10*10mm2 Si-lubrificou GaN/carcaças da safira para o transistor de GaN

10*10mm2 Si-lubrificou GaN/carcaças da safira para o transistor de GaN

Os produtos do molde de PAM-XIAMEN consistem em camadas cristalinas de nitreto do gálio (GaN), do nitreto de alumínio (AlN), do nitreto de alumínio do gálio (AlGaN) e do nitreto do gálio do índio (InGaN), que são depositados em carcaças da safira. Os produtos do molde de PAM-XIAMEN permitem 20-50% vezes de ciclo mais curtos da epitaxia e umas camadas epitaxial mais de alta qualidade do dispositivo, com melhor qualidade estrutural e condutibilidade térmica mais alta, que podem melhorar dispositivos no custo, no rendimento, e no desempenho.

O PAM-XIAMEN'sGaN em moldes da safira está disponível nos diâmetros de 2" até 6", e consiste em uma camada fina de GaN cristalino crescida em uma carcaça da safira. moldes Epi-prontos agora disponíveis.

Mostra aqui a especificação de detalhe:

carcaças Si-lubrificadas 10*10mm2 de GaN/safira

carcaças Si-lubrificadas 10*10mm2 de GaN/safira

Relatório de FWHM e de XRD

Um relatório de teste é necessário para mostrar a conformidade entre a descrição feita sob encomenda e nossos dados finais das bolachas. Nós testaremos o characerization da bolacha pelo equipamento antes da expedição, testando a aspereza de superfície pelo microscópio atômico da força, o tipo pelo instrumento romano dos espectros, a resistividade pelo equipamento de testes da resistividade do não-contato, a densidade do micropipe pelo microscópio de polarização, a orientação pelo raio X Orientator etc. se as bolachas cumprem a exigência, nós limparemos e para embalá-los no quarto desinfetado de 100 classes, se as bolachas não combinam as especs. do costume, nós retirá-las-emos.

Projeto de teste: Projeto de FWHM e de XRD

A largura completa da metade-altura (FWHM) é uma expressão da escala das funções dadas pela diferença entre dois valores extremos da variável independente igual à metade de seu máximo. Ou seja está a uma largura da curva espectral medida entre aqueles pontos na Y-linha central, que é metade da amplitude máxima.

Está abaixo um exemplo de FWHM e de XRD do molde de AlN:

FWHM e XRD do molde de AlN

FWHM e XRD do molde de AlN

Aqui nós mostramos a experiência como um exemplo:

Experiência em GaN na safira: Propriedades Optoelectronic e caracterização estrutural de filmes grossos de GaN em carcaças diferentes com o depósito do laser pulsado:

Experiência em GaN na safira: Propriedades Optoelectronic e caracterização estrutural de filmes grossos de GaN em carcaças diferentes com o depósito do laser pulsado:

Todas as amostras do filme de GaN foram depositadas em carcaças diferentes por PLD no ◦C 1000 em uma atmosfera ambiental do plasma do nitrogênio. A câmara foi bombeada para baixo aos Torr 10−6 antes que o processo do depósito começou, e o gás do N2 (com uma pureza de 99,999%) foi introduzido. A pressão de funcionamento uma vez que o plasma do N2 foi injetado era o Torr 1,13 do × 10−4. Um laser do excimer de KrF (λ = 248 nanômetro, Lambda Physik, Fort Lauderdale, FL, EUA) foi empregado como a fonte da ablação e operado com uma taxa da repetição de 1 hertz e de uma energia de pulso de 60 mJ. A taxa de crescimento média do filme de GaN era aproximadamente 1 µm/h. O raio laser era incidente em um alvo de gerencio em um ângulo de 45◦. O alvo de GaN foi fabricado por HVPE e por grupo em uma distância fixa de 9 cm da carcaça antes de ser girado em 30 RPM durante o depósito do filme. Neste caso, ~4 filmes µm-grossos de GaN foram crescidos em um molde de GaN/safira (amostra A), safira (amostra B), si (111) (amostra C), e si (100) (amostra D). Para o GaN na amostra A, uma camada de 2-µm GaN foi depositada em primeiro lugar na carcaça da safira pelo MOCVD. A microscopia de elétron da exploração (SEM, S-3000H, Hitachi, Tóquio, Japão), o microcopy do elétron da transmissão (TEM, H-600, Hitachi, Tóquio, Japão), a microscopia atômica da força (AFM, DI-3100, Veeco, New York, NY, EUA), a difração de raio X do dobro-cristal (XRD, X'Pert PRO MRD, PANalytical, Almelo, os Países Baixos), o photoluminescence de baixa temperatura (PL, Flouromax-3, Horiba, Tóquio, Japão), e a espectroscopia de Raman (Jobin Yvon, Horiba, Tóquio, Japão) foram empregados para explorar a microestrutura e as propriedades óticas dos moldes de GaN depositados em carcaças diferentes. As propriedades elétricas dos filmes de GaN foram determinadas pela medida de Van der Pauw-Salão sob o nitrogênio líquido que refrigera em 77 K

Figura 2 mostra uma comparação dos testes padrões típicos de XRD de 0002) filmes de GaN (crescidos em carcaças diferentes. Pode-se ver que há uma variação no valor de FWHM (dos 0002) picos da difração, e as intensidades do pico da difração de GaN nas carcaças diferentes foram obtidas ao redor de 34,5 graus. A intensidade de GaN (0002) na amostra A é a mais forte entre todas as amostras, que indica que os filmes de GaN no molde de GaN/safira altamente c-estão orientados e têm a melhor qualidade cristalina. O FWHM de GaN (0002) avalia para as amostras A, B, C, e D foi medido em 0.19◦, 0.51◦, 0.79◦, e 1.09◦, respectivamente. Contudo, a intensidade máxima de XRD aumenta enquanto FWHM diminui; isto é atribuído ao aumento no tamanho do cristalite devido à agregação de grões pequenas ou ao movimento do limite de grão durante o processo do crescimento. Desde que o FWHM do pico da difração de XRD é relativo ao tamanho de grão médio do cristalite no filme [26], o tamanho de grão de GaN crescido nas carcaças diferentes é calculado usando a equação de Debye-Scherer [27]: D = 0.9λ/FWHMcosθ (1) onde D é o tamanho do cristalite, λ são o comprimento de onda do raio X, e o θ é o ângulo da difração. Os tamanhos do cristalite de amostras A, B, C, e D são calculados para ser 57, 20, 13, e 9 nanômetro, respectivamente. Estes resultados indicam que a qualidade cristalina dos filmes de GaN crescidos nas amostras A e B é melhor do que aquela dos filmes crescidos em amostras C e D. Appl. Sci. 2017, 7, 87 3 de 9 GaN/moldes da safira são altamente ‐ de c orientado e têm a melhor qualidade cristalina. O FWHM de GaN (0002) avalia para as amostras A, B, C, e D foi medido em 0.19°, 0.51°, 0.79°, e 1.09°, respectivamente. Contudo, a intensidade máxima de XRD aumenta enquanto FWHM diminui; isto é atribuído ao aumento no tamanho do cristalite devido à agregação de grões pequenas ou ao movimento do limite de grão durante o processo do crescimento. Desde que o FWHM do pico da difração de XRD é relativo ao tamanho de grão médio do cristalite no filme [26], o tamanho de grão de GaN crescido nas carcaças diferentes é calculado usando a equação de Scherer do ‐ de Debye [27]: D = 0.9λ/FWHMcos θ (1) onde D é o tamanho do cristalite, λ são o comprimento de onda do raio do ‐ de X, e o θ é o ângulo da difração. Os tamanhos do cristalite de amostras A, B, C, e D são calculados para ser 57, 20, 13, e 9 nanômetro, respectivamente. Estes resultados indicam que a figura de c

2. Resultados das medidas de (XRD) da difração de raio X dos filmes de GaN crescidos em carcaças diferentes

Conclusão: os lms grossos do fi de GaN crescidos em um molde de GaN/safira, na safira, no si (111), e no si (100) por PLD de alta temperatura. O efeito da carcaça na qualidade cristalina do crescimento de GaN, a morfologia de superfície, o comportamento do esforço, e a propriedade da relação foram estudados, se você precisa mais informações sobre o produto, inquirem-nos por favor.