XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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tipo de 4H N sic, categoria do manequim, 6" tamanho
PAM-XIAMEN oferece bolachas do carboneto de silicone do semicondutor, 6H sic e 4H sic em categorias de qualidade diferentes para fabricantes do pesquisador e da indústria. Nós desenvolvemos a tecnologia do crescimento sic de cristal e a tecnologia de processamento da bolacha sic de cristal, estabelecidas uma linha de produção ao fabricante SiCsubstrate, que é aplicado em GaNepitaxydevice, em powerdevices, no dispositivo de alta temperatura e em dispositivos optoelectronic. Como uma empresa profissional investida pelos fabricantes principais dos campos de institutos materiais avançados e da alto-tecnologia da pesquisa e do estado e de laboratório do semicondutor de China, nós é devotada para melhorar continuamente atualmente a qualidade de carcaças e para desenvolver grandes carcaças do tamanho.
Mostra aqui a especificação de detalhe:
PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE
| Polytype | Único cristal 4H | Único cristal 6H |
| Parâmetros da estrutura | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| Empilhando a sequência | ABCB | ABCACB |
| Faixa-Gap | eV 3,26 | eV 3,03 |
| Densidade | 3,21 · 103 kg/m3 | 3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coeficiente da expansão | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice da refração | nenhuns = 2,719 | nenhuns = 2,707 |
| ne = 2,777 | ne = 2,755 | |
| Constante dielétrica | 9,6 | 9,66 |
| Condutibilidade térmica | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Campo bonde da divisão | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Velocidade de tração da saturação | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
| Mobilidade de elétron | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| mobilidade de furo | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Dureza de Mohs | ~9 | ~9 |
tipo de 4H N sic, categoria do manequim, 6" tamanho
| PROPRIEDADE DA CARCAÇA | S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 | |
| Descrição | Carcaça da categoria 4H do manequim sic | |
| Polytype | 4H | |
| Diâmetro | (50,8 ± 0,38) milímetro | |
| Espessura | (250 ± 25) μm do μm do μm (330 ± 25) (430 ± 25) | |
| Tipo do portador | n-tipo | |
| Entorpecente | Nitrogênio | |
| Resistividade (RT) | 0,012 – 0,0028 Ω·cm | |
| Aspereza de superfície | < 0,5 nanômetros (CMP da Si-cara Epi-pronto); <1 nanômetro (polimento ótico da cara do c) | |
| FWHM | arcsec <50 | |
| Densidade de Micropipe | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 | |
| Orientação de superfície | ||
| Na linha central | <0001>± 0.5° | |
| Fora da linha central | 4°or 8° para <11-20>± 0.5° | |
| Orientação lisa preliminar | ± 5° da paralela {1-100} | |
| Comprimento liso preliminar | ± 16,00 1,70) milímetro | |
| Orientação lisa secundária | Si-cara: 90° cw. do ± liso 5° da orientação | |
| C-cara: ccw de 90°. do ± liso 5° da orientação | ||
| Comprimento liso secundário | ± 8,00 1,70 milímetros | |
| Revestimento de superfície | Cara simples ou duplo lustrada | |
| Empacotamento | Única caixa da bolacha ou multi caixa da bolacha | |
| Área útil | ≥ 90% | |
| Exclusão da borda | 1 milímetro | |
Propriedades do único cristal sic
Aqui nós comparamos a propriedade do carboneto de silicone, incluir sextavado sic, CubicSiC, único cristal sic.
Propriedade do do carboneto de silicone (sic)
Comparação da propriedade do carboneto de silicone, incluir sextavado sic, cúbico sic, único cristal sic:
| Propriedade | Valor | Circunstâncias |
| Densidade | 3217 kg/m^3 | sextavado |
| Densidade | 3210 kg/m^3 | cúbico |
| Densidade | 3200 kg/m^3 | Único cristal |
| Dureza, Knoop (KH) | 2960 kg/mm/mm | 100g, cerâmico, preto |
| Dureza, Knoop (KH) | 2745 kg/mm/mm | 100g, cerâmico, verde |
| Dureza, Knoop (KH) | 2480 kg/mm/mm | Único cristal. |
| Módulo Young | 700 GPa | Único cristal. |
| Módulo Young | 410,47 GPa | Cerâmico, density=3120 kg/m/m/m, na temperatura ambiente |
| Módulo Young | 401,38 GPa | Cerâmico, density=3128 kg/m/m/m, na temperatura ambiente |
| Condutibilidade térmica | 350 W/m/K | Único cristal. |
| Força de rendimento | 21 GPa | Único cristal. |
| Capacidade de calor | 1,46 J/mol/K | Cerâmico, em temp=1550 C. |
| Capacidade de calor | 1,38 J/mol/K | Cerâmico, em temp=1350 C. |
| Capacidade de calor | 1,34 J/mol/K | Cerâmico, em temp=1200 C. |
| Capacidade de calor | 1,25 J/mol/K | Cerâmico, em temp=1000 C. |
| Capacidade de calor | 1,13 J/mol/K | Cerâmico, em temp=700 C. |
| Capacidade de calor | 1,09 J/mol/K | Cerâmico, em temp=540 C. |
| Resistividade elétrica | 1. 1e+10 Ω*m | Cerâmico, em temp=20 C |
| Força compressiva | 0,5655. 1,3793 GPa | Cerâmico, em temp=25 C |
| Módulo da ruptura | 0,2897 GPa | Cerâmico, com 1 WT % B aditivo |
| Módulo da ruptura | 0,1862 GPa | Ceramifc, na temperatura ambiente |
| A relação de Poisson | 0,183. 0,192 | Cerâmico, na temperatura ambiente, density=3128 kg/m/m/m |
| Módulo da ruptura | 0,1724 GPa | Cerâmico, em temp=1300 C |
| Módulo da ruptura | 0,1034 GPa | Cerâmico, em temp=1800 C |
| Módulo da ruptura | 0,07586 GPa | Cerâmico, em temp=1400 C |
| Resistência à tração | 0,03448. 0,1379 GPa | Cerâmico, em temp=25 C |
*Reference: Manual da ciência e da engenharia de materiais do centro de detecção e de controlo
Comparação da propriedade do único cristal sic, do 6H e do 4H:
| Propriedade | Único cristal 4H | Único cristal 6H |
| Parâmetros da estrutura | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| Empilhando a sequência | ABCB | ABCACB |
| Faixa-Gap | eV 3,26 | eV 3,03 |
| Densidade | 3,21 · 103 kg/m3 | 3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coeficiente da expansão | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice da refração | nenhuns = 2,719 | nenhuns = 2,707 |
| ne = 2,777 | ne = 2,755 | |
| Constante dielétrica | 9,6 | 9,66 |
| Condutibilidade térmica | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Campo bonde da divisão | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Velocidade de tração da saturação | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
| Mobilidade de elétron | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| mobilidade de furo | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Dureza de Mohs | ~9 | ~9 |
*Reference: Material avançado Co. de Xiamen Powerway, Ltd.
Comparação da propriedade de 3C-SiC, de 4H-SiC e de 6H-SiC:
| SIC Polytype | 3C-SiC | 4H-SiC | 6H-SiC |
| Estrutura de cristal | Blenda de zinco (cúbica) | Wurtzite (sextavado) | Wurtzite (sextavado) |
| Grupo de simetria | T2d-F43m | C46v-P63mc | C46v-P63mc |
| Módulo de maioria | cm2 de 2,5 x 1012 dyn | cm2 de 2,2 x 1012 dyn | cm2 de 2,2 x 1012 dyn |
| Coeficiente linear da expansão térmica | 2,77 (42) x 10-6 K-1 | ||
| Temperatura de Debye | K 1200 | K 1300 | K 1200 |
| Ponto de derretimento | 3103 (40) K | 3103 ± 40 K | 3103 ± 40 K |
| Densidade | 3,166 g cm-3 | 3,21 g cm-3 | 3,211 g cm-3 |
| Dureza | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 |
| Microhardness de superfície | 2900-3100 quilogramas mm-2 | 2900-3100 quilogramas mm-2 | 2900-3100 quilogramas mm-2 |
| Constante dielétrica (estática) | ε0 ~= 9,72 | O valor da constante 6H-SiC dielétrica é usado geralmente | ε0, ~= 9,66 do ort |
| R.I. infravermelho | ~=2.55 | ~=2.55 (linha central de c) | ~=2.55 (linha central de c) |
| R.I. n (λ) | ~= 2,55378 + 3,417 x 104 de n (λ)·λ-2 | (λ) ~= n0 2,5610 + 3,4 x 104·λ-2 | (λ) ~= n0 2,55531 + 3,34 x 104·λ-2 |
| ~= 2,6041 + 3,75 x 104 do ne (λ)·λ-2 | ~= 2,5852 + 3,68 x 104 do ne (λ)·λ-2 | ||
| Coeficiente Radiative da recombinação | 1,5 x 10-12 cm3/s | 1,5 x 10-12 cm3/s | |
| Energia ótica do fotão | meV 102,8 | meV 104,2 | meV 104,2 |
| Massa de elétron eficaz ml (longitudinal) | 0.68mo | 0.677(15) mo | 0.29mo |
| Massa de elétron eficaz mt (transversal) | 0.25mo | 0.247(11) mo | 0.42mo |
| Massa eficaz da densidade do mcd dos estados | 0.72mo | 0.77mo | 2.34mo |
| Massa eficaz da densidade dos estados em um vale da faixa de condução mc | 0.35mo | 0.37mo | 0.71mo |
| Massa eficaz da condutibilidade CCM | 0.32mo | 0.36mo | 0.57mo |
| Massa eficaz do salão da densidade do estado milivolt? | 0,6 mo | ~1,0 mo | ~1,0 mo |
| Constante da estrutura | a=4.3596 A | a = 3,0730 A | a = 3,0730 A |
| b = 10,053 | b = 10,053 |
* referência: IOFFE
Sic referência do fabricante 4H e sic 6H: PAM-XIAMEN é o colaborador principal do mundo da tecnologia de circuito integrado da iluminação, ele oferece uma linha completa: De Sinlge do cristal bolacha sic e bolacha epitaxial e sic recuperação da bolacha
Retificadores sic de alta potência
O retificador de diodo de alta potência é um bloco de apartamentos crítico de circuitos da conversão de poder. As revisões recentes de resultados experimentais do retificador são dadas sic nas referências 3, 134, 172, 180, e 181. A maioria de comércio-offs conhecido do retificador de silicone sic da paralela importante do comércio-offs do projeto do dispositivo do retificador de diodo aproximadamente, à exceção do fato de que as densidades atuais, as tensões, as densidades de poder, e as velocidades de interruptor são muito mais altas dentro sic. Por exemplo, os retificadores de diodo de Schottky do semicondutor são os dispositivos do portador de maioria que são conhecidos exibir o interruptor muito rápido devido à ausência de armazenamento da carga de portador da minoria que domina (isto é, retarda, adversamente tendo por resultado poder e calor waste indesejados) o funcionamento de interruptor de retificadores de junção bipolares do pn. Contudo, o campo alto da divisão e o funcionamento largo da licença do bandgap da energia sic de diodos de Schottky do metal-semicondutor em umas tensões muito mais altas (acima de 1 quilovolt) do que é práticos com os diodos siliconbased de Schottky que são limitados à operação abaixo de ~200 V devido ao escapamento thermionic de uma reverso-polarização muito mais alta.