Walton Electronics Co., Ltd.
Shenzhen Walton Electronics Co., Ltd.
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DMN5L06DWK7 do canal duplo do canal 2 do MOSFET os transistor pequenos do smd do kdk do sinal N surgem transistor do modo
Características
MOSFET duplo do N-canal do
baixa Em-resistência do (1.0V máximos)
tensão mesma do ponto inicial da porta do baixa
baixa capacidade entrada do
velocidade de comutação rápida do
escapamento do entrada/saída do baixo
pacote de superfície Ultra-pequeno da montagem do
o ESD protegeu até 2kV
totalmente sem chumbo & inteiramente RoHS complacente (notas 1 & 2)
halogênio e antimônio do livres. Dispositivo “verde” (nota 3)
o qualificou aos padrões AEC-Q101 para Reliabilit alto
Dados mecânicos
caso do : SOT363
material do caso do : Plástico moldado, composto moldando “verde”. Classificação da inflamabilidade do UL que avalia 94V-0
sensibilidade de umidade do : Ao nível 1 por J-STD-020
conexões terminais do : Veja o diagrama
terminais do : Revestimento – Matte Tin Annealed sobre a liga 42 Leadframe. Solderable por MIL-STD-202, método 208
peso do : 0,006 gramas (aproximado)
| Categoria de produto: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| SOT-363-6 | |
| N-canal | |
| Canal 2 | |
| 50 V | |
| 305 miliampères | |
| 2 ohms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 490 milivolt | |
| PC 400 | |
| - 65 C | |
| + 150 C | |
| 250 mW | |
| Realce | |
| Carretel | |
| Corte a fita | |
| MouseReel | |
| Configuração: | Duplo |
| Tempo de queda: | 8,4 ns |
| Transcondutância dianteira - minuto: | Senhora 200 |
| Altura: | 1 milímetro |
| Comprimento: | 2,2 milímetros |
| Produto: | Sinal pequeno do MOSFET |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Tempo de elevação: | 1,8 ns |
| Série: | DMN5L06 |
| 3000 | |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Tipo do transistor: | N-canal 2 |
| Tempo de atraso típico da volta-Fora: | ns 14,4 |
| Tempo de atraso de ligação típico: | 2,1 ns |
| Largura: | 1,35 milímetros |
| Peso de unidade: | 0,000265 onças |