XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.
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carcaça autônoma de GaN do si-GaN do plano (de 11-22) pela epitaxia da fase de vapor do hidruro
PAM-XIAMEN estabeleceu a tecnologia de fabricação para (nitreto do gálio) a bolacha autônoma da carcaça de GaN que é para UHB-LED e LD. Crescido pela tecnologia de (HVPE) da epitaxia da fase de vapor do hidruro, nossa carcaça de GaN tem a baixa densidade do defeito e o menos ou densidade macro livre do defeito.
PAM-XIAMEN oferece a série completa de GaN e os materiais relacionados de III-N que incluem carcaças de GaN de várias orientações e condutibilidade elétrica, moldes do crystallineGaN&AlN, e epiwafers feitos sob encomenda de III-N.
carcaça autônoma de GaN do si-GaN do plano (de 11-22)
| Artigo | (11-22) - SI PAM-FS-GaN |
| Dimensão | 5 x 10 milímetros2 |
| Espessura | 350 ±25 µm do µm 430 ±25 |
| Orientação |
(10-11) aplane fora do ângulo para a Um-linha central 0 ±0.5° (10-11) aplane fora do ângulo para a C-linha central -1 ±0.2° |
| Tipo da condução | Semi-isolamento |
| Resistividade (300K) | > 106 Ω·cm |
| TTV | µm do ≤ 10 |
| CURVA | -10 µm do ≤ 10 da CURVA do ≤ do µm |
| Aspereza de superfície |
Parte anterior: Ra<0> Verso: Terra fina ou lustrado. |
| Densidade de deslocação | De 1 x de 10 5 a 5 x de 10 6 cm-2 |
| Densidade macro do defeito | 0 cm2 |
| Área útil | > 90% (exclusão da borda) |
| Pacote | cada um no único recipiente da bolacha, sob a atmosfera do nitrogênio, embalada no quarto desinfetado da classe 100 |
carcaça autônoma de GaN do si-GaN do plano (de 11-22)
A carcaça do GaN de PAM-XIAMEN (nitreto do gálio) é carcaça singlecrystal com de alta qualidade, que é feito com método de HVPE e tecnologia de processamento originais da bolacha. São uniformidade altamente cristalina, boa, e qualidade de superfície superior. As carcaças de GaN são usadas para muitos tipos dos pedidos, para o diodo emissor de luz branco e o LD (violeta, azul e verde), além disso o desenvolvimento progrediu para aplicações do dispositivo eletrónico do poder e da alta frequência.
A tecnologia de GaN é usada em aplicações de alta potência numerosas tais como fontes industriais, do consumidor e do servidor de alimentação, movimentação solar, da C.A. e inversores de UPS, e carros híbridos e bondes. Além disso, GaN é serido idealmente para aplicações do RF tais como estações base, radares e infraestrutura celulares da televisão por cabo nos trabalhos em rede, setores do espaço aéreo e da defesa, agradecimentos a sua força alta da divisão, figura de baixo nível de ruído e linearidades altas.
RELATÓRIO de balanço do Material-TESTE das curvas-GaN de XRD
Um relatório de teste é necessário para mostrar a conformidade entre a descrição feita sob encomenda e nossos dados finais das bolachas. Nós testaremos o characerization da bolacha pelo equipamento antes da expedição, testando a aspereza de superfície pelo microscópio atômico da força, o tipo pelo instrumento romano dos espectros, a resistividade pelo equipamento de testes da resistividade do não-contato, a densidade do micropipe pelo microscópio de polarização, a orientação pelo raio X Orientator etc. se as bolachas cumprem a exigência, nós limparemos e para embalá-los no quarto desinfetado de 100 classes, se as bolachas não combinam as especs. do costume, nós retirá-las-emos.
A largura completa da metade-altura (FWHM) é uma expressão da escala das funções dadas pela diferença entre dois valores extremos da variável independente igual à metade de seu máximo. Ou seja está a uma largura da curva espectral medida entre aqueles pontos na Y-linha central, que é metade da amplitude máxima.
Está abaixo um exemplo de curvas de balanço de XRD do material de GaN:
Curvas de balanço de XRD do material de GaN