XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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N datilografa, a bolacha Semiconducting do arsenieto de gálio, 6", categoria do teste
PAM-XIAMEN desenvolve e fabrica o cristal e a bolacha do arsenieto do carcaça-gálio do semicondutor composto. Nós usamos tecnologia avançada do crescimento de cristal, o gelo vertical do inclinação (VGF) e da bolacha do GaAs tecnologia de processamento, estabelecemos uma linha de produção do crescimento de cristal, corte, moendo ao processamento de lustro e construímos um quarto desinfetado de 100 classes para a limpeza e o empacotamento da bolacha. Nossa bolacha do GaAs inclui o lingote/bolachas de 2~6 polegadas para o diodo emissor de luz, o LD e as aplicações da microeletrônica. Nós somos dedicados sempre para melhorar atualmente a qualidade de substates e para desenvolver grandes carcaças do tamanho.
Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do diodo emissor de luz
| Artigo | Especificações | |
| Tipo da condução | SC/n-type | |
| Método do crescimento | VGF | |
| Entorpecente | Silicone | |
| Bolacha Diamter | 6, polegada | |
| Orientação de cristal | (100) 100 fora de (110) | |
| DE | EJ ou E.U. | |
| Concentração de portador |
(0.4~2.5) E18/cm3
|
|
| Resistividade no RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Mobilidade |
1500~3000cm2/V.sec
|
|
| Densidade do poço gravura em àgua forte | <5000> | |
| Marcação do laser |
mediante solicitação
|
|
| Revestimento de superfície |
P/E ou P/P
|
|
| Espessura |
220~650um
|
|
| Epitaxia pronta | Sim | |
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |
Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do LD
| Artigo | Especificações | Observações |
| Tipo da condução | SC/n-type | |
| Método do crescimento | VGF | |
| Entorpecente | Silicone | |
| Bolacha Diamter | 6, polegada | Lingote ou como-corte disponível |
| Orientação de cristal | (100) 100 fora de (110) | O outro misorientation disponível |
| DE | EJ ou E.U. | |
| Concentração de portador | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
| Resistividade no RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Mobilidade | 1500~3000 cm2/V.sec | |
| Densidade do poço gravura em àgua forte | <500> | |
| Marcação do laser | mediante solicitação | |
| Revestimento de superfície | P/E ou P/P | |
| Espessura | 220~650um | |
| Epitaxia pronta | Sim | |
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |
Propriedades do cristal do GaAs
| Propriedades | GaAs |
| Atoms/cm3 | 4,42 x 1022 |
| Peso atômico | 144,63 |
| Campo da divisão | aproximadamente 4 x 105 |
| Estrutura de cristal | Zincblende |
| Densidade (g/cm3) | 5,32 |
| Constante dielétrica | 13,1 |
| Densidade eficaz dos estados na faixa de condução, Nc (cm-3) | 4,7 x 1017 |
| Densidade eficaz dos estados na faixa do Valence, nanovolt (cm-3) | 7,0 x 1018 |
| Afinidade de elétron (v) | 4,07 |
| Energia Gap em 300K (eV) | 1,424 |
| Concentração de portador intrínseco (cm-3) | 1,79 x 106 |
| Comprimento de Debye intrínseco (mícrons) | 2250 |
| Resistividade intrínseca (ohm-cm) | 108 |
| Constante da estrutura (ångströms) | 5,6533 |
| Coeficiente linear da expansão térmica, | 6,86 x 10-6 |
| ΔL/L/ΔT (1 DEG C) | |
| Ponto de derretimento (DEG C) | 1238 |
| Vida do portador de minoria (s) | aproximadamente 10-8 |
| Mobilidade (tração) | 8500 |
| (cm2 de /V-s) | |
| µn, elétrons | |
| Mobilidade (tração) | 400 |
| (cm2 de /V-s) | |
| µp, furos | |
| Energia ótica (eV) do fonão | 0,035 |
| Trajeto livre médio do fonão (ångströms) | 58 |
| Calor específico | 0,35 |
| (J/g-deg C) | |
| Condutibilidade térmica em 300 K | 0,46 |
| (W/cm-degC) | |
| Diffusivity térmico (cm2/segundo) | 0,24 |
| Pressão de vapor (Pa) | 100 em 1050 DEG C; |
| 1 em 900 DEG C |
| Comprimento de onda | Índice |
| (µm) | |
| 2,6 | 3,3239 |
| 2,8 | 3,3204 |
| 3 | 3,3169 |
| 3,2 | 3,3149 |
| 3,4 | 3,3129 |
| 3,6 | 3,3109 |
| 3,8 | 3,3089 |
| 4 | 3,3069 |
| 4,2 | 3,3057 |
| 4,4 | 3,3045 |
| 4,6 | 3,3034 |
| 4,8 | 3,3022 |
| 5 | 3,301 |
| 5,2 | 3,3001 |
| 5,4 | 3,2991 |
| 5,6 | 3,2982 |
| 5,8 | 3,2972 |
| 6 | 3,2963 |
| 6,2 | 3,2955 |
| 6,4 | 3,2947 |
| 6,6 | 3,2939 |
| 6,8 | 3,2931 |
| 7 | 3,2923 |
| 7,2 | 3,2914 |
| 7,4 | 3,2905 |
| 7,6 | 3,2896 |
| 7,8 | 3,2887 |
| 8 | 3,2878 |
| 8,2 | 3,2868 |
| 8,4 | 3,2859 |
| 8,6 | 3,2849 |
| 8,8 | 3,284 |
| 9 | 3,283 |
| 9,2 | 3,2818 |
| 9,4 | 3,2806 |
| 9,6 | 3,2794 |
| 9,8 | 3,2782 |
| 10 | 3,277 |
| 10,2 | 3,2761 |
| 10,4 | 3,2752 |
| 10,6 | 3,2743 |
| 10,8 | 3,2734 |
| 11 | 3,2725 |
| 11,2 | 3,2713 |
| 11,4 | 3,2701 |
| 11,6 | 3,269 |
| 11,8 | 3,2678 |
| 12 | 3,2666 |
| 12,2 | 3,2651 |
| 12,4 | 3,2635 |
| 12,6 | 3,262 |
| 12,8 | 3,2604 |
| 13 | 3,2589 |
| 13,2 | 3,2573 |
| 13,4 | 3,2557 |
| 13,6 | 3,2541 |
Que é uma bolacha do teste do GaAs?
A maioria de bolachas do teste do GaAs são as bolachas que caíram fora das especificações principais. As bolachas do teste podem ser usadas para correr as maratonas, equipamento de teste e para a parte alta R & D. São frequentemente uma alternativa eficaz na redução de custos para aprontar bolachas.
| Campo da divisão | ≈4·105 V/cm |
| Elétrons da mobilidade | cm2 de ≤8500 V-1s-1 |
| Furos da mobilidade | cm2 de ≤400 V-1s-1 |
| Elétrons do coeficiente de difusão | ≤200 cm2/s |
| Furos do coeficiente de difusão | ≤10 cm2/s |
| Velocidade do thermal do elétron | 4,4·105 m/s |
| Velocidade do thermal do furo | 1,8·105m/s |
| A mobilidade de salão do elétron contra a temperatura para a lubrificação diferente nivela. 1. Curva inferior: Nd=5·1015cm-3; 2. curva do meio: Nd=1015cm-3; 3. Curva superior: Nd=5·1015cm-3 Para o GaAs fracamente lubrificado na temperatura perto de 300 K, mobilidade de salão do elétron µH=9400 (300/T) cm2 de V-1 s-1 |
| Mobilidade de salão do elétron contra a temperatura para níveis e graus de lubrificação diferentes de compensação (altas temperaturas): Abra círculos: Nd=4Na=1.2·1017 cm-3; Quadrados abertos: Nd=4Na=1016 cm-3; Abra triângulos: Nd=3Na=2·1015 cm-3; A curva contínua representa o cálculo para o GaAs puro Para o GaAs fracamente lubrificado na temperatura perto de 300 K, mobilidade de tração do elétron µn=8000 (300/T) 2/3 de cm2 de V-1 s-1 |
| Mobilidade da tração e de salão contra a concentração do elétron para graus diferentes de compensação T= 77 K |
| Mobilidade da tração e de salão contra a concentração do elétron para graus diferentes de compensação T= 300 K |
. µn =ΜOH/(1+Nd·10-17) 1/2, onde ΜOH≈9400 (cm2 de V-1 s-1), Nd em cm-3
.
| Dependência da temperatura do fator de Salão para o n-tipo puro GaAs em um campo magnético fraco |
| Dependência da temperatura da mobilidade de salão para três amostras da alto-pureza |
(cm2V-1s-1), (p - em cm-3)
Para o GaAs fracamente lubrificado na temperatura perto de 300 K, mobilidade de salão
µpH=400 (300/T) 2,3 (cm2 de V-1 s-1).
| A mobilidade de salão do furo contra a densidade do furo. |
rH=1.25.
| Dependências do campo da velocidade de tração do elétron. A curva contínua foi calculada perto As curvas precipitadas e pontilhadas são os dados medidos, 300 K |
| Coloque dependências da velocidade de tração do elétron para os campos bondes altos, 300 K. |
| Coloque dependências da velocidade de tração do elétron em temperaturas diferentes. |
| Fração dos elétrons em vales de L e de X. NL e nX em função do campo bonde F em 77, em 160, e em 300 K, Nd=0 Curva pontilhada - L vales, curva tracejada - vales de X. |
| Energia média E em vales de Γ, de L, e de X em função do campo bonde F em 77, em 160, e em 300 K, Nd=0 Curva contínua - vales de Γ, curva pontilhada - L vales, curva precipitada - vales de X. |
| Dependências da frequência da mobilidade do diferencial do elétron. o µd é parte real da mobilidade diferencial; peça imaginária dos µd*is da mobilidade diferencial. F= 5,5 quilovolts de cm-1 |
| A dependência do campo do coeficiente de difusão longitudinal D do elétron||F. As curvas 1 e 2 do sólido são cálculos teóricos. As curvas tracejadas 3, 4, e 5 são dados experimentais. Curva 1 - de Curva 2 - de Curva 3 - de Curva 4 - de Curva 5 - |
| Coloque dependências da velocidade de tração do furo em temperaturas diferentes. |
| Dependência da temperatura da velocidade do furo da saturação em campos bondes altos |
| A dependência do campo do coeficiente de difusão do furo. |
Há duas escolas de pensamento em relação à ionização de impacto no GaAs.
Primeiro indica que o αi e o βi das taxas da ionização de impacto para elétrons e furos no GaAs estão sabidos exatamente bastante para distinguir tais detalhes suteis tais como o anisothropy do αi e do βi para sentidos crystallographic diferentes. Esta aproximação é descrita em detalhe no trabalho por Dmitriev e outros [1987].
| Αi e βi experimentais das curvas contra 1/F para o GaAs. |
| Αi e βi experimentais das curvas contra 1/F para o GaAs. |
| Αi e βi experimentais das curvas contra 1/F para o GaAs. |
Os segundos focos da escola nos valores do αi e no βi para o mesmo campo bonde relatado por diferente pesquisam diferem por um ordem de grandeza ou mais. Este ponto de vista é explicado por Kyuregyan e por Yurkov [1989]. De acordo com esta aproximação nós podemos supor esses αi = βi. A fórmula aproximada para a dependência do campo da ionização avalia:
αi = β mim =αoexp [δ - (δ2 + (F0/F) 2) 1/2]
onde αo = 0,245·106 cm-1; β = 57,6 FO = 6,65·106 V cm-1 (Kyuregyan e Yurkov [1989]).
| Tensão de divisão e campo da divisão contra a lubrificação da densidade para uma junção abrupta do p-n. |
| N-tipo puro material (nenhum ~ 1014cm-3) | |
| A vida a mais longa dos furos | τp ~3·10-6 s |
| Comprimento de difusão Lp = (Dp·τp) 1/2 | Μm do Lp ~30-50. |
| P-tipo puro material | |
| (a) baixo nível da injeção | |
| A vida a mais longa dos elétrons | τn ~ 5·10-9 s |
| Comprimento de difusão Ln = (Dn·τ n) 1/2 | Μm de Ln ~10 |
| (b) nível alto da injeção (armadilhas enchidas) | |
| A vida a mais longa dos elétrons | τ ~2,5·10-7 s |
| Comprimento de difusão Ln | Ln ~ µm 70 |
| Velocidade de recombinação de superfície contra a lubrificação da densidade Os pontos experimentais diferentes correspondem aos métodos de tratamento de superfície diferentes. |
| 90 K | 1,8·10-8cm3/s |
| 185 K | 1,9·10-9cm3/s |
| 300 K | 7,2·10-10cm3/s |
| 300 K | ~10-30cm6/s |
| 500 K | ~10-29cm6/s |
Você está procurando a carcaça do GaAs?
PAM-XIAMEN é orgulhoso oferecer a carcaça do fosforeto de índio para todos os tipos diferentes dos projetos. Se você está procurando bolachas do GaAs, envie-nos o inquérito hoje para aprender mais sobre como nós podemos trabalhar com você para lhe obter as bolachas que do GaAs você precisa para seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!