Semi - isolando, carcaça do InP, 2", categoria principal, Epi pronto

Semi-isolando, a carcaça do InP, 2", apronta a categoria, Epi pronto
 
PAM-XIAMEN oferece a bolacha do InP – fosforeto de índio que são crescidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) ou por VGF (gelo vertical do inclinação) como a categoria epi-pronta ou mecânica com tipo de n, tipo de p ou semi-isolamento na orientação diferente (111) ou (100).
O fosforeto de índio (InP) é um semicondutor binário composto do índio e do fósforo. Tem (de “blenda zinco ") uma estrutura de cristal cúbica cara-centrada, idêntica àquela do GaAs e à maioria dos semicondutores de III-V. O fosforeto de índio pode ser preparado da reação do iodeto do fósforo branco e do índio [esclarecimento necessário] em 400 °C., [5] igualmente pela combinação direta dos elementos refinados na alta temperatura e na pressão, ou pela decomposição térmica de uma mistura de um composto e de um fosforeto do índio do trialkyl. O InP é usado na eletrônica de alta potência e de alta frequência [citação necessária] devido a sua velocidade superior do elétron no que diz respeito aos semicondutores mais comuns silicone e ao arsenieto de gálio.
 
Semi-isolando, a carcaça do InP, 2", apronta a categoria, Epi pronto

Que é uma bolacha do teste?

A maioria de bolachas do teste são as bolachas que caíram fora das especificações principais. As bolachas do teste podem ser usadas para correr as maratonas, equipamento de teste e para a parte alta R & D. São frequentemente uma alternativa eficaz na redução de custos para aprontar bolachas.

Propriedades de transporte em campos bondes altos

	Coloque as dependências da velocidade de tração do elétron no InP, 300 K. A curva contínua é cálculo teórico. A curva precipitada e pontilhada é dados medidos. (Maloney e Frey [1977]) e (  de Gonzalez Sánchez e outros [1992]).
	As dependências do campo da velocidade de tração do elétron para campos bondes altos. T (K): 1. 95; 2. 300; 3. 400. (  do   de Windhorn e outros [1983]).
	Coloque dependências da velocidade de tração do elétron em temperaturas diferentes. Curve 1 -77 K (  do   de Gonzalez Sánchez e outros [1992]). Curva 2 - 300 K, curve 3 - 500 K (Fawcett e Monte [1975]).
	Temperatura do elétron contra o campo bonde para 77 K e 300 K. (Maloney e Frey [1977])
	Fração dos elétrons nos vales nL/no e nX/no em função do campo bonde, 300 K. de L e de X. (Borodovskii e Osadchii [1987]).
	Dependência da frequência do η da eficiência no início (linha contínua) e no segundo (harmônico da linha tracejada) no modo do LSA. Simulação de Monte - de Carlo. F = FO + F1·pecado (2π·ft) + F2·[pecado (4π·ft) +3π/2], Fo=F1=35 quilovolt cm-1, F2=10.5 quilovolt cm-1 (Borodovskii e Osadchii [1987]).
	Longitudinal (D || F) e transversal (coeficientes de difusão do elétron do ⊥ de D F) em 300 K. Conjunto Monte - simulação de Carlo. (Aishima e Fukushima [1983]).
	Longitudinal (D || F) e transversal (coeficientes de difusão do elétron do ⊥ de D F) em 77K. Conjunto Monte - simulação de Carlo. (Aishima e Fukushima [1983]).

O InP é usado na eletrônica de alta potência e de alta frequência [citação necessária] devido a sua velocidade superior do elétron no que diz respeito aos semicondutores mais comuns silicone e ao arsenieto de gálio.
Foi usado com o arsenieto de gálio do índio para fazer um registro que quebra a heterojunção pseudo-mórfica o transistor bipolar que poderia se operar em 604 gigahertz.
Igualmente tem um bandgap direto, fazendo o útil para dispositivos da ótica electrónica como diodos láser. A empresa Infinera usa o fosforeto de índio como seu material tecnologico principal fabricando circuitos integrados fotónicos para a indústria ótica das telecomunicações, para permitir aplicações da multiplexação da comprimento de onda-divisão.
O InP é usado igualmente como uma carcaça para dispositivos opto-eletrônicos baseados epitaxial do arsenieto de gálio do índio.

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