XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
Semi-isolando, carcaça do GaAs, 2", categoria mecânica
PAM-XIAMEN desenvolve e fabrica o cristal e a bolacha do arsenieto do carcaça-gálio do semicondutor composto. Nós usamos tecnologia avançada do crescimento de cristal, o gelo vertical do inclinação (VGF) e a tecnologia de processamento da bolacha do arsenieto de gálio (GaAs). As propriedades elétricas exigidas são obtidas adicionando entorpecentes tais como o silicone ou o zinco. O resultado é n-tipo ou p-tipo alto-resistência (>10^7 ohm.cm) ou semicondutores da baixo-resistência (<10 - 2 ohm.cm). As superfícies da bolacha estão geralmente epi-prontas (extremamente - baixa contaminação) isto é sua qualidade são apropriadas para o uso direto em processos epitaxial.
Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs), Semi-isolando para aplicações da microeletrônica
| Artigo | Especificações | Observações |
| Tipo da condução | Isolamento | |
| Método do crescimento | VGF | |
| Entorpecente | Undoped | |
| Bolacha Diamter | 2, polegada | Lingote disponível |
| Orientação de cristal | (100) +/- 0.5° | |
| DE | EJ, E.U. ou entalhe | |
| Concentração de portador | n/a | |
| Resistividade no RT | >1E7 Ohm.cm | |
| Mobilidade | >5000 cm2/V.sec | |
| Densidade do poço gravura em àgua forte | <8000 /cm2 | |
| Marcação do laser | mediante solicitação | |
| Revestimento de superfície | P/P | |
| Espessura | 350~675um | |
| Epitaxia pronta | Sim | |
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |
Propriedades do cristal do GaAs
| Propriedades | GaAs |
| Atoms/cm3 | 4,42 x 1022 |
| Peso atômico | 144,63 |
| Campo da divisão | aproximadamente 4 x 105 |
| Estrutura de cristal | Zincblende |
| Densidade (g/cm3) | 5,32 |
| Constante dielétrica | 13,1 |
| Densidade eficaz dos estados na faixa de condução, Nc (cm-3) | 4,7 x 1017 |
| Densidade eficaz dos estados na faixa do Valence, nanovolt (cm-3) | 7,0 x 1018 |
| Afinidade de elétron (v) | 4,07 |
| Energia Gap em 300K (eV) | 1,424 |
| Concentração de portador intrínseco (cm-3) | 1,79 x 106 |
| Comprimento de Debye intrínseco (mícrons) | 2250 |
| Resistividade intrínseca (ohm-cm) | 108 |
| Constante da estrutura (ångströms) | 5,6533 |
| Coeficiente linear da expansão térmica, | 6,86 x 10-6 |
| ΔL/L/ΔT (1 DEG C) | |
| Ponto de derretimento (DEG C) | 1238 |
| Vida do portador de minoria (s) | aproximadamente 10-8 |
| Mobilidade (tração) | 8500 |
| (cm2 de /V-s) | |
| µn, elétrons | |
| Mobilidade (tração) | 400 |
| (cm2 de /V-s) | |
| µp, furos | |
| Energia ótica (eV) do fonão | 0,035 |
| Trajeto livre médio do fonão (ångströms) | 58 |
| Calor específico | 0,35 |
| (J/g-deg C) | |
| Condutibilidade térmica em 300 K | 0,46 |
| (W/cm-degC) | |
| Diffusivity térmico (cm2/segundo) | 0,24 |
| Pressão de vapor (Pa) | 100 em 1050 DEG C; |
| 1 em 900 DEG C |
| Comprimento de onda | Índice |
| (µm) | |
| 2,6 | 3,3239 |
| 2,8 | 3,3204 |
| 3 | 3,3169 |
| 3,2 | 3,3149 |
| 3,4 | 3,3129 |
| 3,6 | 3,3109 |
| 3,8 | 3,3089 |
| 4 | 3,3069 |
| 4,2 | 3,3057 |
| 4,4 | 3,3045 |
| 4,6 | 3,3034 |
| 4,8 | 3,3022 |
| 5 | 3,301 |
| 5,2 | 3,3001 |
| 5,4 | 3,2991 |
| 5,6 | 3,2982 |
| 5,8 | 3,2972 |
| 6 | 3,2963 |
| 6,2 | 3,2955 |
| 6,4 | 3,2947 |
| 6,6 | 3,2939 |
| 6,8 | 3,2931 |
| 7 | 3,2923 |
| 7,2 | 3,2914 |
| 7,4 | 3,2905 |
| 7,6 | 3,2896 |
| 7,8 | 3,2887 |
| 8 | 3,2878 |
| 8,2 | 3,2868 |
| 8,4 | 3,2859 |
| 8,6 | 3,2849 |
| 8,8 | 3,284 |
| 9 | 3,283 |
| 9,2 | 3,2818 |
| 9,4 | 3,2806 |
| 9,6 | 3,2794 |
| 9,8 | 3,2782 |
| 10 | 3,277 |
| 10,2 | 3,2761 |
| 10,4 | 3,2752 |
| 10,6 | 3,2743 |
| 10,8 | 3,2734 |
| 11 | 3,2725 |
| 11,2 | 3,2713 |
| 11,4 | 3,2701 |
| 11,6 | 3,269 |
| 11,8 | 3,2678 |
| 12 | 3,2666 |
| 12,2 | 3,2651 |
| 12,4 | 3,2635 |
| 12,6 | 3,262 |
| 12,8 | 3,2604 |
| 13 | 3,2589 |
| 13,2 | 3,2573 |
| 13,4 | 3,2557 |
| 13,6 | 3,2541 |
Que é bolacha do GaAs?
O arsenieto de gálio (GaAs) é um composto dos elementos gálio e arsênico. É um semicondutor direto da diferença de faixa de III-V com uma estrutura de cristal de blenda de zinco.
A bolacha do GaAs é um material importante do semiconducor. Pertence para agrupar o semicondutor de composto de III-V. É um tipo estrutura do sphalerite de estrutura com uma constante da estrutura de 5.65x 10-10m, um ponto de derretimento do ℃ 1237 e uma diferença de faixa de 1,4 EV. O arsenieto de gálio pode ser feito semi em isolar materiais altos da resistência com resistividade mais altamente do que o silicone e o germânio por mais de três ordens de grandeza, que podem ser usados para fazer a carcaça do circuito integrado, o detector infravermelho, o detector do fotão do γ, etc. Porque sua mobilidade de elétron é 5-6 cronometra maior do que isso do silicone, foi amplamente utilizada em dispositivos da micro-ondas e em circuitos digitais de alta velocidade. O dispositivo de semicondutor feito do GaAs tem as vantagens da resistência da alta frequência, a de alta temperatura e a baixa de temperatura, de baixo nível de ruído e forte de radiação. Além, pode igualmente ser usado para fazer dispositivos do efeito de maioria.
| Módulo de maioria | 7,53·cm2 de 1011 dyn |
| Ponto de derretimento | °C 1240 |
| Calor específico | 0,33 J g-1°C -1 |
| Condutibilidade térmica | 0,55 °C -1 de W cm-1 |
| Diffusivity térmico | 0.31cm2s-1 |
| Expansão térmica, linear | 5,73·10-6 °C -1 |
 | Dependência da temperatura da condutibilidade térmica n-tipo amostra, nenhuma (cm-3): 1. 1016; 2. 1,4·1016; 3. 1018; p-tipo amostra, po (cm-3): 4. 3·1018; 5. 1,2·1019. |
| Dependência da temperatura da condutibilidade térmica (para a alta temperatura) n-tipo amostra, nenhuma (cm-3): 1. 7·1015; 2. 5·1016; 3. 4·1017; 4. 8·1018; p-tipo amostra, po (cm-3): 5. 6·1019. |
| Dependência da temperatura do calor específico na pressão constante Ccl= 3kbN = 0,345 J g-1°C -1. N é o número de átomos em 1 og GaAs de g. Linha tracejada: Cp= (4π2Ccl/5θo3)·T3 para o θo= 345 K. |
| Dependência da temperatura do α linear do coeficiente da expansão |
| Ponto de derretimento | Tm=1513 K |
| Para 0 < P < 45 kbar | Tm= 1513 - 3.5P (P em kbar) |
| Pressão de vapor saturado | (nos Pascal) |
| K 1173 | 1 |
| K 1323 | 100 |
Você está procurando a carcaça do GaAs?
PAM-XIAMEN é orgulhoso oferecer a carcaça do fosforeto de índio para todos os tipos diferentes dos projetos. Se você está procurando bolachas do GaAs, envie-nos o inquérito hoje para aprender mais sobre como nós podemos trabalhar com você para lhe obter as bolachas que do GaAs você precisa para seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!