Tipo autônomo da carcaça N de GaN ou semi - isolando para o Rf, o poder, conduzido e o Ld

Carcaça autônoma de GaN, tipo de N, Semi-isolando para o Rf, o poder, conduzido e o Ld

Carcaça autônoma de GaN

PAM-XIAMEN estabeleceu a tecnologia de fabricação para (nitreto do gálio) o   autônomo da bolacha da carcaça do   de GaN que é para UHB-LED e LD. Crescido pela tecnologia de (HVPE) da epitaxia da fase de vapor do hidruro, nossa carcaça de GaN tem a baixa densidade do defeito e o menos ou densidade macro livre do defeito.

Especificação da carcaça autônoma de GaN

Mostra aqui a especificação de detalhe:

carcaça autônoma de GaN de 2 ″ (50.8mm) (nitreto do gálio)

carcaça autônoma de GaN de 1,5 ″ (38.1mm)

15mm, 10mm, carcaça autônoma de 5mm GaN

Nota:

Bolacha da validação: Considerando a conveniência do uso, bolacha da validação da safira do ″ da oferta 2 de PAM-XIAMEN para abaixo da carcaça autônoma de GaN do tamanho de 2 ″

Aplicação da carcaça de GaN

Iluminação de circuito integrado: Os dispositivos de GaN são usados como os diodos luminescentes de brilho ultra alto (diodo emissor de luz), tevês, automóveis, e iluminação geral

Armazenamento de DVD: Diodos láser azuis

Dispositivo de poder: Os dispositivos de GaN são usados como vários componentes na eletrônica de poder de alta potência e de alta frequência como estações base, satélites, amplificadores de potência, e inversores/conversores celulares para veículos elétricos (EV) e veículos elétricos híbridos (HEV). A baixa sensibilidade de GaN à radiação ionizante (como outros nitretos do grupo III) faz-lhe um material apropriado para aplicações spaceborne tais como disposições de célula solar para satélites e dispositivos de alta potência, de alta frequência para uma comunicação, tempo, e satélites da fiscalização

Ideal para o re-crescimento dos Iii-nitretos

Estações base sem fio: Transistor de poder do RF

Acesso de faixa larga sem fio: MMICs de alta frequência, RF-circuitos MMICs

Sensores da pressão: MEMS

Sensores do calor: detectores Pyro-bondes

Acondicionamento de poder: Integração do sinai ambíguo GaN/Si

Eletrônica automotivo: Eletrônica de alta temperatura

Linhas de transmissão de energia: Eletrônica de alta tensão

Sensores do quadro: Detectores UV

Células solares: A diferença de faixa larga de GaN cobre o espectro solar de 0,65 eV ao eV 3,4 (que é praticamente o espectro solar inteiro), fazendo o nitreto do gálio do índio

(InGaN) liga perfeito para criar o material da célula solar. Devido a esta vantagem, as células solares de InGaN crescidas em carcaças de GaN poised para transformar-se um das novas aplicações e do mercado os mais importantes do crescimento para bolachas da carcaça de GaN.

Ideal para HEMTs, FETs