XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

MATERIAL AVANÇADO CO. DE XIAMEN POWERWAY, LTD.

PAM-XIAMEN aceitam o OEM ou a ordem do ODM sob o acordo de NDA, normalmente para o serice do epi, projeta é muita frequentemente, como os pesquisadores e os utilizadores finais preferem resolver um problema fixo e precisam de ajustar o projeto para adotar estes dispositivo fixado.

Em 2008, a linha de produção da bolacha do carboneto de silicone de 2 polegadas terminou com sucesso a eliminação de erros técnica, agora ele realiza o R & o D e a fabricação de bolachas de 6 polegadas sic para o SBD, o pino, o MOSFET e os outros dispositivos.

PAM-XIAMEN avançou internacionalmente a fornalha epitaxial do MOCVD e o equipamento epitaxial da caracterização, 6 avança a linha de produção da microplaqueta do semicondutor composto, a bolacha no sistema de detecção da microplaqueta, o sistema de testes da confiança e o sistema de desenvolvimento de aplicações.: os materiais da carcaça do semicondutor do nitreto do gálio (GAN), a carcaça GaN/AI2O3 composta, cristal de GaN carcaça do único e equipamento (HVPE) da epitaxia da fase de vapor do hidruro, etc. a capacidade de produção mensal de 150 milímetros GaN em bolachas epitaxial do si alcançam 800wafers, e 4-8 a polegada GaN em sic/bolachas epitaxial da safira foi produzida com sucesso. A bolacha epitaxial mantém a qualidade de cristal alta, a uniformidade alta e a confiança alta dos materiais epitaxial, que podem inteiramente cumprir as exigências da aplicação de dispositivos eletrónicos de alta tensão do poder na indústria.

PAM-XIAMEN esteve em uma produção em massa de bolachas epitaxial silicone-baseadas V de um GaN de 6 polegadas 650 para a eletrônica de poder, que são usadas principalmente na gestão do poder, inversor solar, veículo elétrico e movimentação industrial do motor e outros campos. No campo da micro-ondas e da radiofrequência, a empresa realizou o desenvolvimento de materiais epitaxial silicone-baseados do nitreto do gálio, o R & D e a preparação industrial de bolachas da radiofrequência foram lançados igualmente.

Equipe do R&D, que se está centrando sobre a investigação e desenvolvimento e pesquisa aplicada (comparadas com a investigação básica). Diferente do departamento de tecnologia, que é resolver problemas difíceis na produção, o departamento de R & de D é pesquisar e desenvolver bolachas novas, além disso, a tarefa do R&D desenvolver lingotes maiores, um tamanho mais grande da bolacha mas defeitos menores e CURVA etc.

Equipe da produção, que é responsável para controlar a linha de produção inteira do crescimento do lingote à embalagem.

Equipe da tecnologia, que é do departamento da produção, sempre apoio de tecnologia da oferta do inquérito após às vendas.

A equipe de Sales&marketing, que são responsáveis para os produtos do mercado e da venda, lá é membros dos coordenadores de vendas na parte frontal, membros da administração a tratar os documentos e expedições, suportes do Web site.

Equipe do R&D, que se está centrando sobre a investigação e desenvolvimento e pesquisa aplicada (comparadas com a investigação básica).

Comprando a equipe, que é responsável para comprar a máquina, o equipamento e o material

Equipe da contabilidade, que pertence à matriz.

2009, PAM-XIAMEN desenvolvem a tecnologia de GaN, integram a carcaça de cristal de GaN, a epitaxia e o dispositivo do diodo emissor de luz de RF& Power&. Transformou-se uma integração do R & o D, projeto, produção e vendas de materiais do semicondutor, de epitaxia, de dispositivos e de módulos, e de conectar a corrente inteira da indústria da terceira geração de semicondutores que incluem o material de GaN e sic o material,

incubação VCSEL, dispositivos eletrónicos do poder, dispositivos RF do semicondutor composto, módulo de empacotamento de empacotamento do laser dos módulos da lâmpada e outras tecnologias pioneiros internacionais.

2007, serviço do epi da oferta de PAM-XIAMEN baseado na carcaça de III-V (que inclui a carcaça do GaAs, a carcaça de GaSb, a carcaça de InSb, a carcaça de InAs e a carcaça do InP, a carcaça de GaN, a carcaça de AlN), material cobrem GaInSb, InAs, AlSb, GaInNasSb, InGaAs, AlGaAs, InGaAsP, AlInGaAs, GaAlAs, InGaAlP, AlGaInP, InGaP, InGaN, AlGaN, aplicação incluem o poder &RF, Photonics, diodo emissor de luz, célula solar e eletrônica.

2004, PAM-XIAMEN oferecem bolachas do semicondutor sic com sic a bolacha 6H sic e 4H em categorias de qualidade diferentes para fabricantes do pesquisador e da indústria. Nós desenvolvemos a linha de produção inteira com tecnologia do crescimento sic de cristal e sic tecnologia de processamento da bolacha, tamanho de 2" a 6". Nós fornecemos a epitaxia feita sob encomenda do filme fino (carboneto de silicone) sic nas carcaças 6H ou 4H para o desenvolvimento de dispositivos do carboneto de silicone. A bolacha do epi é usada sic principalmente para diodos de Schottky, transistor de efeito de campo de semicondutor de metal-óxido, efeito de campo da junção.

Desde 2001, nós desenvolvemos e produzimos a bolacha inclusiva material do germânio do germânio que é para a microeletrônica, a aplicação ótica e a célula solar.

Desde 1990, nós devotamos para pesquisar e para produzir a bolacha e o lingote de silicone da CZ, após uma década, nós desenvolvemos a bolacha de silicone de FZ com >1000 ohm.cm. e agora nós podemos oferecer o tamanho da bolacha de 2" a 12" com categoria principal e testar a categoria.

Serviço do consultante da tecnologia da bolacha da oferta de PAM-XIAMEN com nossa experiência 29+ no material do semicondutor, nós sabemos conectar-nos o conhecimento da carcaça, a epitaxia ao dispositivo, e sabemos escolher ou crescer o direito e a carcaça qualificada para você quando você a usa para aplicação expitaxy ou outra, nós igualmente sabemos ajustar a estrutura da bolacha para o dispositivo diferente.

Serviço qualificado oferta do consultante da bolacha de semicondutor de PAM-XIAMEN e da tecnologia da bolacha com nossa experiência 29+ no material do semicondutor da parte frontal ao back-end, nós sabemos conectar-nos o conhecimento da carcaça, a epitaxia ao dispositivo, e sabemos escolher ou crescer o direito e a carcaça qualificada para você quando você a usa para aplicação expitaxy ou outra, nós igualmente sabemos ajustar a estrutura da bolacha para o dispositivo diferente e crescer as estruturas do direito para você.