Walton Electronics Co., Ltd.
Shenzhen Walton Electronics Co., Ltd.
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BSZ100N03MSGATMA1 MOSFET BSZ100N03MS GSP000311510 MSP430F5514IRGCT LPC812M101JD20 Semicondutores discretos
MOSFET
OptiMOS TM3 M-Series Power-MOSFET, 30 V
Características
● Otimizado para aplicação de driver 5V (Notebook, VGA, POL)
● Baixo FOMQsw para SMPS de alta frequência
100% testado contra avalanches
● Canal N
● Ros(on) de resistência muito baixa @ Vcs=4,5 V
●Excelente carga de portão x produto Ros(on) (FOM)
●Qualificado de acordo com JEDEC" para aplicações de destino
● Resistência térmica superior
● Revestimento sem Pb;Compatível com RoHS
● Livre de halogênio de acordo com IEC61249-2-21
| Categoria de Produto: | MOSFET |
| SMD/SMT | |
| TSDSON-8 | |
| Canal N | |
| 1 canal | |
| 30 V | |
| 40A | |
| 7,3 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 1V | |
| 23 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 30 W | |
| Aprimoramento | |
| Carretel | |
| Cortar fita | |
| Configuração: | solteiro |
| Tempo de outono: | 2,4 ns |
| Transcondutância direta - Mín.: | 26S |
| Altura: | 1,1 mm |
| Comprimento: | 3,3 mm |
| Tipo de Produto: | MOSFET |
| Tempo de subida: | 2,8 ns |
| Series: | OptiMOS 3M |
| 5000 | |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Tipo de transistor: | 1 Canal N |
| Tempo típico de atraso de desligamento: | 16 ns |
| Tempo de Atraso de Ligação Típico: | 3,8 ns |
| Largura: | 3,3 mm |
| Part # Aliases: | BSZ100N03MS G SP000311510 |
| Unidade de peso: | 0,001367 onças |
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