XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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Semi-isolando, a bolacha do GaAs com baixa densidade do defeito, 3", apronta a categoria
PAM-XIAMEN desenvolve e fabrica o cristal e a bolacha do arsenieto do carcaça-gálio do semicondutor composto. Nós usamos tecnologia avançada do crescimento de cristal, o gelo vertical do inclinação (VGF) e da bolacha do GaAs tecnologia de processamento, estabelecemos uma linha de produção do crescimento de cristal, corte, moendo ao processamento de lustro e construímos um quarto desinfetado de 100 classes para a limpeza e o empacotamento da bolacha. Nossa bolacha do GaAs inclui o lingote/bolachas de 2~6 polegadas para o diodo emissor de luz, o LD e as aplicações da microeletrônica. Nós somos dedicados sempre para melhorar atualmente a qualidade de substates e para desenvolver grandes carcaças do tamanho.
Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs), Semi-isolando para aplicações da microeletrônica
| Artigo | Especificações | Observações |
| Tipo da condução | Isolamento | |
| Método do crescimento | VGF | |
| Entorpecente | Undoped | |
| Bolacha Diamter | 3, polegada | Lingote disponível |
| Orientação de cristal | (100) +/- 0.5° | |
| DE | EJ, E.U. ou entalhe | |
| Concentração de portador | n/a | |
| Resistividade no RT | >1E7 Ohm.cm | |
| Mobilidade | >5000 cm2/V.sec | |
| Densidade do poço gravura em àgua forte | <8000> | |
| Marcação do laser | mediante solicitação | |
| Revestimento de superfície | P/P | |
| Espessura | 350~675um | |
| Epitaxia pronta | Sim | |
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |
Propriedades do cristal do GaAs
| Propriedades | GaAs |
| Atoms/cm3 | 4,42 x 1022 |
| Peso atômico | 144,63 |
| Campo da divisão | aproximadamente 4 x 105 |
| Estrutura de cristal | Zincblende |
| Densidade (g/cm3) | 5,32 |
| Constante dielétrica | 13,1 |
| Densidade eficaz dos estados na faixa de condução, Nc (cm-3) | 4,7 x 1017 |
| Densidade eficaz dos estados na faixa do Valence, nanovolt (cm-3) | 7,0 x 1018 |
| Afinidade de elétron (v) | 4,07 |
| Energia Gap em 300K (eV) | 1,424 |
| Concentração de portador intrínseco (cm-3) | 1,79 x 106 |
| Comprimento de Debye intrínseco (mícrons) | 2250 |
| Resistividade intrínseca (ohm-cm) | 108 |
| Constante da estrutura (ångströms) | 5,6533 |
| Coeficiente linear da expansão térmica, | 6,86 x 10-6 |
| ΔL/L/ΔT (1 DEG C) | |
| Ponto de derretimento (DEG C) | 1238 |
| Vida do portador de minoria (s) | aproximadamente 10-8 |
| Mobilidade (tração) | 8500 |
| (cm2 de /V-s) | |
| µn, elétrons | |
| Mobilidade (tração) | 400 |
| (cm2 de /V-s) | |
| µp, furos | |
| Energia ótica (eV) do fonão | 0,035 |
| Trajeto livre médio do fonão (ångströms) | 58 |
| Calor específico | 0,35 |
| (J/g-deg C) | |
| Condutibilidade térmica em 300 K | 0,46 |
| (W/cm-degC) | |
| Diffusivity térmico (cm2/segundo) | 0,24 |
| Pressão de vapor (Pa) | 100 em 1050 DEG C; |
| 1 em 900 DEG C |
| Comprimento de onda | Índice |
| (µm) | |
| 2,6 | 3,3239 |
| 2,8 | 3,3204 |
| 3 | 3,3169 |
| 3,2 | 3,3149 |
| 3,4 | 3,3129 |
| 3,6 | 3,3109 |
| 3,8 | 3,3089 |
| 4 | 3,3069 |
| 4,2 | 3,3057 |
| 4,4 | 3,3045 |
| 4,6 | 3,3034 |
| 4,8 | 3,3022 |
| 5 | 3,301 |
| 5,2 | 3,3001 |
| 5,4 | 3,2991 |
| 5,6 | 3,2982 |
| 5,8 | 3,2972 |
| 6 | 3,2963 |
| 6,2 | 3,2955 |
| 6,4 | 3,2947 |
| 6,6 | 3,2939 |
| 6,8 | 3,2931 |
| 7 | 3,2923 |
| 7,2 | 3,2914 |
| 7,4 | 3,2905 |
| 7,6 | 3,2896 |
| 7,8 | 3,2887 |
| 8 | 3,2878 |
| 8,2 | 3,2868 |
| 8,4 | 3,2859 |
| 8,6 | 3,2849 |
| 8,8 | 3,284 |
| 9 | 3,283 |
| 9,2 | 3,2818 |
| 9,4 | 3,2806 |
| 9,6 | 3,2794 |
| 9,8 | 3,2782 |
| 10 | 3,277 |
| 10,2 | 3,2761 |
| 10,4 | 3,2752 |
| 10,6 | 3,2743 |
| 10,8 | 3,2734 |
| 11 | 3,2725 |
| 11,2 | 3,2713 |
| 11,4 | 3,2701 |
| 11,6 | 3,269 |
| 11,8 | 3,2678 |
| 12 | 3,2666 |
| 12,2 | 3,2651 |
| 12,4 | 3,2635 |
| 12,6 | 3,262 |
| 12,8 | 3,2604 |
| 13 | 3,2589 |
| 13,2 | 3,2573 |
| 13,4 | 3,2557 |
| 13,6 | 3,2541 |
Que é uma bolacha do teste do GaAs?
A maioria de bolachas do teste do GaAs são as bolachas que caíram fora das especificações principais. As bolachas do teste podem ser usadas para correr as maratonas, equipamento de teste e para a parte alta R & D. São frequentemente uma alternativa eficaz na redução de custos para aprontar bolachas.
Que é os parâmetros básicos 300 no K da bolacha do GaAs?
| Estrutura de cristal | Blenda de zinco |
| Grupo de simetria | Td2-F43m |
| Número de átomos em 1 cm3 | 4,42·1022 |
| comprimento de onda do elétron de Broglie | 240 A |
| Temperatura de Debye | 360 K |
| Densidade | 5,32 g cm-3 |
| Constante dielétrica (estática) | 12,9 |
| Constante dielétrica (alta frequência) | 10,89 |
| Massa de elétron eficaz mim | 0.063mo |
| O furo eficaz reune o mh | 0.51mo |
| O furo eficaz reune o mlp | 0.082mo |
| Afinidade de elétron | eV 4,07 |
| Constante da estrutura | 5,65325 A |
| Energia ótica do fonão | 0,035 eV |
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