção mínima dos dados no theabsen
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Chip de memória de AT45DB161D-SU EMMC NEM flash 16M 2.7V 66Mhz

AT45DB161D-SU SMD/SMT NEM flash original 16M, 2.7V, 66Mhz DataFlash Características • Único 2.5V - 3.6V ou 2.7V - fonte 3.6V • Relação de séri......
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SST39VF6401B-70-4C-EKE NEM microplaqueta instantânea 64 Mbit TSOP-48

Memória CI NEM SMD/SMT instantâneo TSOP-48 de SST39VF6401B-70-4C-EKE • Organizado como 4M x16 • Única tensão lida e para escrever as operações –......
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Gole 8 Gbit 512Mx16 de IC da memória Flash de MT40A512M16HA-083E

MT40A512M16HA-083E: Uma GOLE SDRAM da memória CI - bandeja de DDR4 SMD/SMT • VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV • VPP = 2.5V, – 125mV, +250mV • Em-dado, g......
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