XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.
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carcaça autônoma de GaN do si-GaN do plano (de 20-2-1)
PAM-XIAMEN estabeleceu a tecnologia de fabricação para (nitreto do gálio) a bolacha autônoma da carcaça de GaN que é para UHB-LED e LD. Crescido pela tecnologia de (HVPE) da epitaxia da fase de vapor do hidruro, nossa carcaça de GaN tem a baixa densidade do defeito e o menos ou densidade macro livre do defeito.
PAM-XIAMEN oferece a série completa de GaN e os materiais relacionados de III-N que incluem carcaças de GaN de várias orientações e condutibilidade elétrica, moldes do crystallineGaN&AlN, e epiwafers feitos sob encomenda de III-N.
Mostra aqui a especificação de detalhe:
carcaça autônoma de GaN do si-GaN do plano (de 20-2-1)
| Artigo | (20-2-1) - SI PAM-FS-GaN |
| Dimensão | 5 x 10 milímetros2 |
| Espessura | 350 ±25 µm do µm 430±25 |
| Orientação | (20-21)/plano (de 20-2-1) fora do ângulo para a Um-linha central 0 ±0.5° (20-21)/plano (de 20-2-1) fora do ângulo para a C-linha central -1 ±0.2° |
| Tipo da condução | Semi-isolamento |
| Resistividade (300K) | >106 Ω·cm |
| TTV | µm do ≤ 10 |
| CURVA | -10 µm do ≤ 10 da CURVA do ≤ do µm |
| Aspereza de superfície: | Parte anterior: Ra<0.2nm, epi-pronto; Verso: Terra fina ou lustrado. |
| Densidade de deslocação | De 1 x de 10 5 a 5 x de 106 cm-2 |
| Densidade macro do defeito | 0 cm2 |
| Área útil | > 90% (exclusão da borda) |
| Pacote | cada um no único recipiente da bolacha, sob a atmosfera do nitrogênio, embalada no quarto desinfetado da classe 100 |
carcaça autônoma de GaN do si-GaN do plano (de 20-2-1)
O aumento da procura para capacidades demanipulação de alta velocidade, de alta temperatura e altas fez à reconsideração da indústria do semicondutor a escolha dos materiais usados como semicondutores. Por exemplo, como os vários dispositivos de computação mais rápidos e menores se levantam, o uso do silicone está fazendo difícil sustentar a lei de Moore. Mas igualmente na eletrônica de poder, as propriedades do silicone são já não suficientes para permitir umas melhorias mais adicionais na eficiência de conversão.
Devido a suas tensão de divisão original das características (atual máximo alto, alto, e frequência de comutação alta), nitreto do gálio (ou GaN) é o material original da escolha para resolver problemas de energia do futuro. GaN baseou sistemas tem a eficiência de poder mais alto, as perdas de poder assim da diminuição, comutam em uma frequência mais alta, assim reduzindo o tamanho e o peso.
Constante da estrutura da carcaça de GaN
Os parâmetros da estrutura do nitreto do gálio foram medidos usando a difração alta do raio do ‐ da definição x do ‐
GaN, sructure do Wurtzite. As constantes a da estrutura contra a temperatura.
GaN, sructure do Wurtzite. As constantes c da estrutura contra a temperatura
Propriedades da carcaça de GaN
| PROPRIEDADE/MATERIAL | (Beta) GaN cúbico | GaN (alfa) sextavado |
| Estrutura | Blenda de zinco | Wurzite |
| Grupo de espaço | F bar4 3m | C46v (= P63mc) |
| Estabilidade | Meta-estável | Estável |
| Parâmetros da estrutura em 300K | 0,450 nanômetros | a0 = 0,3189 nanômetros c0 = 0,5185 nanômetros |
| Densidade em 300K | 6,10 g.cm -3 | 6,095 g.cm -3 |
| Módulos elásticos em 300 K | . . | . . |
| Coeficientes lineares da expansão térmica. em 300 K | . . | Ao longo de a0: 5.59x10-6 K-1 Ao longo de c0: 7.75x10-6 K-1 |
| Polarizações espontâneas calculadas | Não aplicável | – 0,029 C m-2 Bernardini e outros 1997 Bernardini & Fiorentini 1999 |
| Coeficientes piezoelétricos calculados | Não aplicável | e33 = + 0,73 C m-2 e31 = – 0,49 C m-2 Bernardini e outros 1997 Bernardini & Fiorentini 1999 |
Energias do fonão | : meV 68,9 LO: meV 91,8 | A1 (A): meV 66,1 E1 (A): meV 69,6 E2: meV 70,7 A1 (LO): meV 91,2 E1 (LO): meV 92,1 |
| Temperatura de Debye | 600K (calculado) Frouxo, 1973 | |
Condutibilidade térmica 300K próximo | . . | Unidades: Wcm-1K-1 1,3, Tansley e outros 1997b 2.2±0.2 para densamente, GaN autônomo Vaudo e outros, 2000 2,1 (0,5) para o material do LEÃO onde poucas deslocações (muitos) Florescu e outros, 2000, 2001 cerca de 1,7 a 1,0 para n=1x1017 a 4x1018cm-3 no material de HVPE Florescu, Molnar e outros, 2000 2,3 ± 0,1 no material Fe-lubrificado de HVPE de CA 2 x108 ohm-cm, & densidade de deslocação CA 105 cm2 (efeitos de T & de densidade de deslocação igualmente dados). Mion e outros, 2006a, 2006b |
| Ponto de derretimento | . . | . . |
| Constante dielétrica baixa/baixa frequência | . . | Ao longo de a0: 10,4 Ao longo de c0: 9,5 |
| R.I. | 2,9 em 3eV Tansley e outros 1997b | 2,67 em 3.38eV Tansley e outros 1997b |
| Natureza da energia Gap por exemplo | Direto | Direto |
| Energia Gap por exemplo em 1237K | eV 2,73 Ching-Hua SU e outros, 2002 | |
| Energia Gap por exemplo em 293-1237 K | 3.556 - 9.9x10-4T2/eV (T+600) Ching-Hua SU e outros, 2002 | |
| Energia Gap por exemplo em 300 K | eV 3,23 Ramírez-Flores e outros 1994 . eV 3,25 Logothetidis e outros 1994 | eV 3,44 Monemar 1974 . eV 3,45 Koide e outros 1987 . eV 3,457 Ching-Hua SU e outros, 2002 |
| Energia Gap por exemplo em CA 0 K | eV 3,30 Ramírez-Flores e al1994 Ploog e outros 1995 | eV 3,50 Dingle e outros 1971 Monemar 1974 |
| Conc. do portador intrínseco em 300 K | . . | . . |
| Energia de ionização… do doador | . …. | . …. |
| Massa eficaz do elétron mim */m0 | . . | 0,22 Moore e outros, 2002 |
| Mobilidade de elétron em 300 K para n = 1x1017 cm-3: para n = 1x1018 cm-3: para n = 1x1019 cm-3: | . . | . CA 500 cm2V-1s-1 CA 240 cm2V-1s-1 CA 150 cm2V-1s-1 Montou & Gaskill, 1995 Tansley e outros 1997a |
| Mobilidade de elétron em 77 K para n =. | . …. | . …. |
| Energia de ionização dos aceitantes | . . | Magnésio: meV 160 Amano e outros 1990 Magnésio: meV 171 Zolper e outros 1995 Ca: meV 169 Zolper e outros 1996 |
| Mobilidade de salão do furo em 300 K para o p=…. | . . | . …. |
| Mobilidade de salão do furo em 77 K para o p=…. | . …. | . . |
| . | (Beta) GaN cúbico | GaN (alfa) sextavado |
Aplicação da carcaça de GaN
O nitreto do gálio (GaN), com uma diferença de faixa direta do eV 3,4, é um material prometedor no desenvolvimento de dispositivos luminescentes do curto-comprimento de onda. Outros pedidos de dispositivo ótico para GaN incluem lasers do semicondutor e detectores óticos