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N datilografa, a carcaça do GaAs, 3", categoria do manequim
PAM-XIAMEN desenvolve e fabrica o cristal e a bolacha do arsenieto do carcaça-gálio do semicondutor composto. Nós usamos tecnologia avançada do crescimento de cristal, o gelo vertical do inclinação (VGF) e a tecnologia de processamento da bolacha do arsenieto de gálio (GaAs). As propriedades elétricas exigidas são obtidas adicionando entorpecentes tais como o silicone ou o zinco. O resultado é n-tipo ou p-tipo alto-resistência (>10^7 ohm.cm) ou semicondutores da baixo-resistência (<10 - 2 ohm.cm). As superfícies da bolacha estão geralmente epi-prontas (extremamente - baixa contaminação) isto é sua qualidade são apropriadas para o uso direto em processos epitaxial.
Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do diodo emissor de luz
| Artigo | Especificações | |
| Tipo da condução | SC/n-type | |
| Método do crescimento | VGF | |
| Entorpecente | Silicone | |
| Bolacha Diamter | 3, polegada | |
| Orientação de cristal | (100) 2°/6°/15° fora de (110) | |
| DE | EJ ou E.U. | |
| Concentração de portador | (0.4~2.5) E18/cm3
| |
| Resistividade no RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Mobilidade | 1500~3000cm2/V.sec
| |
| Densidade do poço gravura em àgua forte | <5000/cm2 | |
| Marcação do laser | mediante solicitação
| |
| Revestimento de superfície | P/E ou P/P
| |
| Espessura | 220~450um
| |
| Epitaxia pronta | Sim | |
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |
Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do LD
| Artigo | Especificações | Observações |
| Tipo da condução | SC/n-type | |
| Método do crescimento | VGF | |
| Entorpecente | Silicone | |
| Bolacha Diamter | 3, polegada | Lingote ou como-corte disponível |
| Orientação de cristal | (100) 2°/6°/15°off (110) | O outro misorientation disponível |
| DE | EJ ou E.U. | |
| Concentração de portador | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
| Resistividade no RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Mobilidade | 1500~3000 cm2/V.sec | |
| Densidade do poço gravura em àgua forte | <500/cm2 | |
| Marcação do laser | mediante solicitação | |
| Revestimento de superfície | P/E ou P/P | |
| Espessura | 220~350um | |
| Epitaxia pronta | Sim | |
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |
Propriedades do cristal do GaAs
| Propriedades | GaAs | |
| Atoms/cm3 | 4,42 x 1022 | |
| Peso atômico | 144,63 | |
| Campo da divisão | aproximadamente 4 x 105 | |
| Estrutura de cristal | Zincblende | |
| Densidade (g/cm3) | 5,32 | |
| Constante dielétrica | 13,1 | |
| Densidade eficaz dos estados na faixa de condução, Nc (cm-3) | 4,7 x 1017 | |
| Densidade eficaz dos estados na faixa do Valence, nanovolt (cm-3) | 7,0 x 1018 | |
| Afinidade de elétron (v) | 4,07 | |
| Energia Gap em 300K (eV) | 1,424 | |
| Concentração de portador intrínseco (cm-3) | 1,79 x 106 | |
| Comprimento de Debye intrínseco (mícrons) | 2250 | |
| Resistividade intrínseca (ohm-cm) | 108 | |
| Constante da estrutura (ångströms) | 5,6533 | |
| Coeficiente linear da expansão térmica, | 6,86 x 10-6 | |
| ΔL/L/ΔT (1 DEG C) | ||
| Ponto de derretimento (DEG C) | 1238 | |
| Vida do portador de minoria (s) | aproximadamente 10-8 | |
| Mobilidade (tração) | 8500 | |
| (cm2 de /V-s) | ||
| µn, elétrons | ||
| Mobilidade (tração) | 400 | |
| (cm2 de /V-s) | ||
| µp, furos | ||
| Energia ótica (eV) do fonão | 0,035 | |
| Trajeto livre médio do fonão (ångströms) | 58 | |
| Calor específico | 0,35 | |
| (J/g-deg C) | ||
| Condutibilidade térmica em 300 K | 0,46 | |
| (W/cm-degC) | ||
| Diffusivity térmico (cm2/segundo) | 0,24 | |
| Pressão de vapor (Pa) | 100 em 1050 DEG C; | |
| 1 em 900 DEG C |
| Comprimento de onda | Índice |
| (µm) | |
| 2,6 | 3,3239 |
| 2,8 | 3,3204 |
| 3 | 3,3169 |
| 3,2 | 3,3149 |
| 3,4 | 3,3129 |
| 3,6 | 3,3109 |
| 3,8 | 3,3089 |
| 4 | 3,3069 |
| 4,2 | 3,3057 |
| 4,4 | 3,3045 |
| 4,6 | 3,3034 |
| 4,8 | 3,3022 |
| 5 | 3,301 |
| 5,2 | 3,3001 |
| 5,4 | 3,2991 |
| 5,6 | 3,2982 |
| 5,8 | 3,2972 |
| 6 | 3,2963 |
| 6,2 | 3,2955 |
| 6,4 | 3,2947 |
| 6,6 | 3,2939 |
| 6,8 | 3,2931 |
| 7 | 3,2923 |
| 7,2 | 3,2914 |
| 7,4 | 3,2905 |
| 7,6 | 3,2896 |
| 7,8 | 3,2887 |
| 8 | 3,2878 |
| 8,2 | 3,2868 |
| 8,4 | 3,2859 |
| 8,6 | 3,2849 |
| 8,8 | 3,284 |
| 9 | 3,283 |
| 9,2 | 3,2818 |
| 9,4 | 3,2806 |
| 9,6 | 3,2794 |
| 9,8 | 3,2782 |
| 10 | 3,277 |
| 10,2 | 3,2761 |
| 10,4 | 3,2752 |
| 10,6 | 3,2743 |
| 10,8 | 3,2734 |
| 11 | 3,2725 |
| 11,2 | 3,2713 |
| 11,4 | 3,2701 |
| 11,6 | 3,269 |
| 11,8 | 3,2678 |
| 12 | 3,2666 |
| 12,2 | 3,2651 |
| 12,4 | 3,2635 |
| 12,6 | 3,262 |
| 12,8 | 3,2604 |
| 13 | 3,2589 |
| 13,2 | 3,2573 |
| 13,4 | 3,2557 |
| 13,6 | 3,2541 |
Que é bolacha do GaAs?
O arsenieto de gálio (GaAs) é um composto dos elementos gálio e arsênico. É um semicondutor direto da diferença de faixa de III-V com uma estrutura de cristal de blenda de zinco.
A bolacha do GaAs é um material importante do semiconducor. Pertence para agrupar o semicondutor de composto de III-V. É um tipo estrutura do sphalerite de estrutura com uma constante da estrutura de 5.65x 10-10m, um ponto de derretimento do ℃ 1237 e uma diferença de faixa de 1,4 EV. O arsenieto de gálio pode ser feito semi em isolar materiais altos da resistência com resistividade mais altamente do que o silicone e o germânio por mais de três ordens de grandeza, que podem ser usados para fazer a carcaça do circuito integrado, o detector infravermelho, o detector do fotão do γ, etc. Porque sua mobilidade de elétron é 5-6 cronometra maior do que isso do silicone, foi amplamente utilizada em dispositivos da micro-ondas e em circuitos digitais de alta velocidade. O dispositivo de semicondutor feito do GaAs tem as vantagens da resistência da alta frequência, a de alta temperatura e a baixa de temperatura, de baixo nível de ruído e forte de radiação. Além, pode igualmente ser usado para fazer dispositivos do efeito de maioria.
Que é as propriedades óticas da bolacha do GaAs?
| R.I. infravermelho | 3,3 |
| Coeficiente Radiative da recombinação | 7·10-10 cm3/s |
R.I. infravermelho
n = k1/2 = 3,255·(1 + 4,5·10-5T)
para o n= 3,299 de 300 K
Longo-onda à energia do fonão
hνTO = 33,81·(1 - 5,5·10-5 T) (meV)
para o hνTO de 300 K = meV 33,2
energia do fonão da Longo-onda LO
hνLO= 36,57·(1 - 4·10-5 T) (meV)
para o hνLO de 300 K = meV 36,1
 | R.I. n contra a energia do fotão para uma alto-pureza GaAs. (no~5·1013 cm-3). A curva contínua é deduzida das medidas da reflectância do dois-feixe em 279 K. Escuro que os círculos são obtidos das medidas da refração. Os círculos claros são calculados da análise de Kramers-Kronig |
| Refletividade normal da incidência contra a energia do fotão. . |
| Coeficiente de absorção intrínseco perto do limite de absorção intrínseco para temperaturas diferentes. |
Um meV da energia RX1= 4,2 de Rydberg do estado à terra
| O limite de absorção intrínseco em 297 K na lubrificação diferente nivela. n-tipo lubrificação |
| O limite de absorção intrínseco em 297 K na lubrificação diferente nivela. p-tipo lubrificação |
| O coeficiente de absorção contra a energia do fotão da borda intrínseca ao eV 25. |
| Absorção livre do portador contra o comprimento de onda a níveis de lubrificação diferentes, 296 K As concentrações do elétron da condução são: 1. 1,3·1017cm-3; 2. 4,9·1017cm-3; 3. 1018cm-3; 4. 5,4·1018cm-3 |
| Absorção livre do portador contra o comprimento de onda em temperaturas diferentes. nenhuns = 4,9·1017cm-3 As temperaturas são: 1. 100 K; 2. 297 K; 3. 443 K. |
Em 300 K
Para λ~2 µm α =6·10-18 nenhum (cm-1) (nenhum - no cm-1)
Para o λ > 4µm e 1017<no<1018cm-3α ≈ 7,5·10-20no·λ3 (cm-1) (nenhum - em cm-3, λ - µm)
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PAM-XIAMEN é orgulhoso oferecer a carcaça do fosforeto de índio para todos os tipos diferentes dos projetos. Se você está procurando bolachas do GaAs, envie-nos o inquérito hoje para aprender mais sobre como nós podemos trabalhar com você para lhe obter as bolachas que do GaAs você precisa para seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!