4H queisola sic a bolacha com baixo TTV/BOW/WARP, categoria do manequim, 3" tamanho

4H queisola sic a bolacha com baixo TV/BOW/WARP, categoria do manequim, 3" tamanho

PAM-XIAMEN fornece a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) para a indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é propriedades elétricas originais de um materialwith do semicondutor da próxima geração e propriedades térmicas excelentes para a aplicação do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida no diâmetro 2~6 polegadas, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível.

Aplicação de Semi-isolar sic a bolacha do manequim:

Sic o manequim que a bolacha pode se usar dentro pesquisa de campos térmicos e mecânicos, e a aplicação do detalhe deve ser como segue:

1. Pesquisa na condutibilidade sic térmica
2.Researches sic do fonão
3.Resarches sic na dureza e em propriedades mecânicas

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PROPRIEDADES DE SEMI-ISOLAR O MATERIAL DO CARBONETO DE SILICONE

4H queisola sic a bolacha, categoria do manequim, 3" tamanho

defeitos sic de cristal

A maioria dos defeitos que foram observados dentro sic foram observados igualmente em outros materiais cristalinos. Como as deslocações, as falhas de empilhamento (SFs), os limites (LABs) do baixo ângulo e os gêmeos. Alguns outro aparecem nos materiais que têm a mistura do zing ou a estrutura de Wurtzite, como o IDBs. Micropipes e as inclusões de outras fases aparecem principalmente dentro sic.

Falta histórica sic de bolachas

As bolachas reprodutíveis da consistência, do tamanho, da qualidade, e da disponibilidade razoáveis são uma produção em massa forcommercial necessária de eletrônica do semicondutor. Muitos materiais do semicondutor podem ser meltedand recrystallized reprodutivelmente em grandes únicos cristais com o auxílio de um cristal de semente, como no método do theCzochralski empregado na fabricação de quase todas as bolachas de silicone, permitindo razoavelmente largewafers de ser mass produced. Contudo, porque sublimes sic em vez do derretimento razoavelmente em attainablepressures, sic não pode ser crescido por técnicas convencionais do derretimento-crescimento. Antes de 1980, os dispositivos eletrónicos do experimentalSiC foram limitados ao plateletsgrown sic de cristal pequeno (tipicamente ~1), irregularmente dado forma enquanto um byproduct do processo de Acheson para fabricar abrasivos industriais (por exemplo, lixa) ou pelo processo de Lely. No processo de Lely, sublimed sic dos attemperatures policristalinos do pó perto de 2500°C são condensados sic aleatoriamente nas paredes de uma cavidade que forma plaqueta pequenas, hexagonallyshaped. Quando estes cristais pequenos, irreproduzíveis permitiram algum sic electronicsresearch básico, não eram claramente apropriados para a produção em massa do semicondutor. Como tal, o silicone transformou-se semicondutor thedominant que abastece a revolução de tecnologia de circuito integrado, quando o interesse em microelectronicswas SIC-baseados limitou.