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N datilografa, a bolacha do arsenieto de gálio, 6", categoria principal
PAM-XIAMEN desenvolve e fabrica o cristal e a bolacha do arsenieto do carcaça-gálio do semicondutor composto. Nós usamos tecnologia avançada do crescimento de cristal, o gelo vertical do inclinação (VGF) e a tecnologia de processamento da bolacha do arsenieto de gálio (GaAs). As propriedades elétricas exigidas são obtidas adicionando entorpecentes tais como o silicone ou o zinco. O resultado é n-tipo ou p-tipo alto-resistência (>10^7 ohm.cm) ou semicondutores da baixo-resistência (<10 - 2 ohm.cm). As superfícies da bolacha estão geralmente epi-prontas (extremamente - baixa contaminação) isto é sua qualidade são apropriadas para o uso direto em processos epitaxial.
Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do diodo emissor de luz
| Artigo | Especificações | |
| Tipo da condução | SC/n-type | |
| Método do crescimento | VGF | |
| Entorpecente | Silicone | |
| Bolacha Diamter | 6, polegada | |
| Orientação de cristal | (100) 100 fora de (110) | |
| DE | EJ ou E.U. | |
| Concentração de portador | (0.4~2.5) E18/cm3
| |
| Resistividade no RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Mobilidade | 1500~3000cm2/V.sec
| |
| Densidade do poço gravura em àgua forte | <5000/cm2 | |
| Marcação do laser | mediante solicitação
| |
| Revestimento de superfície | P/E ou P/P
| |
| Espessura | 220~650um
| |
| Epitaxia pronta | Sim | |
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |
Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do LD
| Artigo | Especificações | Observações |
| Tipo da condução | SC/n-type | |
| Método do crescimento | VGF | |
| Entorpecente | Silicone | |
| Bolacha Diamter | 6, polegada | Lingote ou como-corte disponível |
| Orientação de cristal | (100) 100 fora de (110) | O outro misorientation disponível |
| DE | EJ ou E.U. | |
| Concentração de portador | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
| Resistividade no RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Mobilidade | 1500~3000 cm2/V.sec | |
| Densidade do poço gravura em àgua forte | <500/cm2 | |
| Marcação do laser | mediante solicitação | |
| Revestimento de superfície | P/E ou P/P | |
| Espessura | 220~650um | |
| Epitaxia pronta | Sim | |
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |
Propriedades do cristal do GaAs
| Propriedades | GaAs |
| Atoms/cm3 | 4,42 x 1022 |
| Peso atômico | 144,63 |
| Campo da divisão | aproximadamente 4 x 105 |
| Estrutura de cristal | Zincblende |
| Densidade (g/cm3) | 5,32 |
| Constante dielétrica | 13,1 |
| Densidade eficaz dos estados na faixa de condução, Nc (cm-3) | 4,7 x 1017 |
| Densidade eficaz dos estados na faixa do Valence, nanovolt (cm-3) | 7,0 x 1018 |
| Afinidade de elétron (v) | 4,07 |
| Energia Gap em 300K (eV) | 1,424 |
| Concentração de portador intrínseco (cm-3) | 1,79 x 106 |
| Comprimento de Debye intrínseco (mícrons) | 2250 |
| Resistividade intrínseca (ohm-cm) | 108 |
| Constante da estrutura (ångströms) | 5,6533 |
| Coeficiente linear da expansão térmica, | 6,86 x 10-6 |
| ΔL/L/ΔT (1 DEG C) | |
| Ponto de derretimento (DEG C) | 1238 |
| Vida do portador de minoria (s) | aproximadamente 10-8 |
| Mobilidade (tração) | 8500 |
| (cm2 de /V-s) | |
| µn, elétrons | |
| Mobilidade (tração) | 400 |
| (cm2 de /V-s) | |
| µp, furos | |
| Energia ótica (eV) do fonão | 0,035 |
| Trajeto livre médio do fonão (ångströms) | 58 |
| Calor específico | 0,35 |
| (J/g-deg C) | |
| Condutibilidade térmica em 300 K | 0,46 |
| (W/cm-degC) | |
| Diffusivity térmico (cm2/segundo) | 0,24 |
| Pressão de vapor (Pa) | 100 em 1050 DEG C; |
| 1 em 900 DEG C |
| Comprimento de onda | Índice |
| (µm) | |
| 2,6 | 3,3239 |
| 2,8 | 3,3204 |
| 3 | 3,3169 |
| 3,2 | 3,3149 |
| 3,4 | 3,3129 |
| 3,6 | 3,3109 |
| 3,8 | 3,3089 |
| 4 | 3,3069 |
| 4,2 | 3,3057 |
| 4,4 | 3,3045 |
| 4,6 | 3,3034 |
| 4,8 | 3,3022 |
| 5 | 3,301 |
| 5,2 | 3,3001 |
| 5,4 | 3,2991 |
| 5,6 | 3,2982 |
| 5,8 | 3,2972 |
| 6 | 3,2963 |
| 6,2 | 3,2955 |
| 6,4 | 3,2947 |
| 6,6 | 3,2939 |
| 6,8 | 3,2931 |
| 7 | 3,2923 |
| 7,2 | 3,2914 |
| 7,4 | 3,2905 |
| 7,6 | 3,2896 |
| 7,8 | 3,2887 |
| 8 | 3,2878 |
| 8,2 | 3,2868 |
| 8,4 | 3,2859 |
| 8,6 | 3,2849 |
| 8,8 | 3,284 |
| 9 | 3,283 |
| 9,2 | 3,2818 |
| 9,4 | 3,2806 |
| 9,6 | 3,2794 |
| 9,8 | 3,2782 |
| 10 | 3,277 |
| 10,2 | 3,2761 |
| 10,4 | 3,2752 |
| 10,6 | 3,2743 |
| 10,8 | 3,2734 |
| 11 | 3,2725 |
| 11,2 | 3,2713 |
| 11,4 | 3,2701 |
| 11,6 | 3,269 |
| 11,8 | 3,2678 |
| 12 | 3,2666 |
| 12,2 | 3,2651 |
| 12,4 | 3,2635 |
| 12,6 | 3,262 |
| 12,8 | 3,2604 |
| 13 | 3,2589 |
| 13,2 | 3,2573 |
| 13,4 | 3,2557 |
| 13,6 | 3,2541 |
Que é bolacha do GaAs?
O arsenieto de gálio (GaAs) é um composto dos elementos gálio e arsênico. É um semicondutor direto da diferença de faixa de III-V com uma estrutura de cristal de blenda de zinco.
A bolacha do GaAs é um material importante do semiconducor. Pertence para agrupar o semicondutor de composto de III-V. É um tipo estrutura do sphalerite de estrutura com uma constante da estrutura de 5.65x 10-10m, um ponto de derretimento do ℃ 1237 e uma diferença de faixa de 1,4 EV. O arsenieto de gálio pode ser feito semi em isolar materiais altos da resistência com resistividade mais altamente do que o silicone e o germânio por mais de três ordens de grandeza, que podem ser usados para fazer a carcaça do circuito integrado, o detector infravermelho, o detector do fotão do γ, etc. Porque sua mobilidade de elétron é 5-6 cronometra maior do que isso do silicone, foi amplamente utilizada em dispositivos da micro-ondas e em circuitos digitais de alta velocidade. O dispositivo de semicondutor feito do GaAs tem as vantagens da resistência da alta frequência, a de alta temperatura e a baixa de temperatura, de baixo nível de ruído e forte de radiação. Além, pode igualmente ser usado para fazer dispositivos do efeito de maioria.
| Campo da divisão | ≈4·105 V/cm |
| Elétrons da mobilidade | cm2 de ≤8500 V-1s-1 |
| Furos da mobilidade | cm2 de ≤400 V-1s-1 |
| Elétrons do coeficiente de difusão | ≤200 cm2/s |
| Furos do coeficiente de difusão | ≤10 cm2/s |
| Velocidade do thermal do elétron | 4,4·105 m/s |
| Velocidade do thermal do furo | 1,8·105m/s |
Mobilidade e Hall Effect
| A mobilidade de salão do elétron contra a temperatura para a lubrificação diferente nivela. 1. Curva inferior: Nd=5·1015cm-3; 2. curva do meio: Nd=1015cm-3; 3. Curva superior: Nd=5·1015cm-3 Para o GaAs fracamente lubrificado na temperatura perto de 300 K, mobilidade de salão do elétron µH=9400 (300/T) cm2 de V-1 s-1 |
| Mobilidade de salão do elétron contra a temperatura para níveis e graus de lubrificação diferentes de compensação (altas temperaturas): Abra círculos: Nd=4Na=1.2·1017 cm-3; Quadrados abertos: Nd=4Na=1016 cm-3; Abra triângulos: Nd=3Na=2·1015 cm-3; A curva contínua representa o cálculo para o GaAs puro Para o GaAs fracamente lubrificado na temperatura perto de 300 K, mobilidade de tração do elétron µn=8000 (300/T) 2/3 de cm2 de V-1 s-1 |
| Mobilidade da tração e de salão contra a concentração do elétron para graus diferentes de compensação T= 77 K |
| Mobilidade da tração e de salão contra a concentração do elétron para graus diferentes de compensação T= 300 K |
Fórmula aproximada para a mobilidade de salão
. µn =ΜOH/(1+Nd·10-17) 1/2, onde ΜOH≈9400 (cm2 de V-1 s-1), Nd em cm-3
| Dependência da temperatura do fator de Salão para o n-tipo puro GaAs em um campo magnético fraco |
| Dependência da temperatura da mobilidade de salão para três amostras da alto-pureza |
Para o GaAs em temperaturas perto de 300 K, mobilidade de salão do furo
(cm2V-1s-1), (p - em cm-3)
Para o GaAs fracamente lubrificado na temperatura perto de 300 K, mobilidade de salão
µpH=400 (300/T) 2,3 (cm2 de V-1 s-1).
| A mobilidade de salão do furo contra a densidade do furo. |
Em T= 300 K, o fator de Salão no GaAs puro
rH=1.25.
Propriedades de transporte em campos bondes altos
| Dependências do campo da velocidade de tração do elétron. A curva contínua foi calculada perto. As curvas precipitadas e pontilhadas são os dados medidos, 300 K |
| Coloque dependências da velocidade de tração do elétron para os campos bondes altos, 300 K. |
| Coloque dependências da velocidade de tração do elétron em temperaturas diferentes. |
| Fração dos elétrons em vales de L e de X. NL e nX em função do campo bonde F em 77, em 160, e em 300 K, Nd=0 Curva pontilhada - L vales, curva tracejada - vales de X. |
| Energia média E em vales de Γ, de L, e de X em função do campo bonde F em 77, em 160, e em 300 K, Nd=0 Curva contínua - vales de Γ, curva pontilhada - L vales, curva precipitada - vales de X. |
| Dependências da frequência da mobilidade do diferencial do elétron. o µd é parte real da mobilidade diferencial; peça imaginária dos µd*is da mobilidade diferencial. F= 5,5 quilovolts de cm-1 |
| A dependência do campo do coeficiente de difusão longitudinal D do elétron||F. As curvas 1 e 2 do sólido são cálculos teóricos. As curvas tracejadas 3, 4, e 5 são dados experimentais. Curva 1 - de Curva 2 - de Curva 3 - de Curva 4 - de Curva 5 - |
| Coloque dependências da velocidade de tração do furo em temperaturas diferentes. |
| Dependência da temperatura da velocidade do furo da saturação em campos bondes altos |
| A dependência do campo do coeficiente de difusão do furo. |
Ionização de impacto
Há duas escolas de pensamento em relação à ionização de impacto no GaAs.
Primeiro indica que o αi e o βi das taxas da ionização de impacto para elétrons e furos no GaAs estão sabidos exatamente bastante para distinguir tais detalhes suteis tais como o anisothropy do αi e do βi para sentidos crystallographic diferentes. Esta aproximação é descrita em detalhe no trabalho por Dmitriev e outros [1987].
| Αi e βi experimentais das curvas contra 1/F para o GaAs. |
| Αi e βi experimentais das curvas contra 1/F para o GaAs. |
| Αi e βi experimentais das curvas contra 1/F para o GaAs. |
Os segundos focos da escola nos valores do αi e no βi para o mesmo campo bonde relatado por diferente pesquisam diferem por um ordem de grandeza ou mais. Este ponto de vista é explicado por Kyuregyan e por Yurkov [1989]. De acordo com esta aproximação nós podemos supor esses αi = βi. A fórmula aproximada para a dependência do campo da ionização avalia:
αi = β mim =αoexp [δ - (δ2 + (F0/F) 2) 1/2]
onde αo = 0,245·106 cm-1; β = 57,6 FO = 6,65·106 V cm-1 (Kyuregyan e Yurkov [1989]).
| Tensão de divisão e campo da divisão contra a lubrificação da densidade para uma junção abrupta do p-n. |
Parâmetro da recombinação
| N-tipo puro material (nenhum ~ 1014cm-3) | |
| A vida a mais longa dos furos | τp ~3·10-6 s |
| Comprimento de difusão Lp = (Dp·τp) 1/2 | Μm do Lp ~30-50. |
| P-tipo puro material | |
| (a) baixo nível da injeção | |
| A vida a mais longa dos elétrons | τn ~ 5·10-9 s |
| Comprimento de difusão Ln = (Dn·τ n) 1/2 | Μm de Ln ~10 |
| (b) nível alto da injeção (armadilhas enchidas) | |
| A vida a mais longa dos elétrons | τ ~2,5·10-7 s |
| Comprimento de difusão Ln | Ln ~ µm 70 |
| Velocidade de recombinação de superfície contra a lubrificação da densidade Os pontos experimentais diferentes correspondem aos métodos de tratamento de superfície diferentes. |
Coeficiente Radiative da recombinação
| 90 K | 1,8·10-8cm3/s |
| 185 K | 1,9·10-9cm3/s |
| 300 K | 7,2·10-10cm3/s |
Coeficiente do eixo helicoidal
| 300 K | ~10-30cm6/s |
| 500 K | ~10-29cm6/s |
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