XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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6H Polytype queisola sic a carcaça, categoria da produção, Epi pronto, 2" tamanho
PAM-XIAMEN fornece a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) para a indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é um material do semicondutor da próxima geração com propriedades elétricas originais e propriedades térmicas excelentes para a aplicação do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida no diâmetro 2~6 polegadas, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível. Contacte-nos por favor para mais informação
PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE
| Polytype | Único cristal 4H | Único cristal 6H |
| Parâmetros da estrutura | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| Empilhando a sequência | ABCB | ABCACB |
| Faixa-Gap | eV 3,26 | eV 3,03 |
| Densidade | 3,21 · 103 kg/m3 | 3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coeficiente da expansão | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice da refração | nenhuns = 2,719 | nenhuns = 2,707 |
| ne = 2,777 | ne = 2,755 | |
| Constante dielétrica | 9,6 | 9,66 |
| Condutibilidade térmica | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Campo bonde da divisão | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Velocidade de tração da saturação | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
| Mobilidade de elétron | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| mobilidade de furo | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Dureza de Mohs | ~9 | ~9 |
6H queisola sic a carcaça, categoria da produção, Epi pronto, 2" tamanho
| PROPRIEDADE DA CARCAÇA | S6H-51-SI-PWAM-250 S6H-51-SI-PWAM-330 S6H-51-SI-PWAM-430 |
| Descrição | Carcaça da categoria 6Hda produçãoSEMI |
| Polytype | 6H |
| Diâmetro | (50,8 ± 0,38) milímetro |
| Espessura | (250 ± 25) μm do μm do μm (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Resistividade (RT) | >1E5 Ω·cm |
| Aspereza de superfície | < 0=""> |
| FWHM | <30 arcsec=""> |
| Densidade de Micropipe | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| Orientação de superfície | |
| No ± <0001>0.5° da linha central | |
| Fora da linha central 3.5° para <11-20>o ± 0.5° | |
| Orientação lisa preliminar | Paralelize o ± 5° {de 1-100} |
| Comprimento liso preliminar | ± 16,00 1,70 milímetros |
| Si-cara lisa secundária da orientação: 90° cw. do ± liso 5° da orientação | |
| C-cara: ccw de 90°. do ± liso 5° da orientação | |
| Comprimento liso secundário | ± 8,00 1,70 milímetros |
| Revestimento de superfície | Cara simples ou duplo lustrada |
| Empacotamento | Única caixa da bolacha ou multi caixa da bolacha |
| Área útil | ≥ 90% |
| Exclusão da borda | 1 milímetro |
Propriedades do único cristal sic
Aqui nós comparamos a propriedade do carboneto de silicone, incluir sextavado sic, CubicSiC, único cristal sic.
Propriedade do do carboneto de silicone (sic)
Comparação da propriedade do carboneto de silicone, incluir sextavado sic, cúbico sic, único cristal sic:
| Propriedade | Valor | Circunstâncias |
| Densidade | 3217 kg/m^3 | sextavado |
| Densidade | 3210 kg/m^3 | cúbico |
| Densidade | 3200 kg/m^3 | Único cristal |
| Dureza, Knoop (KH) | 2960 kg/mm/mm | 100g, cerâmico, preto |
| Dureza, Knoop (KH) | 2745 kg/mm/mm | 100g, cerâmico, verde |
| Dureza, Knoop (KH) | 2480 kg/mm/mm | Único cristal. |
| Módulo Young | 700 GPa | Único cristal. |
| Módulo Young | 410,47 GPa | Cerâmico, density=3120 kg/m/m/m, na temperatura ambiente |
| Módulo Young | 401,38 GPa | Cerâmico, density=3128 kg/m/m/m, na temperatura ambiente |
| Condutibilidade térmica | 350 W/m/K | Único cristal. |
| Força de rendimento | 21 GPa | Único cristal. |
| Capacidade de calor | 1,46 J/mol/K | Cerâmico, em temp=1550 C. |
| Capacidade de calor | 1,38 J/mol/K | Cerâmico, em temp=1350 C. |
| Capacidade de calor | 1,34 J/mol/K | Cerâmico, em temp=1200 C. |
| Capacidade de calor | 1,25 J/mol/K | Cerâmico, em temp=1000 C. |
| Capacidade de calor | 1,13 J/mol/K | Cerâmico, em temp=700 C. |
| Capacidade de calor | 1,09 J/mol/K | Cerâmico, em temp=540 C. |
| Resistividade elétrica | 1. 1e+10 Ω*m | Cerâmico, em temp=20 C |
| Força compressiva | 0,5655. 1,3793 GPa | Cerâmico, em temp=25 C |
| Módulo da ruptura | 0,2897 GPa | Cerâmico, com 1 WT % B aditivo |
| Módulo da ruptura | 0,1862 GPa | Ceramifc, na temperatura ambiente |
| A relação de Poisson | 0,183. 0,192 | Cerâmico, na temperatura ambiente, density=3128 kg/m/m/m |
| Módulo da ruptura | 0,1724 GPa | Cerâmico, em temp=1300 C |
| Módulo da ruptura | 0,1034 GPa | Cerâmico, em temp=1800 C |
| Módulo da ruptura | 0,07586 GPa | Cerâmico, em temp=1400 C |
| Resistência à tração | 0,03448. 0,1379 GPa | Cerâmico, em temp=25 C |
Comparação da propriedade do único cristal sic, do 6H e do 4H:
| Propriedade | Único cristal 4H | Único cristal 6H |
| Parâmetros da estrutura | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| Empilhando a sequência | ABCB | ABCACB |
| Faixa-Gap | eV 3,26 | eV 3,03 |
| Densidade | 3,21 · 103 kg/m3 | 3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coeficiente da expansão | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice da refração | nenhuns = 2,719 | nenhuns = 2,707 |
| ne = 2,777 | ne = 2,755 | |
| Constante dielétrica | 9,6 | 9,66 |
| Condutibilidade térmica | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Campo bonde da divisão | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Velocidade de tração da saturação | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
| Mobilidade de elétron | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| mobilidade de furo | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Dureza de Mohs | ~9 | ~9 |
Comparação da propriedade de 3C-SiC, de 4H-SiC e de 6H-SiC:
| SIC Polytype | 3C-SiC | 4H-SiC | 6H-SiC |
| Estrutura de cristal | Blenda de zinco (cúbica) | Wurtzite (sextavado) | Wurtzite (sextavado) |
| Grupo de simetria | T2d-F43m | C46v-P63mc | C46v-P63mc |
| Módulo de maioria | cm2 de 2,5 x 1012 dyn | cm2 de 2,2 x 1012 dyn | cm2 de 2,2 x 1012 dyn |
| Coeficiente linear da expansão térmica | 2,77 (42) x 10-6 K-1 | ||
| Temperatura de Debye | K 1200 | K 1300 | K 1200 |
| Ponto de derretimento | 3103 (40) K | 3103 ± 40 K | 3103 ± 40 K |
| Densidade | 3,166 g cm-3 | 3,21 g cm-3 | 3,211 g cm-3 |
| Dureza | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 |
| Microhardness de superfície | 2900-3100 quilogramas mm-2 | 2900-3100 quilogramas mm-2 | 2900-3100 quilogramas mm-2 |
| Constante dielétrica (estática) | ε0 ~= 9,72 | O valor da constante 6H-SiC dielétrica é usado geralmente | ε0, ~= 9,66 do ort |
| R.I. infravermelho | ~=2.55 | ~=2.55 (linha central de c) | ~=2.55 (linha central de c) |
| R.I. n (λ) | ~= 2,55378 + 3,417 x 104 de n (λ)·λ-2 | (λ) ~= n0 2,5610 + 3,4 x 104·λ-2 | (λ) ~= n0 2,55531 + 3,34 x 104·λ-2 |
| ~= 2,6041 + 3,75 x 104 do ne (λ)·λ-2 | ~= 2,5852 + 3,68 x 104 do ne (λ)·λ-2 | ||
| Coeficiente Radiative da recombinação | 1,5 x 10-12 cm3/s | 1,5 x 10-12 cm3/s | |
| Energia ótica do fotão | meV 102,8 | meV 104,2 | meV 104,2 |
| Massa de elétron eficaz ml (longitudinal) | 0.68mo | 0.677(15) mo | 0.29mo |
| Massa de elétron eficaz mt (transversal) | 0.25mo | 0.247(11) mo | 0.42mo |
| Massa eficaz da densidade do mcd dos estados | 0.72mo | 0.77mo | 2.34mo |
| Massa eficaz da densidade dos estados em um vale da faixa de condução mc | 0.35mo | 0.37mo | 0.71mo |
| Massa eficaz da condutibilidade CCM | 0.32mo | 0.36mo | 0.57mo |
| Massa eficaz do salão da densidade do estado milivolt? | 0,6 mo | ~1,0 mo | ~1,0 mo |
| Constante da estrutura | a=4.3596 A | a = 3,0730 A | a = 3,0730 A |
| b = 10,053 | b = 10,053 |
FAQ
Pergunta: Eu estou procurando únicos cristais sic de 3C 2H 4H 6H e os polytypes 15R com o sentido crystallographic ao longo de 0001, espessura em torno de 330 micrômetros e diâmetro da bolacha entre 2 cm -6 cm, poderia você por favor enviar-me a informação sobre as dimensões e se você manda outros polytypes de sic também os incluir nas citações?
Resposta: 4H e 6H são comercializados sic, que nós podemos lhe oferecer compreendemos C (0001) em conformidade, para 2H ou 15R sic, nós não pode oferecer, porque não é valor comercial.
Sic referência do fabricante 4H e sic 6H: PAM-XIAMEN é o colaborador principal do mundo da tecnologia de circuito integrado da iluminação, ele oferece uma linha completa: De Sinlge do cristal bolacha sic e bolacha epitaxial e sic recuperação da bolacha
Diâmetro da bolacha
A distância linear através da superfície de uma fatia circular que contenha o centro da fatia e exclua todos os planos ou outras áreas fisuciárias periféricas. Os diâmetros padrão da bolacha de silicone são: 25.4mm (1"), 50.4mm (2"), 76.2mm (3"), 100mm (4"), 125mm (5"), 150mm (6"), 200mm (8"), e 300mm (12").
A dimensão linear através da superfície de uma bolacha. A medida é executada manualmente com os compassos de calibre digitais do ed do do certi do ANSI em cada bolacha individual.
Espessura da bolacha, ponto central
Fino (a espessura depende do diâmetro da bolacha, mas é tipicamente menos de 1mm), a fatia circular de material do semicondutor do único-cristal cortou do lingote de semicondutor do único cristal; usado na fabricação de dispositivos de semicondutor e de circuitos integrados; os diâmetros da bolacha podem variar de 5mm a 300mm.
Medido com as ferramentas do não-contato do ed do do certi do ANSI no centro de cada bolacha individual.