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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Cidade:shanghai

Província / Estado:shanghai

País / Região:china

Pessoa de contato:Xiwen Bai (Ciel)

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plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

a C-cara do ² de 10*10.5mm Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> Vista geralAs característic

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Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Substrato monocristal de GaN dopado com Fe do tipo SI de 2 polegadas Resistividade > 106Dispositivos de RF Ω·cm Visão geral Bolachas epita

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µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

a C-cara 10*10.5mm2 Si-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> Vista geralA carcaça do nitreto do

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China 10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defecto Densidade 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividade 106 Ω·Cm Dispositivos RF Wafer for sale

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defecto Densidade 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividade 106 Ω·Cm Dispositivos RF Wafer

a C-cara 10*10.5mm2 Fe-lubrificou o Si-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única > 106 Ω·bolacha dos dispositivos RF do cm

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a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser

a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> Vista geral A densidade de poder é

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a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Bolacha dos dispositivos RF do Cm

a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o Si-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única > 106 Ω·bolacha dos dispositivos RF do cm

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a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser

a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> Vista geralEstas bolachas de GaN real

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Densidade de defeito macro 0cm−2 Substrato de cristal único de GaN independente do tipo SI não dopado para dispositivos RF 5*10mm2 M-Face

a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o Si-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única > 106 Ω·bolacha dos dispositivos RF do cm

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5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência

a SP-cara 5*10.5mm2 (10-11) Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> As redes adversarial Genera

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5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único GaN de tipo N sem dopagem com TTV ≤ 10μm Resistividade 0,05 Ω·cm

a SP-cara 5*10mm2 (10-11) Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> Vista geralGaN tem muitas va

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Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defecto Densidade 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividade 106 Ω·Cm Dispositivos RF Wafer

a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser

a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Bolacha dos dispositivos RF do Cm

a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser

Densidade de defeito macro 0cm−2 Substrato de cristal único de GaN independente do tipo SI não dopado para dispositivos RF 5*10mm2 M-Face

5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único GaN de tipo N sem dopagem com TTV ≤ 10μm Resistividade 0,05 Ω·cm