Uma carcaça autônoma plana de U-GaN Hvpe-GaN para dispositivos do Iii-nitreto

Uma carcaça autônoma plana de U-GaN Hvpe-GaN para dispositivos do Iii-nitreto

PAM-XIAMEN estabeleceu a tecnologia de fabricação para (nitreto do gálio) a bolacha autônoma da carcaça de GaN que é para UHB-LED e LD. Crescido pela tecnologia de (HVPE) da epitaxia da fase de vapor do hidruro, nossa carcaça de GaN tem a baixa densidade do defeito e o menos ou densidade macro livre do defeito.

PAM-XIAMEN oferece a série completa de GaN e os materiais relacionados de III-N que incluem carcaças de GaN de várias orientações e condutibilidade elétrica, moldes do crystallineGaN&AlN, e epiwafers feitos sob encomenda de III-N.

Mostra aqui a especificação de detalhe:

Uma carcaça autônoma plana de U-GaN GaN

Uma carcaça autônoma plana de U-GaN GaN

A carcaça do GaN de PAM-XIAMEN (nitreto do gálio) é carcaça singlecrystal com de alta qualidade, que é feito com método de HVPE e tecnologia de processamento originais da bolacha. São uniformidade altamente cristalina, boa, e qualidade de superfície superior. As carcaças de GaN são usadas para muitos tipos dos pedidos, para o diodo emissor de luz branco e o LD (violeta, azul e verde), além disso o desenvolvimento progrediu para aplicações do dispositivo eletrónico do poder e da alta frequência.

GaN é um muito duro (12±2 GPa, material largo mecanicamente estável do semicondutor do bandgap com capacidade de calor elevado e condutibilidade térmica. Em seu formulário puro resiste rachar-se e pode ser depositado no filme fino no carboneto da safira ou de silicone, apesar da má combinação em suas constantes da estrutura. GaN pode ser lubrificado com silicone (Si) ou com n-tipo do oxigênio e com p-tipo de (Mg) do magnésio. Contudo, mudança dos átomos do si e do magnésio a maneira que os cristais de GaN crescem, introduzindo esforços elásticos e fazendo os frágeis. Os compostos de Galliumnitride igualmente tendem a ter uma densidade de deslocação alta, na ordem de 108 a 1010 defeitos pelo centímetro quadrado. O comportamento largo de faixa-Gap de GaN é conectado às mudanças específicas na estrutura de faixa eletrônica, na ocupação da carga e nas regiões da ligação química.

Constante da estrutura da carcaça de GaN

Os parâmetros da estrutura do nitreto do gálio foram medidos usando a difração alta do raio do ‐ da definição x do ‐

GaN, sructure do Wurtzite. As constantes a da estrutura contra a temperatura.

GaN, sructure do Wurtzite. As constantes c da estrutura contra a temperatura

Propriedades da carcaça de GaN

Aplicação da carcaça de GaN

O nitreto do gálio (GaN), com uma diferença de faixa direta do eV 3,4, é um material prometedor no desenvolvimento de dispositivos luminescentes do curto-comprimento de onda. Outros pedidos de dispositivo ótico para GaN incluem lasers do semicondutor e detectores óticos.