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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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GaN Epitaxial Wafer

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GaN Epitaxial Wafer

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Bolacha sic Epitaxial

 [33]

GaAs Epi Wafer

 [15]

Substratos de Diamante CVD

 [15]

Sistema de recozimento térmico rápido

 [2]

Testador de Sensor de Efeito Hall

 [3]

Bolacha do nitreto de alumínio

 [21]

Microplaqueta do diodo láser

 [10]

Cristal do carboneto de silicone

 [12]

Bolacha Ga2O3

 [13]

bolacha de silicone

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Suporte da bolacha do

 [1]

Máquina de cortar bolacha

 [5]
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
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China plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15° for sale

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

a C-cara do ² de 10*10.5mm Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=&quot;&quot;> Vista geralAs caracter...
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China Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF for sale

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Substrato monocristal de GaN dopado com Fe do tipo SI de 2 polegadas Resistividade > 106Dispositivos de RF Ω·cm Visão geral Bolachas epita
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China µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 for sale

µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

a C-cara 10*10.5mm2 Si-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=&quot;&quot;> Vista geralA carcaça do nitreto ...
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China 10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defecto Densidade 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividade 106 Ω·Cm Dispositivos RF Wafer for sale

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defecto Densidade 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividade 106 Ω·Cm Dispositivos RF Wafer

a C-cara 10*10.5mm2 Fe-lubrificou o Si-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única > 106 Ω·bolacha dos dispositivos RF do cm
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China a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser for sale

a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser

a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=&quot;&quot;> Vista geral A densidade de poder ...
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China a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Bolacha dos dispositivos RF do Cm for sale

a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o Si-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo > 10 o ⁶ Ω·Bolacha dos dispositivos RF do Cm

a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o Si-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única > 106 Ω·bolacha dos dispositivos RF do cm
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China a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser for sale

a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o N-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity autônomo < 0,05 Ω·dispositivo de poder do cm/laser

a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=&quot;&quot;> Vista geralEstas bolachas de GaN ...
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China Densidade de defeito macro 0cm−2 Substrato de cristal único de GaN independente do tipo SI não dopado para dispositivos RF 5*10mm2 M-Face for sale

Densidade de defeito macro 0cm−2 Substrato de cristal único de GaN independente do tipo SI não dopado para dispositivos RF 5*10mm2 M-Face

a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o Si-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única > 106 Ω·bolacha dos dispositivos RF do cm
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China 5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência for sale

5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência

a SP-cara 5*10.5mm2 (10-11) Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=&quot;&quot;> As redes adversarial ...
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China 5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único GaN de tipo N sem dopagem com TTV ≤ 10μm Resistividade 0,05 Ω·cm for sale

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único GaN de tipo N sem dopagem com TTV ≤ 10μm Resistividade 0,05 Ω·cm

a SP-cara 5*10mm2 (10-11) Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=&quot;&quot;> Vista geralGaN tem muitas ...
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