XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
N datilografa, a bolacha do arsenieto de gálio, 4", categoria principal
PAM-XIAMEN desenvolve e fabrica o cristal e a bolacha do arsenieto do carcaça-gálio do semicondutor composto. Nós usamos tecnologia avançada do crescimento de cristal, o gelo vertical do inclinação (VGF) e da bolacha do GaAs tecnologia de processamento, estabelecemos uma linha de produção do crescimento de cristal, corte, moendo ao processamento de lustro e construímos um quarto desinfetado de 100 classes para a limpeza e o empacotamento da bolacha. Nossa bolacha do GaAs inclui o lingote/bolachas de 2~6 polegadas para o diodo emissor de luz, o LD e as aplicações da microeletrônica. Nós somos dedicados sempre para melhorar atualmente a qualidade de substates e para desenvolver grandes carcaças do tamanho.
Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do diodo emissor de luz
| Artigo | Especificações | |
| Tipo da condução | SC/n-type | |
| Método do crescimento | VGF | |
| Entorpecente | Silicone | |
| Bolacha Diamter | 4, polegada | |
| Orientação de cristal | (100) 2°/6°/15° fora de (110) | |
| DE | EJ ou E.U. | |
| Concentração de portador | (0.4~2.5) E18/cm3
| |
| Resistividade no RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Mobilidade | 1500~3000cm2/V.sec
| |
| Densidade do poço gravura em àgua forte | <5000/cm2 | |
| Marcação do laser | mediante solicitação
| |
| Revestimento de superfície | P/E ou P/P
| |
| Espessura | 220~450um
| |
| Epitaxia pronta | Sim | |
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |
Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do LD
| Artigo | Especificações | Observações |
| Tipo da condução | SC/n-type | |
| Método do crescimento | VGF | |
| Entorpecente | Silicone | |
| Bolacha Diamter | 4, polegada | Lingote ou como-corte disponível |
| Orientação de cristal | (100) 2°/6°/15°off (110) | O outro misorientation disponível |
| DE | EJ ou E.U. | |
| Concentração de portador | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
| Resistividade no RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Mobilidade | 1500~3000 cm2/V.sec | |
| Densidade do poço gravura em àgua forte | <500/cm2 | |
| Marcação do laser | mediante solicitação | |
| Revestimento de superfície | P/E ou P/P | |
| Espessura | 220~350um | |
| Epitaxia pronta | Sim | |
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |
Propriedades do cristal do GaAs
| Propriedades | GaAs |
| Atoms/cm3 | 4,42 x 1022 |
| Peso atômico | 144,63 |
| Campo da divisão | aproximadamente 4 x 105 |
| Estrutura de cristal | Zincblende |
| Densidade (g/cm3) | 5,32 |
| Constante dielétrica | 13,1 |
| Densidade eficaz dos estados na faixa de condução, Nc (cm-3) | 4,7 x 1017 |
| Densidade eficaz dos estados na faixa do Valence, nanovolt (cm-3) | 7,0 x 1018 |
| Afinidade de elétron (v) | 4,07 |
| Energia Gap em 300K (eV) | 1,424 |
| Concentração de portador intrínseco (cm-3) | 1,79 x 106 |
| Comprimento de Debye intrínseco (mícrons) | 2250 |
| Resistividade intrínseca (ohm-cm) | 108 |
| Constante da estrutura (ångströms) | 5,6533 |
| Coeficiente linear da expansão térmica, | 6,86 x 10-6 |
| ΔL/L/ΔT (1 DEG C) | |
| Ponto de derretimento (DEG C) | 1238 |
| Vida do portador de minoria (s) | aproximadamente 10-8 |
| Mobilidade (tração) | 8500 |
| (cm2 de /V-s) | |
| µn, elétrons | |
| Mobilidade (tração) | 400 |
| (cm2 de /V-s) | |
| µp, furos | |
| Energia ótica (eV) do fonão | 0,035 |
| Trajeto livre médio do fonão (ångströms) | 58 |
| Calor específico | 0,35 |
| (J/g-deg C) | |
| Condutibilidade térmica em 300 K | 0,46 |
| (W/cm-degC) | |
| Diffusivity térmico (cm2/segundo) | 0,24 |
| Pressão de vapor (Pa) | 100 em 1050 DEG C; |
| 1 em 900 DEG C |
| Comprimento de onda | Índice |
| (µm) | |
| 2,6 | 3,3239 |
| 2,8 | 3,3204 |
| 3 | 3,3169 |
| 3,2 | 3,3149 |
| 3,4 | 3,3129 |
| 3,6 | 3,3109 |
| 3,8 | 3,3089 |
| 4 | 3,3069 |
| 4,2 | 3,3057 |
| 4,4 | 3,3045 |
| 4,6 | 3,3034 |
| 4,8 | 3,3022 |
| 5 | 3,301 |
| 5,2 | 3,3001 |
| 5,4 | 3,2991 |
| 5,6 | 3,2982 |
| 5,8 | 3,2972 |
| 6 | 3,2963 |
| 6,2 | 3,2955 |
| 6,4 | 3,2947 |
| 6,6 | 3,2939 |
| 6,8 | 3,2931 |
| 7 | 3,2923 |
| 7,2 | 3,2914 |
| 7,4 | 3,2905 |
| 7,6 | 3,2896 |
| 7,8 | 3,2887 |
| 8 | 3,2878 |
| 8,2 | 3,2868 |
| 8,4 | 3,2859 |
| 8,6 | 3,2849 |
| 8,8 | 3,284 |
| 9 | 3,283 |
| 9,2 | 3,2818 |
| 9,4 | 3,2806 |
| 9,6 | 3,2794 |
| 9,8 | 3,2782 |
| 10 | 3,277 |
| 10,2 | 3,2761 |
| 10,4 | 3,2752 |
| 10,6 | 3,2743 |
| 10,8 | 3,2734 |
| 11 | 3,2725 |
| 11,2 | 3,2713 |
| 11,4 | 3,2701 |
| 11,6 | 3,269 |
| 11,8 | 3,2678 |
| 12 | 3,2666 |
| 12,2 | 3,2651 |
| 12,4 | 3,2635 |
| 12,6 | 3,262 |
| 12,8 | 3,2604 |
| 13 | 3,2589 |
| 13,2 | 3,2573 |
| 13,4 | 3,2557 |
| 13,6 | 3,2541 |
Que é uma bolacha do teste do GaAs?
A maioria de bolachas do teste do GaAs são as bolachas que caíram fora das especificações principais. As bolachas do teste podem ser usadas para correr as maratonas, equipamento de teste e para a parte alta R & D. São frequentemente uma alternativa eficaz na redução de custos para aprontar bolachas.
| Módulo de maioria | 7,53·cm2 de 1011 dyn |
| Ponto de derretimento | °C 1240 |
| Calor específico | 0,33 J g-1°C -1 |
| Condutibilidade térmica | 0,55 °C -1 de W cm-1 |
| Diffusivity térmico | 0.31cm2s-1 |
| Expansão térmica, linear | 5,73·10-6 °C -1 |
 | Dependência da temperatura da condutibilidade térmica n-tipo amostra, nenhuma (cm-3): 1. 1016; 2. 1,4·1016; 3. 1018; p-tipo amostra, po (cm-3): 4. 3·1018; 5. 1,2·1019. |
| Dependência da temperatura da condutibilidade térmica (para a alta temperatura) n-tipo amostra, nenhuma (cm-3): 1. 7·1015; 2. 5·1016; 3. 4·1017; 4. 8·1018; p-tipo amostra, po (cm-3): 5. 6·1019. |
| Dependência da temperatura do calor específico na pressão constante Ccl= 3kbN = 0,345 J g-1°C -1. N é o número de átomos em 1 og GaAs de g. Linha tracejada: Cp= (4π2Ccl/5θo3)·T3 para o θo= 345 K. |
| Dependência da temperatura do α linear do coeficiente da expansão |
| Ponto de derretimento | Tm=1513 K |
| Para 0 < P < 45 kbar | Tm= 1513 - 3.5P (P em kbar) |
| Pressão de vapor saturado | (nos Pascal) |
| K 1173 | 1 |
| K 1323 | 100 |
Você está procurando a bolacha do GaAs?
PAM-XIAMEN é seu ir-ao lugar para tudo bolachas, incluindo bolachas do GaAs, como nós o temos feito por quase 30 anos! Inquira-nos hoje para aprender mais sobre as bolachas que nós oferecemos e como nós podemos o ajudar com seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!